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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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AS6C2008-55SIN
Datasheet 规格书
ROHS
管件
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Alliance Memory, Inc. | 32-SOIC(0.455",11.30mm 宽) | 32-SOP | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 32SOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (256K x 8) 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-SOIC(0.455",11.30mm 宽) 供应商器件封装:32-SOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(256k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
AS6C2008A-55SIN
Datasheet 规格书
ROHS
管件
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Alliance Memory, Inc. | 32-SOIC(0.455",11.30mm 宽) | 32-SOP | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 32SOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (256K x 8) 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-SOIC(0.455",11.30mm 宽) 供应商器件封装:32-SOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(256k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v | |
AS6C2008A-55TIN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
156
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Alliance Memory, Inc. | 32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 32-TSOP I | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 32TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (256K x 8) 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:32-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(256k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v | |
AS6C2008A-55STIN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Alliance Memory, Inc. | 32-LFSOP(0.465",11.80mm 宽) | 32-sTSOP | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (256K x 8) 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-LFSOP(0.465",11.80mm 宽) 供应商器件封装:32-sTSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(256k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v | |
AS6C2008-55TIN
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ROHS
托盘
156
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Alliance Memory, Inc. | 32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 32-TSOP I | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 32TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (256K x 8) 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:32-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(256k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S34ML01G100TFI503
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ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 48-TSOP I | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:25ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 封装/外壳:48-TSOP I 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
S25FL127SABBHID00
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ROHS
托盘
338
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA(6x8) | 描述:NO WARRANTY *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:108MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
MB85RS128TYPNF-G-BCERE1
Datasheet 规格书
ROHS
1500
|
8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) | 8-SOP | 描述:128KBIT FRAM SPI 1.8-3.6V 125C *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM(铁电体 RAM) *存储容量:128Kb (16K x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字,页:33MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.8V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | ||
S25FL127SABBHIC00
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ROHS
托盘
338
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA(8x6) | 描述:IC FLASH 128M SPI 108MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:108MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
AS7C31025C-10TINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 32-SOIC(0.400",10.16MM 宽) | 32-TSOP | 描述:IC SRAM 1M 128X8 3.3K 32TSOP *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:32-SOIC(0.400",10.16MM 宽) 供应商器件封装:32-TSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(128k x 8) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C1026C-15JINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
AS7C31026C-12JINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C1026C-15TINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
AS7C31026C-12TINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1500
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C31026C-10BINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 48-LFBGA | 48-BGA(7x7) | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 48BGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-BGA(7x7) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C31025C-12TINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-SOIC(0.400",10.16mm 宽) | 32-TSOP II | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (128K x 8) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-SOIC(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:32-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(128k x 8) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS7C31025C-12TJINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 32-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (128K x 8) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(128k x 8) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
FM25L16B-DG
Datasheet 规格书
ROHS
管件
405
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Cypress Semiconductor Corp | 8-VDFN 裸露焊盘 | 8-TDFN(4x4.5) | 描述:IC FRAM 16K SPI 20MHZ 8TDFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM(铁电体 RAM) *存储容量:16Kb (2K x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字,页:20MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-TDFN(4x4.5) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:fram(ferroelectric ram) 存储容量:16k(2k x 8) 速度:20mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S29GL128S10FHI010
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
180
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (8M x 16) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(8m x 16) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S29GL128S10FAIV10
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
1800
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (8M x 16) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(8m x 16) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v | |
S29GL128S10FAIV20
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
1800
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (8M x 16) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(8m x 16) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v | |
S29GL128S10FHI020
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
900
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (8M x 16) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(8m x 16) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S29GL128S10FHIV10
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
180
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (8M x 16) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(8m x 16) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v | |
S29GL128S10FHIV20
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
360
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb(8M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:60ns 访问时间:100 ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(8m x 16) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v | |
S29GL128S11FHIV10
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
180
|
Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (8M x 16) 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(8m x 16) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v |