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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
S25FL064P0XNFB000
托盘
10+: 14.1241 100+: 13.8719 1000+: 13.7458 3000+: 13.3674
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Cypress Semiconductor Corp 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON(6x8) 描述:IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8) 存储器接口:5µs,3ms 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:104MHz 访问时间:5µs,3ms *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x8) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8) 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
AS4C4M16S-6TAN
托盘
10+: 14.2380 100+: 13.9838 1000+: 13.8566 3000+: 13.4753
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Alliance Memory, Inc. 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 54-TSOP II 描述:IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:64Mb (4M x 16) 存储器接口:5.4ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:166MHz 访问时间:2ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:54-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sdram 存储容量:64m(4m x 16) 速度:166mhz 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
S29GL064N90TFA033
标准卷带
1000
10+: 1.0631 100+: 1.0441 1000+: 1.0346 3000+: 1.0062
我要买
Cypress Semiconductor Corp 48-TSOP 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8,4M x 16) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:90ns 访问时间:90ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 封装/外壳:48-TSOP 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8,4m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S29GL064S70TFA013
1000
10+: 1.0504 100+: 1.0317 1000+: 1.0223 3000+: 0.9942
我要买
Cypress Semiconductor Corp 56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 56-TSOP 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (4M x 16) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(4m x 16) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S29GL064N11TFIV60
托盘
10+: 14.2886 100+: 14.0335 1000+: 13.9059 3000+: 13.5232
我要买
Cypress Semiconductor Corp 48-TSOP 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (4M x 16) 存储器接口:1.65V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:110ns 访问时间:110ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 封装/外壳:48-TSOP 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(4m x 16) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v
S29GL064N11TFIV70
托盘
1
10+: 1.8731 100+: 1.8396 1000+: 1.8229 3000+: 1.7727
我要买
Cypress Semiconductor Corp 48-TSOP 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (4M x 16) 存储器接口:1.65V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:110ns 访问时间:110ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 封装/外壳:48-TSOP 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(4m x 16) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v
S29GL064N90TAI060
托盘
10+: 14.2886 100+: 14.0335 1000+: 13.9059 3000+: 13.5232
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Cypress Semiconductor Corp 48-TSOP 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (4M x 16) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:90ns 访问时间:90ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 封装/外壳:48-TSOP 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(4m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S29GL064N90FFI032
标准卷带
10+: 14.2886 100+: 14.0335 1000+: 13.9059 3000+: 13.5232
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8,4M x 16) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:90ns 访问时间:90ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA(13x11) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8,4m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S29GL064N90FFI042
标准卷带
400
10+: 24.9576 100+: 24.5120 1000+: 24.2891 3000+: 23.6206
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Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8,4M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8,4m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FS064SAGMFI010
托盘
10+: 20.7558 100+: 20.3852 1000+: 20.1999 3000+: 19.6439
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Cypress Semiconductor Corp 8-SOIC(5.30MM 宽) 8-SOIC 描述:IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(5.30MM 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8) 速度:133mhz 接口:spi-mio 电压 - 电源:1.7 v ~ 2 v
AS6C2008-55BINTR
标准卷带
2000
10+: 1.8604 100+: 1.8272 1000+: 1.8106 3000+: 1.7608
我要买
Alliance Memory, Inc. 36-TFBGA 36-TFBGA(6x8) 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 36TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (256K x 8) 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:36-TFBGA 供应商器件封装:36-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(256k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
AS6C2016-55BINTR
标准卷带
2000
10+: 1.8604 100+: 1.8272 1000+: 1.8106 3000+: 1.7608
我要买
Alliance Memory, Inc. 48-TFBGA 48-TFBGA(6x8) 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 48TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (128K x 16) 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFBGA 供应商器件封装:48-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(128k x 16) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v
AS6C2008A-55BINTR
标准卷带
2000
10+: 1.8604 100+: 1.8272 1000+: 1.8106 3000+: 1.7608
我要买
Alliance Memory, Inc. 36-TFBGA 36-TFBGA(6x8) 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 36TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (256K x 8) 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:36-TFBGA 供应商器件封装:36-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(256k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v
S29GL064N90BFI043
标准卷带
2500
10+: 3.0121 100+: 2.9583 1000+: 2.9314 3000+: 2.8508
我要买
Cypress Semiconductor Corp 48-FBGA(8.15x6.15) 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8,4M x 16) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:90ns 访问时间:90ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:48-VFBGA 封装/外壳:48-FBGA(8.15x6.15) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8,4m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FS128SDSMFI1D1
管件
91
10+: 14.2127 100+: 13.9589 1000+: 13.8320 3000+: 13.4513
我要买
Cypress Semiconductor Corp 8-SOIC(5.30MM 宽) 8-SO 描述:IC FLASH 128M SPI 80MHZ 8SO *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(5.30MM 宽) 供应商器件封装:8-SO 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:80mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:1.7 v ~ 2 v
S25FS128SDSMFI1D0
托盘
280
10+: 0.5442 100+: 0.5345 1000+: 0.5296 3000+: 0.5151
我要买
Cypress Semiconductor Corp 8-SOIC(5.30MM 宽) 8-SO 描述:IC FLASH 128M SPI 80MHZ 8SO *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(5.30MM 宽) 供应商器件封装:8-SO 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:80mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:1.7 v ~ 2 v
S25FL032P0XMFA000
托盘
240
10+: 11.5296 100+: 11.3237 1000+: 11.2208 3000+: 10.9120
我要买
16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC 描述:IC 32 MB FLASH MEMORY *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb (4M x 8) 存储器接口:5µs,3ms 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:104MHz 访问时间:5µs,3ms *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
AS7C3513B-12TCN
托盘
135
10+: 13.5419 100+: 13.3001 1000+: 13.1792 3000+: 12.8165
我要买
Alliance Memory, Inc. 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 44-TSOP2 描述:IC SRAM 512K PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:512Kb (32K x 16) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:512k(32k x 16) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
AS7C3513B-15TCN
托盘
135
10+: 13.5419 100+: 13.3001 1000+: 13.1792 3000+: 12.8165
我要买
Alliance Memory, Inc. 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 44-TSOP2 描述:IC SRAM 512K PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:512Kb (32K x 16) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:512k(32k x 16) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
AS7C3513B-20TCN
托盘
135
10+: 13.5419 100+: 13.3001 1000+: 13.1792 3000+: 12.8165
我要买
Alliance Memory, Inc. 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 44-TSOP2 描述:IC SRAM 512K PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:512Kb (32K x 16) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:512k(32k x 16) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
AS7C513B-12TCN
托盘
135
10+: 13.5419 100+: 13.3001 1000+: 13.1792 3000+: 12.8165
我要买
Alliance Memory, Inc. 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 44-TSOP2 描述:IC SRAM 512K PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:512Kb (32K x 16) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:512k(32k x 16) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
AS7C513B-15TCN
托盘
135
10+: 13.5419 100+: 13.3001 1000+: 13.1792 3000+: 12.8165
我要买
Alliance Memory, Inc. 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 44-TSOP2 描述:IC SRAM 512K PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:512Kb (32K x 16) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:512k(32k x 16) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
AS7C1026B-15TCN
托盘
135
10+: 11.6688 100+: 11.4605 1000+: 11.3563 3000+: 11.0437
我要买
Alliance Memory, Inc. 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 44-TSOP2 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
AS7C1026B-20TCN
托盘
135
10+: 13.5419 100+: 13.3001 1000+: 13.1792 3000+: 12.8165
我要买
Alliance Memory, Inc. 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 44-TSOP2 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
AS7C31026B-10TCN
托盘
135
10+: 11.6688 100+: 11.4605 1000+: 11.3563 3000+: 11.0437
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Alliance Memory, Inc. 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 44-TSOP2 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
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