服务热线
0755-28435922
辰科物联
https://www.chenkeiot.com/
图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
S29GL128S11FHIV20
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
360
|
Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (8M x 16) 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(8m x 16) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v | |
24FC01T-E/OT
Datasheet 规格书
ROHS
圆盘卷带
3000
|
Microchip Technology | SC-74A,SOT-753 | SOT-23-5 | 描述:1KB I2C EEPROM 1MHZ 1.7-5.5V 5-S *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb (128 x 8) 存储器接口:450ns 时钟频率:I²C 写周期时间 - 字,页:1MHz 访问时间:5ms *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 供应商器件封装:SOT-23-5 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
S29GL128S90FAI010
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
180
|
Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (8M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(8m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S29GL128S90FHI010
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
360
|
Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (8M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(8m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S29GL128S10DHI010
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
260
|
Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(9x9) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (8M x 16) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(9x9) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(8m x 16) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S29GL128S10DHIV10
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
260
|
Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(9x9) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (8M x 16) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(9x9) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(8m x 16) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v | |
S29GL128S11DHIV10
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
260
|
Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(9x9) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (8M x 16) 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(9x9) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(8m x 16) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v | |
S29GL128S11DHIV20
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
520
|
Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(9x9) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (8M x 16) 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(9x9) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(8m x 16) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v | |
S29GL128S90DHI010
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
|
Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(9x9) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (8M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(9x9) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(8m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S29GL128S10DHB020
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
520
|
Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(9x9) | 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb(8M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:60ns 访问时间:100 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(9x9) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(8m x 16) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
AS7C31026B-10JCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
|
Alliance Memory, Inc. | 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C31026B-12JCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
|
Alliance Memory, Inc. | 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C31026B-15JCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
|
Alliance Memory, Inc. | 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C31026B-20JCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
Alliance Memory, Inc. | 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C1026B-10TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
AS7C1026B-12TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
|
Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
AS7C1026B-15TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
|
Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
AS7C1026B-20TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
AS7C31026B-10TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C31026B-12TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C31026B-15TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C31026B-20TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C3513B-12TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 512K PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:512Kb (32K x 16) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:512k(32k x 16) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C3513B-15TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 512K PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:512Kb (32K x 16) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:512k(32k x 16) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C3513B-20TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 512K PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:512Kb (32K x 16) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:512k(32k x 16) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |