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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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S34ML01G200BHI003
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标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |||
S34ML01G200BHI503
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Cypress Semiconductor Corp | 63-BGA(11x9) | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:25ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:63-VFBGA 封装/外壳:63-BGA(11x9) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
S34ML01G200BHI903
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Cypress Semiconductor Corp | 63-BGA(11x9) | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:25ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:63-VFBGA 封装/外壳:63-BGA(11x9) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
S34MS01G200BHI003
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v | |||
S34MS01G200BHI903
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Cypress Semiconductor Corp | 63-BGA(11x9) | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:1.7V ~ 1.95V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:45ns 访问时间:45ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:63-VFBGA 封装/外壳:63-BGA(11x9) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v | ||
S34ML01G200BHA003
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |||
S34MS01G204BHI013
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(64m x 16) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v | |||
S34ML01G200TFI003
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |||
S34ML01G200TFI503
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Cypress Semiconductor Corp | 48-TSOP I | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:25ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 封装/外壳:48-TSOP I 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
S34ML01G200TFI903
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标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 48-TSOP I | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:25ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 封装/外壳:48-TSOP I 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
S34MS01G200TFI903
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标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v | |||
S25FS128SAGNFI103
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4000
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Cypress Semiconductor Corp | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(5x6) | 描述:IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(5x6) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:1.7 v ~ 2 v | |
S25FS128SDSNFI103
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4000
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Cypress Semiconductor Corp | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(6x5) | 描述:IC FLASH 128M SPI 80MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x5) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:80mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:1.7 v ~ 2 v | |
MX25L6455EXCI-10G
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托盘
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Macronix | 24-TBGA,CSPBGA | 24-CSPBGA(6x8) | 描述:IC FLASH 64M SPI 104MHZ 24TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8) 存储器接口:300µs,5ms 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字,页:104MHz 访问时间:300µs,5ms *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA,CSPBGA 供应商器件封装:24-CSPBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8) 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FL127SABBHIS00
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338
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA(8x6) | 描述:IC FLASH 128M SPI 108MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:108MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FL127SABBHVC00
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338
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA(8x6) | 描述:IC FLASH 128M SPI 108MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:108MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
CY62256VLL-70ZXC
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托盘
234
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Cypress Semiconductor Corp | 28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) | 28-TSOP I | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 供应商器件封装:28-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
71024S12TYGI
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管件
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 32-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (128K x 8) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(128k x 8) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
71024S20TYGI
Datasheet 规格书
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管件
23
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 32-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (128K x 8) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(128k x 8) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
S25FL127SABNFV100
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托盘
980
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Cypress Semiconductor Corp | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(6x8) | 描述:IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:108MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x8) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FL127SABMFV101
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管件
91
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Cypress Semiconductor Corp | 8-SOIC(5.30MM 宽) | 8-SOIC | 描述:IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb(16M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:108 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(5.30MM 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FL127SABNFV101
Datasheet 规格书
ROHS
管件
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Cypress Semiconductor Corp | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(6x8) | 描述:IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:108MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x8) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FL127SABMFV100
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托盘
280
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Cypress Semiconductor Corp | 8-SOIC(5.30MM 宽) | 8-SOIC | 描述:IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8SO *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:108MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(5.30MM 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
CY62256NLL-70SNXCT
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1000
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Cypress Semiconductor Corp | 28-SOIC(7.50MM 宽) | 28-SOIC | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:28-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
AS6C6264A-70SCNTR
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Alliance Memory, Inc. | 28-SOIC(0.330",8.38mm 宽) | 28-SOP | 描述:IC SRAM 64K PARALLEL 28SOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:64Kb (8K x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-SOIC(0.330",8.38mm 宽) 供应商器件封装:28-SOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:64k(8k x 8) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |