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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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S29GL064N11FFIS12
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400
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8,4M x 16) 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8,4m x 16) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v | |
S29GL064N11FFIS22
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Cypress Semiconductor Corp | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8,4M x 16) 存储器接口:1.65V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:110ns 访问时间:110ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA(13x11) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8,4m x 16) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v | ||
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Cypress Semiconductor Corp | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8,4M x 16) 存储器接口:1.65V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:110ns 访问时间:110ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA(13x11) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8,4m x 16) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v | ||
S29GL064N11FFIV22
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Cypress Semiconductor Corp | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8,4M x 16) 存储器接口:1.65V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:110ns 访问时间:110ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA(13x11) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8,4m x 16) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v | ||
S29GL064N90FAI022
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Cypress Semiconductor Corp | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8,4M x 16) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:90ns 访问时间:90ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA(13x11) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8,4m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
S29GL064N90FFI022
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400
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8,4M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8,4m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S29GL064N90FFIS12
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400
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8,4M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8,4m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S29GL064N90FFIS22
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标准卷带
400
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8,4M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8,4m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
MX29LV800CBMI-70G
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托盘
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Macronix | 44-SOIC(0.496",12.60mm 宽) | 44-SOP | 描述:IC FLASH 8M PARALLEL 44SOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:8Mb (1M x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-SOIC(0.496",12.60mm 宽) 供应商器件封装:44-SOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:8m(1m x 8) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
MX29LV800CBMC-70G
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管件
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Macronix | 44-SOIC(0.496",12.60mm 宽) | 44-SOP | 描述:IC FLASH 8M PARALLEL 44SOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:8Mb (1M x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-SOIC(0.496",12.60mm 宽) 供应商器件封装:44-SOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:8m(1m x 8) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
MX29LV800CBMC-90G
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托盘
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Macronix | 44-SOIC(0.496",12.60mm 宽) | 44-SOP | 描述:IC FLASH 8M PARALLEL 44SOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:8Mb (1M x 8) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-SOIC(0.496",12.60mm 宽) 供应商器件封装:44-SOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:8m(1m x 8) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
MX30LF1208AA-TI
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托盘
5
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Macronix | 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 48-TSOP | 描述:IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:512Mb (64M x 8) 存储器接口:30ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:30ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:512m(64m x 8) 速度:30ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
MX25L12875FMI-10G
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管件
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Macronix | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOP | 描述:IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:30µs,1.5ms 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字,页:104MHz 访问时间:30µs,1.5ms *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
71016S15YG8
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标准卷带
500
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
71016S20YG8
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标准卷带
500
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
S34ML01G200GHI003
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标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 67BGA *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |||
S25FL127SABBHIS03
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标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA(8x6) | 描述:IC FLASH 128M SPI 108MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:108MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FL127SABBHVC03
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标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA(8x6) | 描述:IC FLASH 128M SPI 108MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:108MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FL127SABMFV103
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标准卷带
2100
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Cypress Semiconductor Corp | 8-SOIC(5.30MM 宽) | 8-SOIC | 描述:IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8SO *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:108MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(5.30MM 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
CY62128ELL-45ZXIT
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1500
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Cypress Semiconductor Corp | 32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 32-TSOP I | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (128K x 8) 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:32-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(128k x 8) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
71024S12YGI8
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ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 32-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (128K x 8) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(128k x 8) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
71124S12YG8
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标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 32-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (128K x 8) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(128k x 8) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
71124S15YG8
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标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 32-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (128K x 8) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(128k x 8) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
U6264BS2K07LLG1TR
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Alliance Memory, Inc. | 28-SOIC(0.330",8.38mm 宽) | 28-SOP | 描述:IC SRAM 64K PARALLEL 28SOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:64Kb (8K x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-SOIC(0.330",8.38mm 宽) 供应商器件封装:28-SOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:64k(8k x 8) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
AS4C16M16D1A-5TCNTR
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标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽) | 66-TSOP II | 描述:IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:66-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr sdram 存储容量:256m(16m x 16) 速度:200mhz 接口:并联 电压 - 电源:2.3 v ~ 2.7 v |