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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字，页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
MX25L6408EMI-12G
管件
10+: ￥14.8581 100+: ￥14.5928 1000+: ￥14.4602 3000+: ￥14.0622
我要买
Macronix 16-SOIC（7.50MM 宽） 16-SOP 描述:IC FLASH 64M SPI 86MHZ 16SOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8） 存储器接口:50µs，3ms 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字，页:86MHz 访问时间:50µs，3ms *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8） 速度:86mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S29GL064N90DFI010
托盘
10+: ￥14.9088 100+: ￥14.6425 1000+: ￥14.5094 3000+: ￥14.1101
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA（9x9） 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8，4M x 16） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（9x9） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8，4m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S29GL064N90DFI020
托盘
10+: ￥14.9088 100+: ￥14.6425 1000+: ￥14.5094 3000+: ￥14.1101
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA（9x9） 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8，4M x 16） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（9x9） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8，4m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S29GL064N11DFIV10
托盘
10+: ￥14.9088 100+: ￥14.6425 1000+: ￥14.5094 3000+: ￥14.1101
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA（9x9） 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8，4M x 16） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（9x9） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8，4m x 16） 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v
S29GL064N11DFIV20
托盘
10+: ￥14.9088 100+: ￥14.6425 1000+: ￥14.5094 3000+: ￥14.1101
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA（9x9） 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8，4M x 16） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（9x9） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8，4m x 16） 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v
S29GL064N90DAI010
托盘
10+: ￥14.9088 100+: ￥14.6425 1000+: ￥14.5094 3000+: ￥14.1101
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-FBGA（9x9） 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8，4M x 16） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:90ns 访问时间:90ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA（9x9） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8，4m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S29GL064N90DAI020
托盘
260
10+: ￥7.8594 100+: ￥7.7190 1000+: ￥7.6489 3000+: ￥7.4383
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Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA（9x9） 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8，4M x 16） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（9x9） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8，4m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
71256SA20PZGI
管件
234
10+: ￥9.0870 100+: ￥8.9247 1000+: ￥8.8436 3000+: ￥8.6002
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IDT, Integrated Device Technology Inc 28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 28-TSOP 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 供应商器件封装:28-TSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
MX25L6435EZNI-10G
托盘
570
10+: ￥11.3524 100+: ￥11.1497 1000+: ￥11.0483 3000+: ￥10.7443
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Macronix 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON（6x5） 描述:IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8） 存储器接口:300µs，5ms 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:300µs，5ms *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（6x5） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8） 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
71256SA20YGI
管件
27
10+: ￥6.5685 100+: ￥6.4512 1000+: ￥6.3925 3000+: ￥6.2166
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 28-BSOJ(0.300"，7.62mm 宽） 28-SOJ 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-BSOJ(0.300"，7.62mm 宽） 供应商器件封装:28-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
CY62256VNLL-70ZXCT
标准卷带
10+: ￥15.1113 100+: ￥14.8414 1000+: ￥14.7065 3000+: ￥14.3017
我要买
Cypress Semiconductor Corp 28-TSOP I 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 封装/外壳:28-TSOP I 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
CY7C199D-10VXIT
卷带
1000
10+: ￥0.6961 100+: ￥0.6837 1000+: ￥0.6774 3000+: ￥0.6588
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Cypress Semiconductor Corp 28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 28-SOJ 描述:IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb（32K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:10ns 访问时间:10 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 供应商器件封装:28-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
71V124SA10YG8
标准卷带
1000
10+: ￥10.7829 100+: ￥10.5904 1000+: ￥10.4941 3000+: ￥10.2053
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 32-SOJ 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3.15V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3.15 v ~ 3.6 v
7164L20YG8
标准卷带
10+: ￥15.1113 100+: ￥14.8414 1000+: ￥14.7065 3000+: ￥14.3017
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 28-BSOJ(0.300"，7.62mm 宽） 28-SOJ 描述:IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:64Kb （8K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-BSOJ(0.300"，7.62mm 宽） 供应商器件封装:28-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:64k（8k x 8） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
71V124SA10TYG8
标准卷带
1000
10+: ￥10.7829 100+: ￥10.5904 1000+: ￥10.4941 3000+: ￥10.2053
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 32-SOJ 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3.15V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3.15 v ~ 3.6 v
71V124SA12TYG8
标准卷带
1000
10+: ￥10.7829 100+: ￥10.5904 1000+: ￥10.4941 3000+: ￥10.2053
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 32-SOJ 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
71V124SA15PHG8
标准卷带
1500
10+: ￥1.5314 100+: ￥1.5040 1000+: ￥1.4904 3000+: ￥1.4493
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽） 32-TSOP II 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
U62256AS2C07LLG1TR
标准卷带
1000
10+: ￥18.7309 100+: ￥18.3964 1000+: ￥18.2292 3000+: ￥17.7274
我要买
Alliance Memory, Inc. 28-SOIC（0.330"，8.38mm 宽） 28-SOP 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-SOIC（0.330"，8.38mm 宽） 供应商器件封装:28-SOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
AS6C1008-55SINTR
标准卷带
1000
10+: ￥9.5173 100+: ￥9.3474 1000+: ￥9.2624 3000+: ￥9.0075
我要买
Alliance Memory, Inc. 32-SOIC（0.455"，11.30mm 宽） 32-SOP 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-SOIC（0.455"，11.30mm 宽） 供应商器件封装:32-SOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v
MT46V32M16TG-5B IT:J
托盘
1000
10+: ￥13.2635 100+: ￥13.0266 1000+: ￥12.9082 3000+: ￥12.5529
我要买
Alliance Memory, Inc. 66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽） 66-TSOP 描述:IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:512Mb （32M x 16） 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.5V ~ 2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:66-TSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr sdram 存储容量:512m（32m x 16） 速度:5ns 接口:并联 电压 - 电源:2.5 v ~ 2.7 v
S29GL064N11FFIV10
托盘
180
10+: ￥21.6418 100+: ￥21.2553 1000+: ￥21.0621 3000+: ￥20.4824
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA（13x11） 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8，4M x 16） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8，4m x 16） 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v
S29GL064N11FFIS10
托盘
180
10+: ￥8.2644 100+: ￥8.1168 1000+: ￥8.0430 3000+: ￥7.8216
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA（13x11） 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8，4M x 16） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8，4m x 16） 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v
S29GL064N11FFIS20
托盘
10+: ￥15.1366 100+: ￥14.8663 1000+: ￥14.7311 3000+: ￥14.3257
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA（13x11） 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8，4M x 16） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8，4m x 16） 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v
S29GL064N11FFIS30
托盘
10+: ￥15.1366 100+: ￥14.8663 1000+: ￥14.7311 3000+: ￥14.3257
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Cypress Semiconductor Corp 64-FBGA（13x11） 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8，4M x 16） 存储器接口:1.65V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:110ns 访问时间:110ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA（13x11） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8，4m x 16） 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v
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Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA（13x11） 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8，4M x 16） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8，4m x 16） 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v
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