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辰科物联
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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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AS6C6264A-70SINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 28-SOIC（0.330"，8.38mm 宽） | 28-SOP | 描述:IC SRAM 64K PARALLEL 28SOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:64Kb （8K x 8） 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-SOIC（0.330"，8.38mm 宽） 供应商器件封装:28-SOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:64k（8k x 8） 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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U6264BS2C07LLG1TR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 28-SOIC（0.330"，8.38mm 宽） | 28-SOP | 描述:IC SRAM 64K PARALLEL 28SOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:64Kb （8K x 8） 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-SOIC（0.330"，8.38mm 宽） 供应商器件封装:28-SOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:64k（8k x 8） 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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AS7C1024B-12TJCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:12ns 访问时间:12ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 封装/外壳:32-SOJ 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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AS7C1024B-15TJCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-TSOP | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:15ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 封装/外壳:32-TSOP 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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AS7C1024B-20TJCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 32-TSOP I | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:32-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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AS7C1025B-10TJCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:10ns 访问时间:10ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 封装/外壳:32-SOJ 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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AS7C1025B-12TJCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:12ns 访问时间:12ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 封装/外壳:32-SOJ 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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AS7C1025B-15TJCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:15ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 封装/外壳:32-SOJ 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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AS7C31024B-10TJCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:3V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:10ns 访问时间:10ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 封装/外壳:32-SOJ 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
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AS7C31024B-12TJCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:3V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:12ns 访问时间:12ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 封装/外壳:32-SOJ 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
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AS7C31024B-15TJCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:3V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:15ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 封装/外壳:32-SOJ 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
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CY62128EV30LL-45ZAXIT
Datasheet 规格书
ROHS
1500
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Cypress Semiconductor Corp | 32-TFSOP（0.465"，11.80mm 宽） | 32-sTSOP | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-TFSOP（0.465"，11.80mm 宽） 供应商器件封装:32-sTSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 3.6 v |
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71V016SA20PHGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1500
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS6C62256-55SINTR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 28-SOIC（0.330"，8.38mm 宽） | 28-SOP | 描述:IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb（32K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-SOIC（0.330"，8.38mm 宽） 供应商器件封装:28-SOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v |
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AS6C62256A-70SINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 28-SOIC（0.330"，8.38mm 宽） | 28-SOP | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-SOIC（0.330"，8.38mm 宽） 供应商器件封装:28-SOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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AS6C6264-55SCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 28-SOIC（0.330"，8.38mm 宽） | 28-SOP | 描述:IC SRAM 64K PARALLEL 28SOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:64Kb （8K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-SOIC（0.330"，8.38mm 宽） 供应商器件封装:28-SOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:64k（8k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v |
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AS7C3256A-10JINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 28-BSOJ(0.300"，7.62mm 宽） | 28-SOJ | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-BSOJ(0.300"，7.62mm 宽） 供应商器件封装:28-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS7C3256A-12JINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 28-BSOJ(0.300"，7.62mm 宽） | 28-SOJ | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-BSOJ(0.300"，7.62mm 宽） 供应商器件封装:28-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS7C3256A-15JINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 28-BSOJ(0.300"，7.62mm 宽） | 28-SOJ | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-BSOJ(0.300"，7.62mm 宽） 供应商器件封装:28-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS7C3256A-20JINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 28-BSOJ(0.300"，7.62mm 宽） | 28-SOJ | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-BSOJ(0.300"，7.62mm 宽） 供应商器件封装:28-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS7C3256A-10TINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） | 28-TSOP I | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 供应商器件封装:28-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS7C3256A-12TINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） | 28-TSOP I | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 供应商器件封装:28-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS7C3256A-15TINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） | 28-TSOP I | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 供应商器件封装:28-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS7C3256A-20TINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） | 28-TSOP I | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 供应商器件封装:28-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS4C4M16S-6TANTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 54-TSOP II | 描述:IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:64Mb （4M x 16） 存储器接口:5.4ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 访问时间:2ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:54-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sdram 存储容量:64m（4m x 16） 速度:166mhz 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |