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辰科物联
https://www.chenkeiot.com/
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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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AS7C31025B-12JIN
Datasheet 规格书
ROHS
管件
21
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Alliance Memory, Inc. | 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS7C1026B-15JIN
Datasheet 规格书
ROHS
管件
16
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Alliance Memory, Inc. | 44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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AS7C31026B-12JIN
Datasheet 规格书
ROHS
管件
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Alliance Memory, Inc. | 44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS7C1025B-15JINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
500
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Alliance Memory, Inc. | 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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CY7C1019DV33-10ZSXIT
Datasheet 规格书
ROHS
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Cypress Semiconductor Corp | 32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽） | 32-TSOP II | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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NDS63PT9-16IT
Datasheet 规格书
ROHS
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86-TFSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 86-TSOP II | 描述:IC SDRAM 64MBIT 167MHZ 86TSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:64Mb （2M x 32） 存储器接口:- 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:86-TFSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:86-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
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AS4C16M16S-6TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 54-TSOP II | 描述:IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:5.4ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:54-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sdram 存储容量:256m（16m x 16） 速度:166mhz 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS6C2008-55BIN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
480
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Alliance Memory, Inc. | 36-TFBGA | 36-TFBGA（6x8） | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 36TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb （256K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:36-TFBGA 供应商器件封装:36-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m（256k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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AS6C2016-55BIN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
480
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Alliance Memory, Inc. | 48-TFBGA | 48-TFBGA（6x8） | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 48TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb （128K x 16） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFBGA 供应商器件封装:48-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m（128k x 16） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v |
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AS6C2008A-55BIN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
480
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Alliance Memory, Inc. | 36-TFBGA | 36-TFBGA（6x8） | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 36TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb （256K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:36-TFBGA 供应商器件封装:36-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m（256k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v |
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71024S20YG
Datasheet 规格书
ROHS
管件
23
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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AS4C8M16S-6TAN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Alliance Memory, Inc. | 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 54-TSOP II | 描述:IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 访问时间:2ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:54-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sdram 存储容量:128m（8m x 16） 速度:166mhz 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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CY62126ESL-45ZSXIT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.2V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 5.5 v |
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S25FL128SDPNFI001
Datasheet 规格书
ROHS
管件
410
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Cypress Semiconductor Corp | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（6x8） | 描述:IC FLASH 128M SPI 66MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:66MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（6x8） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:66mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL064P0XNFI003
Datasheet 规格书
ROHS
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Cypress Semiconductor Corp | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（6x8） | 描述:IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8） 存储器接口:5µs，3ms 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:5µs，3ms *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（6x8） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8） 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL128SAGBHV203
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2500
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA（8x6） | 描述:IC FLASH 128M SPI 133MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL128SAGBHV303
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2500
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA（6x8） | 描述:IC FLASH 128M SPI 133MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL128SAGBHVA03
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2500
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA（8x6） | 描述:IC FLASH 128M SPI 133MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL128SAGNFV003
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
25
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Cypress Semiconductor Corp | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（6x8） | 描述:IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（6x8） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL128SAGNFV013
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2500
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Cypress Semiconductor Corp | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（6x8） | 描述:IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（6x8） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL128SDPBHVC03
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2500
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA（8x6） | 描述:IC FLASH 128M SPI 66MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:66MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:66mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL128SDSBHV203
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2500
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA（8x6） | 描述:IC FLASH 128M SPI 80MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:80mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S29AL008J70YEI019G
Datasheet 规格书
ROHS
散装
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Cypress Semiconductor Corp | 模具 | 触片 | 描述:IC FLASH 8M PARALLEL WAFER *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:8Mb （1M x 8，512K x 16） 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:模具 供应商器件封装:触片 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:8m（1m x 8 或 512k x 16） 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S29GL128S10WEI019
Datasheet 规格书
ROHS
散装
25
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Cypress Semiconductor Corp | - | - | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL WAFER *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:-40°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（8m x 16） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S29GL128S10WEI029
Datasheet 规格书
ROHS
散装
25
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Cypress Semiconductor Corp | 模具 | 触片 | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL WAFER *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:模具 供应商器件封装:触片 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（8m x 16） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |