辰科物联

https://www.chenkeiot.com/

当前位置 :首页 >集成电路(IC) > 存储器
制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
共 55516 款产品满足条件
  共有55516个记录    每页显示25条,本页926-950条    38/2221页    首 页    上一页   34  35  36  37  38  39  40  41  42   下一页    尾 页      
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
S29GL064N11FFIS12
标准卷带
400
10+: 0.4683 100+: 0.4599 1000+: 0.4557 3000+: 0.4432
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8,4M x 16) 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8,4m x 16) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v
S29GL064N11FFIS22
标准卷带
10+: 15.4783 100+: 15.2019 1000+: 15.0637 3000+: 14.6491
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8,4M x 16) 存储器接口:1.65V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:110ns 访问时间:110ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA(13x11) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8,4m x 16) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v
S29GL064N11FFIV12
标准卷带
10+: 15.4783 100+: 15.2019 1000+: 15.0637 3000+: 14.6491
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8,4M x 16) 存储器接口:1.65V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:110ns 访问时间:110ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA(13x11) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8,4m x 16) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v
S29GL064N11FFIV22
标准卷带
10+: 15.4783 100+: 15.2019 1000+: 15.0637 3000+: 14.6491
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8,4M x 16) 存储器接口:1.65V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:110ns 访问时间:110ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA(13x11) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8,4m x 16) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v
S29GL064N90FAI022
标准卷带
10+: 15.4783 100+: 15.2019 1000+: 15.0637 3000+: 14.6491
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8,4M x 16) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:90ns 访问时间:90ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA(13x11) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8,4m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S29GL064N90FFI022
标准卷带
400
10+: 24.9576 100+: 24.5120 1000+: 24.2891 3000+: 23.6206
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8,4M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8,4m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S29GL064N90FFIS12
标准卷带
400
10+: 0.4683 100+: 0.4599 1000+: 0.4557 3000+: 0.4432
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8,4M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8,4m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S29GL064N90FFIS22
标准卷带
400
10+: 0.4683 100+: 0.4599 1000+: 0.4557 3000+: 0.4432
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8,4M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8,4m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
MX29LV800CBMI-70G
托盘
10+: 15.5542 100+: 15.2765 1000+: 15.1376 3000+: 14.7210
我要买
Macronix 44-SOIC(0.496",12.60mm 宽) 44-SOP 描述:IC FLASH 8M PARALLEL 44SOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:8Mb (1M x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-SOIC(0.496",12.60mm 宽) 供应商器件封装:44-SOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:8m(1m x 8) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
MX29LV800CBMC-70G
管件
10+: 15.5542 100+: 15.2765 1000+: 15.1376 3000+: 14.7210
我要买
Macronix 44-SOIC(0.496",12.60mm 宽) 44-SOP 描述:IC FLASH 8M PARALLEL 44SOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:8Mb (1M x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-SOIC(0.496",12.60mm 宽) 供应商器件封装:44-SOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:8m(1m x 8) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
MX29LV800CBMC-90G
托盘
10+: 15.5542 100+: 15.2765 1000+: 15.1376 3000+: 14.7210
我要买
Macronix 44-SOIC(0.496",12.60mm 宽) 44-SOP 描述:IC FLASH 8M PARALLEL 44SOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:8Mb (1M x 8) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-SOIC(0.496",12.60mm 宽) 供应商器件封装:44-SOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:8m(1m x 8) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
MX30LF1208AA-TI
托盘
5
10+: 33.9687 100+: 33.3621 1000+: 33.0588 3000+: 32.1490
我要买
Macronix 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 48-TSOP 描述:IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:512Mb (64M x 8) 存储器接口:30ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:30ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:512m(64m x 8) 速度:30ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
MX25L12875FMI-10G
管件
10+: 18.5917 100+: 18.2597 1000+: 18.0937 3000+: 17.5957
我要买
Macronix 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOP 描述:IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:30µs,1.5ms 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字,页:104MHz 访问时间:30µs,1.5ms *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
71016S15YG8
标准卷带
500
10+: 13.6179 100+: 13.3747 1000+: 13.2531 3000+: 12.8883
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 44-SOJ 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
71016S20YG8
标准卷带
500
10+: 13.6179 100+: 13.3747 1000+: 13.2531 3000+: 12.8883
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 44-SOJ 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
S34ML01G200GHI003
标准卷带
10+: 18.7182 100+: 18.3840 1000+: 18.2168 3000+: 17.7155
我要买
Cypress Semiconductor Corp 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 67BGA *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL127SABBHIS03
标准卷带
10+: 18.8574 100+: 18.5207 1000+: 18.3523 3000+: 17.8472
我要买
Cypress Semiconductor Corp 24-TBGA 24-BGA(8x6) 描述:IC FLASH 128M SPI 108MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:108MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL127SABBHVC03
标准卷带
10+: 18.8574 100+: 18.5207 1000+: 18.3523 3000+: 17.8472
我要买
Cypress Semiconductor Corp 24-TBGA 24-BGA(8x6) 描述:IC FLASH 128M SPI 108MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:108MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL127SABMFV103
标准卷带
2100
10+: 0.8100 100+: 0.7955 1000+: 0.7883 3000+: 0.7666
我要买
Cypress Semiconductor Corp 8-SOIC(5.30MM 宽) 8-SOIC 描述:IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8SO *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:108MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(5.30MM 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
CY62128ELL-45ZXIT
1500
10+: 1.3542 100+: 1.3300 1000+: 1.3179 3000+: 1.2816
我要买
Cypress Semiconductor Corp 32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 32-TSOP I 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (128K x 8) 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:32-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(128k x 8) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
71024S12YGI8
标准卷带
1000
10+: 13.5293 100+: 13.2877 1000+: 13.1669 3000+: 12.8045
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 32-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 32-SOJ 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (128K x 8) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(128k x 8) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
71124S12YG8
标准卷带
1000
10+: 13.5293 100+: 13.2877 1000+: 13.1669 3000+: 12.8045
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 32-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 32-SOJ 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (128K x 8) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(128k x 8) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
71124S15YG8
标准卷带
1000
10+: 13.5293 100+: 13.2877 1000+: 13.1669 3000+: 12.8045
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 32-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 32-SOJ 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (128K x 8) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(128k x 8) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
U6264BS2K07LLG1TR
标准卷带
10+: 18.8828 100+: 18.5456 1000+: 18.3770 3000+: 17.8712
我要买
Alliance Memory, Inc. 28-SOIC(0.330",8.38mm 宽) 28-SOP 描述:IC SRAM 64K PARALLEL 28SOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:64Kb (8K x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-SOIC(0.330",8.38mm 宽) 供应商器件封装:28-SOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:64k(8k x 8) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
AS4C16M16D1A-5TCNTR
标准卷带
1000
10+: 12.8458 100+: 12.6165 1000+: 12.5018 3000+: 12.1577
我要买
Alliance Memory, Inc. 66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽) 66-TSOP II 描述:IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:66-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr sdram 存储容量:256m(16m x 16) 速度:200mhz 接口:并联 电压 - 电源:2.3 v ~ 2.7 v
  共有55516个记录    每页显示25条,本页926-950条    38/2221页    首 页    上一页   34  35  36  37  38  39  40  41  42   下一页    尾 页      
复制成功

在线客服

LiFeng:2355289363

Hailee:2355289368

微信咨询
扫描即可免费关注公众号

服务热线

0755-28435922