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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
|---|---|---|---|---|---|
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AS7C31024B-10TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 32-TSOP I | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:32-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS7C31024B-12TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 32-TSOP I | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:32-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS7C31024B-15TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 32-TSOP I | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:32-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS7C31024B-20TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 32-TSOP I | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:32-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS7C1026B-12JCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:12ns 访问时间:12ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 封装/外壳:44-SOJ 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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AS7C1026B-15JCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:15ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 封装/外壳:44-SOJ 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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AS7C1026B-20JCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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MX25U12835FZNI-08G
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Macronix | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（6x5） | 描述:IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:30µs，3ms 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:30µs，3ms *电压 - 电源:1.65V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（6x5） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:1.65 v ~ 2 v |
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MX25U12835FZNI-10G
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
570
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Macronix | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（6x5） | 描述:IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb（16M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:30µs，3ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.65V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（6x5） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:1.65 v ~ 2 v |
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MX25L12835FZ2I-10G
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
480
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Macronix | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（8x6） | 描述:IC FLSH 128MBIT SPI 104MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb（16M x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:30µs，1.5ms 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（8x6） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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MX25L12855FMI-10G
Datasheet 规格书
ROHS
管件
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Macronix | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOP | 描述:IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:30µs，3ms 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:30µs，3ms *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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71V256S10YG
Datasheet 规格书
ROHS
管件
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 28-BSOJ(0.300"，7.62mm 宽） | 28-SOJ | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-BSOJ(0.300"，7.62mm 宽） 供应商器件封装:28-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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71V256S12YG
Datasheet 规格书
ROHS
管件
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 28-BSOJ(0.300"，7.62mm 宽） | 28-SOJ | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-BSOJ(0.300"，7.62mm 宽） 供应商器件封装:28-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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S25FS128SAGMFI103
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2100
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Cypress Semiconductor Corp | 8-SOIC（5.30MM 宽） | 8-SOIC | 描述:IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SO *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O， QPI 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:1.7 v ~ 2 v |
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S25FS128SDSMFI1D3
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2100
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Cypress Semiconductor Corp | 8-SOIC（5.30MM 宽） | 8-SO | 描述:IC FLASH 128M SPI 80MHZ 8SO *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:8-SO 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:80mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:1.7 v ~ 2 v |
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S25FL127SABNFI103
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
4000
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Cypress Semiconductor Corp | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（6x5） | 描述:IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:108MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（6x5） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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CY7C1018DV33-10VXIT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Cypress Semiconductor Corp | 32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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S25FL128P0XMFI011
Datasheet 规格书
ROHS
管件
1
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 封装/外壳:16-SOIC 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
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S25FL127SABMFV001
Datasheet 规格书
ROHS
管件
47
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 128M SPI 108MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:108MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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AS4C2M32D1-5BCN
Datasheet 规格书
ROHS
散装
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Alliance Memory, Inc. | - | 144-BGA | 描述:IC DRAM 64M PARALLEL 144BGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:64Mb （2M x 32） 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:- 供应商器件封装:144-BGA 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr sdram 存储容量:64m（2m x 32） 速度:200mhz 接口:并联 电压 - 电源:2.3 v ~ 2.7 v |
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S25FL127SABMFV000
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
480
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb（16M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:108 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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CY7C1021DV33-10VXIT
Datasheet 规格书
ROHS
剪切带（CT）
500
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Cypress Semiconductor Corp | 44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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71024S12YGI
Datasheet 规格书
ROHS
管件
23
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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S25FL129P0XBHI200
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
338
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA（8x6） | 描述:IC FLASH 128M SPI 104MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:5µs，3ms 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:5µs，3ms *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL129P0XBHI210
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 24-BGA（8x6） | 描述:IC FLASH 128M SPI 104MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:5µs，3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:24-TBGA 封装/外壳:24-BGA（8x6） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |