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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
71V124SA12YGI8
标准卷带
1000
10+: 11.3777 100+: 11.1746 1000+: 11.0730 3000+: 10.7682
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 32-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 32-SOJ 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (128K x 8) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(128k x 8) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
U62256AS2K07LLG1TR
标准卷带
1000
10+: 18.7309 100+: 18.3964 1000+: 18.2292 3000+: 17.7274
我要买
Alliance Memory, Inc. 28-SOIC(0.330",8.38mm 宽) 28-SOP 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-SOIC(0.330",8.38mm 宽) 供应商器件封装:28-SOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
AS6C1008-55STINTR
标准卷带
10+: 15.8580 100+: 15.5748 1000+: 15.4332 3000+: 15.0084
我要买
Alliance Memory, Inc. 32-LFSOP(0.465",11.80mm 宽) 32-sTSOP 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (128K x 8) 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-LFSOP(0.465",11.80mm 宽) 供应商器件封装:32-sTSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(128k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v
AS6C1008-55TINTR
标准卷带
1500
10+: 1.4175 100+: 1.3922 1000+: 1.3795 3000+: 1.3415
我要买
Alliance Memory, Inc. 32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 32-TSOP I 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (128K x 8) 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:32-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(128k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v
71V016SA12YG8
标准卷带
500
10+: 11.2638 100+: 11.0627 1000+: 10.9621 3000+: 10.6604
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 44-SOJ 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
71V016SA15YG8
标准卷带
500
10+: 11.2638 100+: 11.0627 1000+: 10.9621 3000+: 10.6604
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 44-SOJ 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
71V016SA20YG8
标准卷带
500
10+: 11.2638 100+: 11.0627 1000+: 10.9621 3000+: 10.6604
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 44-SOJ 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
AS6C6264-55SINTR
标准卷带
1000
10+: 9.9982 100+: 9.8197 1000+: 9.7304 3000+: 9.4626
我要买
Alliance Memory, Inc. 28-SOIC(0.330",8.38mm 宽) 28-SOP 描述:IC SRAM 64K PARALLEL 28SOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:64Kb (8K x 8) 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-SOIC(0.330",8.38mm 宽) 供应商器件封装:28-SOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:64k(8k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v
AS7C256A-10JINTR
标准卷带
1000
10+: 9.5173 100+: 9.3474 1000+: 9.2624 3000+: 9.0075
我要买
Alliance Memory, Inc. 28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 28-SOJ 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 供应商器件封装:28-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
AS7C256A-12JINTR
标准卷带
1000
10+: 9.5173 100+: 9.3474 1000+: 9.2624 3000+: 9.0075
我要买
Alliance Memory, Inc. 28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 28-SOJ 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 供应商器件封装:28-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
AS7C256A-15JINTR
标准卷带
10+: 15.2378 100+: 14.9657 1000+: 14.8297 3000+: 14.4215
我要买
Alliance Memory, Inc. 28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 28-SOJ 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 供应商器件封装:28-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
AS7C256A-20JINTR
标准卷带
1000
10+: 10.4665 100+: 10.2796 1000+: 10.1862 3000+: 9.9058
我要买
Alliance Memory, Inc. 28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 28-SOJ 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 供应商器件封装:28-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
AS6C62256-55STCNTR
标准卷带
1500
10+: 1.3542 100+: 1.3300 1000+: 1.3179 3000+: 1.2816
我要买
Alliance Memory, Inc. 28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 28-sTSOP 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28STSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 供应商器件封装:28-sTSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v
AS6C62256-55STINTR
标准卷带
10+: 15.2378 100+: 14.9657 1000+: 14.8297 3000+: 14.4215
我要买
Alliance Memory, Inc. 28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 28-sTSOP 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28STSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 供应商器件封装:28-sTSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v
AS6C6264-55STCNTR
标准卷带
1500
10+: 1.4175 100+: 1.3922 1000+: 1.3795 3000+: 1.3415
我要买
Alliance Memory, Inc. 28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 28-sTSOP 描述:IC SRAM 64K PARALLEL 28STSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:64Kb (8K x 8) 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 供应商器件封装:28-sTSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:64k(8k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v
AS7C256A-10TINTR
标准卷带
1000
10+: 9.5173 100+: 9.3474 1000+: 9.2624 3000+: 9.0075
我要买
Alliance Memory, Inc. 28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 28-TSOP I 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 供应商器件封装:28-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
AS7C256A-12TINTR
标准卷带
10+: 15.2378 100+: 14.9657 1000+: 14.8297 3000+: 14.4215
我要买
Alliance Memory, Inc. 28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 28-TSOP I 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 供应商器件封装:28-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
AS7C256A-15TINTR
标准卷带
1000
10+: 9.5173 100+: 9.3474 1000+: 9.2624 3000+: 9.0075
我要买
Alliance Memory, Inc. 28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 28-TSOP I 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 供应商器件封装:28-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
AS7C256A-20TINTR
标准卷带
1000
10+: 10.4665 100+: 10.2796 1000+: 10.1862 3000+: 9.9058
我要买
Alliance Memory, Inc. 28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 28-TSOP I 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 供应商器件封装:28-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
AS4C8M16D1A-5TCNTR
标准卷带
10+: 15.2378 100+: 14.9657 1000+: 14.8297 3000+: 14.4215
我要买
Alliance Memory, Inc. 66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽) 66-TSOP II 描述:IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:128Mb (8M x 16) 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:66-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr sdram 存储容量:128m(8m x 16) 速度:200mhz 接口:并联 电压 - 电源:2.3 v ~ 2.7 v
S29GL064N11FFIS32
标准卷带
500
10+: 9.6312 100+: 9.4592 1000+: 9.3732 3000+: 9.1153
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8,4M x 16) 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8,4m x 16) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v
S29GL064N11FFIS42
标准卷带
500
10+: 9.6312 100+: 9.4592 1000+: 9.3732 3000+: 9.1153
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8,4M x 16) 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8,4m x 16) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v
S29GL064N90DAI022
标准卷带
500
10+: 9.6312 100+: 9.4592 1000+: 9.3732 3000+: 9.1153
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(9x9) 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8,4M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(9x9) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8,4m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S29GL064N90FFIS32
标准卷带
500
10+: 9.6312 100+: 9.4592 1000+: 9.3732 3000+: 9.1153
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8,4M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8,4m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S29GL064N90FFIS42
标准卷带
10+: 15.2505 100+: 14.9782 1000+: 14.8420 3000+: 14.4335
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Cypress Semiconductor Corp 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8,4M x 16) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:90ns 访问时间:90ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA(13x11) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8,4m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
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