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辰科物联
https://www.chenkeiot.com/
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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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MT47H128M16PK-25E IT:CTR
Datasheet 规格书
ROHS
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Alliance Memory, Inc. | 84-TFBGA | 84-FBGA（9x12.5） | 描述:IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:2Gb （128M x 16） 存储器接口:400ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:400MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:84-TFBGA 供应商器件封装:84-FBGA（9x12.5） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr2 sdram 存储容量:2g（128m x 16） 速度:2.5ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.9 v |
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AS6C62256A-70SIN
Datasheet 规格书
ROHS
管件
25
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Alliance Memory, Inc. | 28-SOIC（0.330"，8.38mm 宽） | 28-SOP | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-SOIC（0.330"，8.38mm 宽） 供应商器件封装:28-SOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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AS7C3256A-12JIN
Datasheet 规格书
ROHS
管件
25
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Alliance Memory, Inc. | 28-BSOJ(0.300"，7.62mm 宽） | 28-SOJ | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-BSOJ(0.300"，7.62mm 宽） 供应商器件封装:28-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS7C3256A-15JIN
Datasheet 规格书
ROHS
管件
25
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Alliance Memory, Inc. | 28-BSOJ(0.300"，7.62mm 宽） | 28-SOJ | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-BSOJ(0.300"，7.62mm 宽） 供应商器件封装:28-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS7C3256A-20JIN
Datasheet 规格书
ROHS
管件
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Alliance Memory, Inc. | 28-BSOJ(0.300"，7.62mm 宽） | 28-SOJ | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-BSOJ(0.300"，7.62mm 宽） 供应商器件封装:28-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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MX29LV160DTXEI-70G
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
480
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Macronix | 48-LFBGA，CSPBGA | 48-LFBGA，CSP（6x8） | 描述:IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48LFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:16Mb（2M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA，CSPBGA 供应商器件封装:48-LFBGA，CSP（6x8） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:16m（2m x 8） 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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AS7C3256A-12TIN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
234
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Alliance Memory, Inc. | 28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） | 28-TSOP I | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 供应商器件封装:28-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS7C3256A-15TIN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
234
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Alliance Memory, Inc. | 28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） | 28-TSOP I | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 供应商器件封装:28-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS7C3256A-20TIN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
234
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Alliance Memory, Inc. | 28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） | 28-TSOP I | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 供应商器件封装:28-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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71V124SA15YG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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MX29GL640EHT2I-70G
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
96
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Macronix | 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8） 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8） 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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MX29GL640EHT2I-90G
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Macronix | 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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MX29GL640ELT2I-90G
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
96
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Macronix | 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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MX25L6406EXCI-12G
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Macronix | 24-TBGA，CSPBGA | 24-CSPBGA（6x8） | 描述:IC FLASH 64M SPI 86MHZ 24CSPBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8） 存储器接口:300µs，5ms 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字，页:86MHz 访问时间:300µs，5ms *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA，CSPBGA 供应商器件封装:24-CSPBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8） 速度:86mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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CY7C199CNL-15VXIT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 28-BSOJ(0.300"，7.62mm 宽） | 28-SOJ | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-BSOJ(0.300"，7.62mm 宽） 供应商器件封装:28-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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S29GL064S80TFIV20
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
182
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8，4M x 16） 存储器接口:80ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（4m x 16） 速度:80ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v |
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S29GL064S80TFIV10
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
91
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8，4M x 16） 存储器接口:80ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（4m x 16） 速度:80ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v |
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CY62256NLL-70ZRXIT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 28-TSOP I | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 封装/外壳:28-TSOP I 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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CY62256VNLL-70ZRXIT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 28-TSOP I | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 封装/外壳:28-TSOP I 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
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71V124SA15YGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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71V124SA10PHGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1500
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽） | 32-TSOP II | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3.15V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3.15 v ~ 3.6 v |
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71V124SA12PHGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽） | 32-TSOP II | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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71V124SA12TYGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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71V124SA15PHGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽） | 32-TSOP II | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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71V124SA15TYGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |