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辰科物联
https://www.chenkeiot.com/
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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
|---|---|---|---|---|---|
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71V016SA20BFG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 48-LFBGA | 48-FBGA（7x7） | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA（7x7） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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71V016SA10BFG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 48-LFBGA | 48-FBGA（7x7） | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3.15V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA（7x7） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3.15 v ~ 3.6 v |
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71124S15YGI
Datasheet 规格书
ROHS
管件
23
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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71124S20YGI
Datasheet 规格书
ROHS
管件
23
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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71V416S12YG
Datasheet 规格书
ROHS
管件
16
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（256k x 16） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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S29GL128P10TAI010
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:100ns 访问时间:100ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 封装/外壳:56-TSOP 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
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S29GL128P10TAI020
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:100ns 访问时间:100ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 封装/外壳:56-TSOP 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
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S29GL128P11TAI010
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:110ns 访问时间:110ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 封装/外壳:56-TSOP 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
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S29GL128P11TAI020
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:110ns 访问时间:110ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 封装/外壳:56-TSOP 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
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71V424L15PHG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（512k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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S25FL128SAGNFI011
Datasheet 规格书
ROHS
管件
82
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Cypress Semiconductor Corp | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（6x8） | 描述:IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（6x8） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FS128SAGNFI101
Datasheet 规格书
ROHS
管件
99
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Cypress Semiconductor Corp | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（5x6） | 描述:IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O， QPI 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（5x6） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:1.7 v ~ 2 v |
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S29GL128P90FFCR13
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:3V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:90ns 访问时间:90ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA（13x11） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
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71V424S15PHG
Datasheet 规格书
ROHS
管件
135
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（512k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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71V416L10PHG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（256k x 16） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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71V416L12PHG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（256k x 16） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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S34MS02G200GHI000
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 2G PARALLEL 67BGA *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字，页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:2g（256m x 8） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v | ||
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S34MS02G200BHI000
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字，页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:2g（256m x 8） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v | ||
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S34MS02G204BHI010
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 63-VFBGA | 63-BGA（11x9） | 描述:IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:2Gb （128M x 16） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:63-VFBGA 供应商器件封装:63-BGA（11x9） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:2g（128m x 16） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v |
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S29GL128S90TFA010
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（8m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S29GL128S90TFA020
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（8m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S34MS02G200TFI000
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字，页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:2g（256m x 8） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v | ||
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SM667GE4-AC
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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- | 描述:FERRI-EMMC BGA 100-B EMMC 4.5 SL *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | ||
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S34MS02G204TFI010
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 48-TSOP I | 描述:IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:2Gb （128M x 16） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:48-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:2g（128m x 16） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v |
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S34ML01G100BHA003
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | - | - | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g（128m x 8） 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |