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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字，页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
AS7C31026B-15TCN
托盘
135
10+: ￥11.6688 100+: ￥11.4605 1000+: ￥11.3563 3000+: ￥11.0437
我要买
Alliance Memory, Inc. 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 44-TSOP2 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
AS7C31026B-20TCN
托盘
135
10+: ￥13.5419 100+: ￥13.3001 1000+: ￥13.1792 3000+: ￥12.8165
我要买
Alliance Memory, Inc. 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 44-TSOP2 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
S25FL129P0XMFI011
管件
10+: ￥21.0343 100+: ￥20.6587 1000+: ￥20.4709 3000+: ￥19.9074
我要买
Cypress Semiconductor Corp 16-SOIC（7.50MM 宽） 16-SOIC 描述:IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:5µs，3ms 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:5µs，3ms *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL129P0XMFI000
托盘
240
10+: ￥1.1390 100+: ￥1.1187 1000+: ￥1.1085 3000+: ￥1.0780
我要买
Cypress Semiconductor Corp 16-SOIC 描述:IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:5µs，3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 封装/外壳:16-SOIC 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL129P0XMFI010
托盘
1
10+: ￥1.8098 100+: ￥1.7775 1000+: ￥1.7613 3000+: ￥1.7129
我要买
Cypress Semiconductor Corp 16-SOIC（7.50MM 宽） 16-SOIC 描述:IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:5µs，3ms 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:5µs，3ms *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
AS7C1026B-12JCN
管件
16
10+: ￥12.5927 100+: ￥12.3679 1000+: ￥12.2554 3000+: ￥11.9181
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Alliance Memory, Inc. 44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 44-SOJ 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
AS7C31026B-12JCN
管件
16
10+: ￥12.5927 100+: ￥12.3679 1000+: ￥12.2554 3000+: ￥11.9181
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Alliance Memory, Inc. 44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 44-SOJ 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
AS7C3513B-10JCN
管件
16
10+: ￥13.5419 100+: ￥13.3001 1000+: ￥13.1792 3000+: ￥12.8165
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Alliance Memory, Inc. 44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 44-SOJ 描述:IC SRAM 512K PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:512Kb （32K x 16） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:512k（32k x 16） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
AS7C3513B-12JCN
管件
16
10+: ￥13.5419 100+: ￥13.3001 1000+: ￥13.1792 3000+: ￥12.8165
我要买
Alliance Memory, Inc. 44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 44-SOJ 描述:IC SRAM 512K PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:512Kb （32K x 16） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:512k（32k x 16） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
AS7C3513B-15JCN
管件
10+: ￥21.0343 100+: ￥20.6587 1000+: ￥20.4709 3000+: ￥19.9074
我要买
Alliance Memory, Inc. 44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 44-SOJ 描述:IC SRAM 512K PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:512Kb （32K x 16） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:512k（32k x 16） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
S29GL128P90TFIR13
标准卷带
1000
10+: ￥22.9706 100+: ￥22.5605 1000+: ￥22.3554 3000+: ￥21.7401
我要买
Cypress Semiconductor Corp 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 56-TSOP 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S70FL256P0XMFI003
标准卷带
1450
10+: ￥0.7973 100+: ￥0.7831 1000+: ￥0.7760 3000+: ￥0.7546
我要买
Cypress Semiconductor Corp 16-SOIC（7.50MM 宽） 16-SOIC 描述:IC FLASH 256MBIT 104MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （32M x 8） 存储器接口:5µs 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:5µs *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（32m x 8） 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
alt S70FL256P0XMFI013
标准卷带
10+: ￥35.6520 100+: ￥35.0153 1000+: ￥34.6970 3000+: ￥33.7420
我要买
Cypress Semiconductor Corp 16-SOIC（7.50MM 宽） 16-SOIC 描述:IC FLASH 256MBIT *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（32m x 8） 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL032P0XMFB000
托盘
10+: ￥35.6520 100+: ￥35.0153 1000+: ￥34.6970 3000+: ￥33.7420
我要买
Cypress Semiconductor Corp 16-SOIC（7.50MM 宽） 16-SOIC 描述:IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb （4M x 8） 存储器接口:5µs，3ms 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:5µs，3ms *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:32m（4m x 8） 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
6116LA20SOGI
管件
310
10+: ￥21.6164 100+: ￥21.2304 1000+: ￥21.0374 3000+: ￥20.4584
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 24-SOIC 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Kb （2K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:24-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:16k（2k x 8） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
6116LA25SOGI
管件
310
10+: ￥21.6164 100+: ￥21.2304 1000+: ￥21.0374 3000+: ￥20.4584
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 24-SOIC 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Kb （2K x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:24-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:16k（2k x 8） 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
6116SA25SOGI
管件
310
10+: ￥21.6164 100+: ￥21.2304 1000+: ￥21.0374 3000+: ￥20.4584
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 24-SOIC 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Kb （2K x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:24-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:16k（2k x 8） 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
6116SA25TPGI
管件
15
10+: ￥22.4011 100+: ￥22.0011 1000+: ￥21.8011 3000+: ￥21.2011
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 24-DIP（0.300"，7.62mm） 24-PDIP 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Kb （2K x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:24-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商器件封装:24-PDIP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:16k（2k x 8） 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
71256SA25PZGI
管件
10+: ￥35.6899 100+: ￥35.0526 1000+: ￥34.7339 3000+: ￥33.7780
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 28-TSOP 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 供应商器件封装:28-TSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
MX25L25655FMI-10G
管件
10+: ￥35.6899 100+: ￥35.0526 1000+: ￥34.7339 3000+: ￥33.7780
我要买
Macronix 16-SOIC（7.50MM 宽） 16-SOP 描述:IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （32M x 8） 存储器接口:30µs，3ms 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:30µs，3ms *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（32m x 8） 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S34MS04G200BHI903
标准卷带
10+: ￥35.8165 100+: ￥35.1769 1000+: ￥34.8571 3000+: ￥33.8977
我要买
Cypress Semiconductor Corp 63-BGA（11x9） 描述:IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:4Gb （512M x 8） 存储器接口:1.7V ~ 1.95V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:63-VFBGA 封装/外壳:63-BGA（11x9） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:4g（512m x 8） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v
S34MS04G204BHI013
标准卷带
10+: ￥35.8165 100+: ￥35.1769 1000+: ￥34.8571 3000+: ￥33.8977
我要买
Cypress Semiconductor Corp 63-BGA（11x9） 描述:IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:4Gb （256M x 16） 存储器接口:1.7V ~ 1.95V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:63-VFBGA 封装/外壳:63-BGA（11x9） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:4g（256m x 16） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v
S34MS04G200BHI003
标准卷带
10+: ￥35.8165 100+: ￥35.1769 1000+: ￥34.8571 3000+: ￥33.8977
我要买
Cypress Semiconductor Corp 描述:IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字，页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:4g（512m x 8） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v
alt TC58CVG0S3HRAIJ
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Kioxia America, Inc. 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON（6x8） 描述:IC FLASH NAND 1GB 3.3V 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:180µs 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
FM24V01-G
管件
25
10+: ￥0.9872 100+: ￥0.9695 1000+: ￥0.9607 3000+: ￥0.9343
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Cypress Semiconductor Corp 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOIC 描述:IC FRAM 128K I2C 3.4MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:128Kb （16K x 8） 存储器接口:130ns 时钟频率:I²C 写周期时间 - 字，页:3.4MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:fram（ferroelectric ram） 存储容量:128k（16k x 8） 速度:3.4mhz 接口:i2c，2 线串口 电压 - 电源:2 v ~ 3.6 v
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