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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
S29GL128S11FHIV20
托盘
360
10+: 1.2023 100+: 1.1809 1000+: 1.1701 3000+: 1.1379
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (8M x 16) 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(8m x 16) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v
24FC01T-E/OT
圆盘卷带
3000
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Microchip Technology SC-74A,SOT-753 SOT-23-5 描述:1KB I2C EEPROM 1MHZ 1.7-5.5V 5-S *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb (128 x 8) 存储器接口:450ns 时钟频率:I²C 写周期时间 - 字,页:1MHz 访问时间:5ms *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 供应商器件封装:SOT-23-5 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
S29GL128S90FAI010
托盘
180
10+: 16.0858 100+: 15.7985 1000+: 15.6549 3000+: 15.2240
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (8M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(8m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S29GL128S90FHI010
托盘
360
10+: 1.0884 100+: 1.0690 1000+: 1.0593 3000+: 1.0301
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (8M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(8m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S29GL128S10DHI010
托盘
260
10+: 15.5163 100+: 15.2392 1000+: 15.1006 3000+: 14.6850
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(9x9) 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (8M x 16) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(9x9) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(8m x 16) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S29GL128S10DHIV10
托盘
260
10+: 19.0473 100+: 18.7072 1000+: 18.5371 3000+: 18.0269
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(9x9) 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (8M x 16) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(9x9) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(8m x 16) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v
S29GL128S11DHIV10
托盘
260
10+: 1.2023 100+: 1.1809 1000+: 1.1701 3000+: 1.1379
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(9x9) 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (8M x 16) 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(9x9) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(8m x 16) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v
S29GL128S11DHIV20
托盘
520
10+: 1.0631 100+: 1.0441 1000+: 1.0346 3000+: 1.0062
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(9x9) 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (8M x 16) 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(9x9) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(8m x 16) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v
S29GL128S90DHI010
托盘
10+: 22.4644 100+: 22.0633 1000+: 21.8627 3000+: 21.2610
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(9x9) 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (8M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(9x9) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(8m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S29GL128S10DHB020
托盘
520
10+: 18.0095 100+: 17.6879 1000+: 17.5271 3000+: 17.0447
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(9x9) 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb(8M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:60ns 访问时间:100 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(9x9) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(8m x 16) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
AS7C31026B-10JCNTR
标准卷带
10+: 19.6421 100+: 19.2914 1000+: 19.1160 3000+: 18.5899
我要买
Alliance Memory, Inc. 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 44-SOJ 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
AS7C31026B-12JCNTR
标准卷带
10+: 19.6421 100+: 19.2914 1000+: 19.1160 3000+: 18.5899
我要买
Alliance Memory, Inc. 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 44-SOJ 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
AS7C31026B-15JCNTR
标准卷带
10+: 19.6421 100+: 19.2914 1000+: 19.1160 3000+: 18.5899
我要买
Alliance Memory, Inc. 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 44-SOJ 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
AS7C31026B-20JCNTR
标准卷带
1000
10+: 15.4530 100+: 15.1770 1000+: 15.0391 3000+: 14.6251
我要买
Alliance Memory, Inc. 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 44-SOJ 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
AS7C1026B-10TCNTR
标准卷带
1000
10+: 12.3776 100+: 12.1565 1000+: 12.0460 3000+: 11.7145
我要买
Alliance Memory, Inc. 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 44-TSOP2 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
AS7C1026B-12TCNTR
标准卷带
10+: 19.6421 100+: 19.2914 1000+: 19.1160 3000+: 18.5899
我要买
Alliance Memory, Inc. 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 44-TSOP2 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
AS7C1026B-15TCNTR
标准卷带
10+: 19.6421 100+: 19.2914 1000+: 19.1160 3000+: 18.5899
我要买
Alliance Memory, Inc. 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 44-TSOP2 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
AS7C1026B-20TCNTR
标准卷带
1000
10+: 14.5164 100+: 14.2572 1000+: 14.1276 3000+: 13.7388
我要买
Alliance Memory, Inc. 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 44-TSOP2 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
AS7C31026B-10TCNTR
标准卷带
1000
10+: 12.3776 100+: 12.1565 1000+: 12.0460 3000+: 11.7145
我要买
Alliance Memory, Inc. 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 44-TSOP2 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
AS7C31026B-12TCNTR
标准卷带
1000
10+: 12.3776 100+: 12.1565 1000+: 12.0460 3000+: 11.7145
我要买
Alliance Memory, Inc. 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 44-TSOP2 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
AS7C31026B-15TCNTR
标准卷带
1000
10+: 12.3776 100+: 12.1565 1000+: 12.0460 3000+: 11.7145
我要买
Alliance Memory, Inc. 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 44-TSOP2 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
AS7C31026B-20TCNTR
标准卷带
1000
10+: 14.5164 100+: 14.2572 1000+: 14.1276 3000+: 13.7388
我要买
Alliance Memory, Inc. 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 44-TSOP2 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
AS7C3513B-12TCNTR
标准卷带
1000
10+: 14.5164 100+: 14.2572 1000+: 14.1276 3000+: 13.7388
我要买
Alliance Memory, Inc. 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 44-TSOP2 描述:IC SRAM 512K PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:512Kb (32K x 16) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:512k(32k x 16) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
AS7C3513B-15TCNTR
标准卷带
1000
10+: 14.5164 100+: 14.2572 1000+: 14.1276 3000+: 13.7388
我要买
Alliance Memory, Inc. 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 44-TSOP2 描述:IC SRAM 512K PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:512Kb (32K x 16) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:512k(32k x 16) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
AS7C3513B-20TCNTR
标准卷带
1000
10+: 14.5164 100+: 14.2572 1000+: 14.1276 3000+: 13.7388
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Alliance Memory, Inc. 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 44-TSOP2 描述:IC SRAM 512K PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:512Kb (32K x 16) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:512k(32k x 16) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
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