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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
S34ML01G200BHI003
标准卷带
10+: 19.0093 100+: 18.6699 1000+: 18.5001 3000+: 17.9910
我要买
Cypress Semiconductor Corp 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S34ML01G200BHI503
标准卷带
10+: 19.0093 100+: 18.6699 1000+: 18.5001 3000+: 17.9910
我要买
Cypress Semiconductor Corp 63-BGA(11x9) 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:25ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:63-VFBGA 封装/外壳:63-BGA(11x9) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S34ML01G200BHI903
标准卷带
10+: 19.0093 100+: 18.6699 1000+: 18.5001 3000+: 17.9910
我要买
Cypress Semiconductor Corp 63-BGA(11x9) 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:25ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:63-VFBGA 封装/外壳:63-BGA(11x9) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S34MS01G200BHI003
标准卷带
10+: 19.0093 100+: 18.6699 1000+: 18.5001 3000+: 17.9910
我要买
Cypress Semiconductor Corp 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v
S34MS01G200BHI903
标准卷带
10+: 19.0093 100+: 18.6699 1000+: 18.5001 3000+: 17.9910
我要买
Cypress Semiconductor Corp 63-BGA(11x9) 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:1.7V ~ 1.95V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:45ns 访问时间:45ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:63-VFBGA 封装/外壳:63-BGA(11x9) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v
S34ML01G200BHA003
标准卷带
10+: 19.0093 100+: 18.6699 1000+: 18.5001 3000+: 17.9910
我要买
Cypress Semiconductor Corp 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S34MS01G204BHI013
标准卷带
10+: 19.0093 100+: 18.6699 1000+: 18.5001 3000+: 17.9910
我要买
Cypress Semiconductor Corp 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(64m x 16) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v
S34ML01G200TFI003
标准卷带
10+: 19.0346 100+: 18.6947 1000+: 18.5248 3000+: 18.0149
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Cypress Semiconductor Corp 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S34ML01G200TFI503
标准卷带
10+: 19.0346 100+: 18.6947 1000+: 18.5248 3000+: 18.0149
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Cypress Semiconductor Corp 48-TSOP I 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:25ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 封装/外壳:48-TSOP I 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S34ML01G200TFI903
标准卷带
10+: 19.0346 100+: 18.6947 1000+: 18.5248 3000+: 18.0149
我要买
Cypress Semiconductor Corp 48-TSOP I 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:25ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 封装/外壳:48-TSOP I 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S34MS01G200TFI903
标准卷带
10+: 19.0346 100+: 18.6947 1000+: 18.5248 3000+: 18.0149
我要买
Cypress Semiconductor Corp 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v
S25FS128SAGNFI103
标准卷带
4000
10+: 0.7594 100+: 0.7458 1000+: 0.7390 3000+: 0.7187
我要买
Cypress Semiconductor Corp 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON(5x6) 描述:IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(5x6) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:1.7 v ~ 2 v
S25FS128SDSNFI103
标准卷带
4000
10+: 1.9237 100+: 1.8894 1000+: 1.8722 3000+: 1.8207
我要买
Cypress Semiconductor Corp 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON(6x5) 描述:IC FLASH 128M SPI 80MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x5) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:80mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:1.7 v ~ 2 v
MX25L6455EXCI-10G
托盘
10+: 19.5282 100+: 19.1795 1000+: 19.0051 3000+: 18.4821
我要买
Macronix 24-TBGA,CSPBGA 24-CSPBGA(6x8) 描述:IC FLASH 64M SPI 104MHZ 24TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8) 存储器接口:300µs,5ms 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字,页:104MHz 访问时间:300µs,5ms *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA,CSPBGA 供应商器件封装:24-CSPBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8) 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL127SABBHIS00
托盘
338
10+: 10.2893 100+: 10.1056 1000+: 10.0137 3000+: 9.7381
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Cypress Semiconductor Corp 24-TBGA 24-BGA(8x6) 描述:IC FLASH 128M SPI 108MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:108MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL127SABBHVC00
托盘
338
10+: 10.6564 100+: 10.4661 1000+: 10.3709 3000+: 10.0855
我要买
Cypress Semiconductor Corp 24-TBGA 24-BGA(8x6) 描述:IC FLASH 128M SPI 108MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:108MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
CY62256VLL-70ZXC
托盘
234
10+: 0.6201 100+: 0.6091 1000+: 0.6035 3000+: 0.5869
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Cypress Semiconductor Corp 28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 28-TSOP I 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 供应商器件封装:28-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
71024S12TYGI
管件
10+: 19.5409 100+: 19.1919 1000+: 19.0174 3000+: 18.4940
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 32-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 32-SOJ 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (128K x 8) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(128k x 8) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
71024S20TYGI
管件
23
10+: 12.2637 100+: 12.0447 1000+: 11.9352 3000+: 11.6067
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 32-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 32-SOJ 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (128K x 8) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(128k x 8) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
S25FL127SABNFV100
托盘
980
10+: 0.7720 100+: 0.7582 1000+: 0.7513 3000+: 0.7307
我要买
Cypress Semiconductor Corp 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON(6x8) 描述:IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:108MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x8) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL127SABMFV101
管件
91
10+: 11.0487 100+: 10.8514 1000+: 10.7527 3000+: 10.4568
我要买
Cypress Semiconductor Corp 8-SOIC(5.30MM 宽) 8-SOIC 描述:IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb(16M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:108 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(5.30MM 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL127SABNFV101
管件
10+: 19.5409 100+: 19.1919 1000+: 19.0174 3000+: 18.4940
我要买
Cypress Semiconductor Corp 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON(6x8) 描述:IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:108MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x8) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL127SABMFV100
托盘
280
10+: 10.6564 100+: 10.4661 1000+: 10.3709 3000+: 10.0855
我要买
Cypress Semiconductor Corp 8-SOIC(5.30MM 宽) 8-SOIC 描述:IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8SO *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:108MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(5.30MM 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
CY62256NLL-70SNXCT
1000
10+: 4.0373 100+: 3.9652 1000+: 3.9291 3000+: 3.8210
我要买
Cypress Semiconductor Corp 28-SOIC(7.50MM 宽) 28-SOIC 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:28-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
AS6C6264A-70SCNTR
标准卷带
10+: 19.6421 100+: 19.2914 1000+: 19.1160 3000+: 18.5899
我要买
Alliance Memory, Inc. 28-SOIC(0.330",8.38mm 宽) 28-SOP 描述:IC SRAM 64K PARALLEL 28SOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:64Kb (8K x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-SOIC(0.330",8.38mm 宽) 供应商器件封装:28-SOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:64k(8k x 8) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
  共有55516个记录    每页显示25条,本页951-975条    39/2221页    首 页    上一页   35  36  37  38  39  40  41  42  43   下一页    尾 页      
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