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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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S29GL064N11FFIV20
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
180
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8，4M x 16） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8，4m x 16） 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v |
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S29GL064N90FAI020
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8，4M x 16） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:90ns 访问时间:90ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA（13x11） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8，4m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
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S29GL064N90FFIS10
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
180
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8，4M x 16） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8，4m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S29GL064N90FFIS30
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
136
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8，4M x 16） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8，4m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S29GL064N90FFIS40
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
136
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8，4M x 16） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8，4m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S29GL064N90TFVR20
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ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8，4M x 16） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:90ns 访问时间:90ns *电压 - 电源:-40°C ~ 105°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 封装/外壳:56-TSOP 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8，4m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
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S29AL016J55GTIR27G
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ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | - | - | 描述:IC FLASH 16M PARALLEL *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:16Mb （2M x 8，1M x 16） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:-40°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:16m（2m x 8 或 1m x 16） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS7C31024B-20TJCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS7C31025B-10TJCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:3V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:10ns 访问时间:10ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 封装/外壳:32-SOJ 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
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AS7C31025B-12TJCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:3V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:12ns 访问时间:12ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 封装/外壳:32-SOJ 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
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AS7C31025B-15TJCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:3V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:15ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 封装/外壳:32-SOJ 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
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AS7C31025B-20TJCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS7C1024B-12JCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:12ns 访问时间:12ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 封装/外壳:32-SOJ 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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AS7C1024B-15JCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:15ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 封装/外壳:32-SOJ 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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AS7C1024B-20JCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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AS7C31024B-12JCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:3V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:12ns 访问时间:12ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 封装/外壳:32-SOJ 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
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AS7C31024B-15JCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:3V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:15ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 封装/外壳:32-SOJ 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
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AS7C31024B-20JCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS7C31025B-10JCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:3V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:10ns 访问时间:10ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 封装/外壳:32-SOJ 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
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AS7C31025B-12JCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:3V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:12ns 访问时间:12ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 封装/外壳:32-SOJ 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
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AS7C31025B-15JCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:3V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:15ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 封装/外壳:32-SOJ 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
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AS7C31025B-20JCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS7C1024B-12TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 32-TSOP I（8x18.4） | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:32-TSOP I（8x18.4） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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AS7C1024B-15TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 32-TSOP | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:32-TSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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AS7C1024B-20TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 32-TSOP I | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:32-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |