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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
MX30LF1208AA-XKI
托盘
550
10+: 30.4250 100+: 29.8817 1000+: 29.6101 3000+: 28.7951
我要买
Macronix 63-VFBGA 63-VFBGA(9x11) 描述:IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:512Mb (64M x 8) 存储器接口:30ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:30ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:63-VFBGA 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:512m(64m x 8) 速度:30ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL129P0XBHI303
标准卷带
10+: 19.4523 100+: 19.1049 1000+: 18.9312 3000+: 18.4102
我要买
Cypress Semiconductor Corp 24-BGA(6x8) 描述:IC FLASH 128M SPI 104MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:104MHz 访问时间:5µs,3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:24-TBGA 封装/外壳:24-BGA(6x8) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL129P0XNFI003
标准卷带
10+: 19.4523 100+: 19.1049 1000+: 18.9312 3000+: 18.4102
我要买
Cypress Semiconductor Corp 8-WSON(6x8) 描述:IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:104MHz 访问时间:5µs,3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:8-WDFN 裸露焊盘 封装/外壳:8-WSON(6x8) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL129P0XNFI013
标准卷带
10+: 19.4523 100+: 19.1049 1000+: 18.9312 3000+: 18.4102
我要买
Cypress Semiconductor Corp 8-WSON(6x8) 描述:IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:104MHz 访问时间:5µs,3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:8-WDFN 裸露焊盘 封装/外壳:8-WSON(6x8) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL129P0XBHI203
标准卷带
10+: 19.4523 100+: 19.1049 1000+: 18.9312 3000+: 18.4102
我要买
Cypress Semiconductor Corp 24-BGA(8x6) 描述:IC FLASH 128M SPI 104MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:104MHz 访问时间:5µs,3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:24-TBGA 封装/外壳:24-BGA(8x6) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL129P0XBHI213
标准卷带
10+: 19.4523 100+: 19.1049 1000+: 18.9312 3000+: 18.4102
我要买
Cypress Semiconductor Corp 24-BGA(8x6) 描述:IC FLASH 128M SPI 104MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:104MHz 访问时间:5µs,3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:24-TBGA 封装/外壳:24-BGA(8x6) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL129P0XBHI313
标准卷带
10+: 19.4523 100+: 19.1049 1000+: 18.9312 3000+: 18.4102
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Cypress Semiconductor Corp 24-BGA(6x8) 描述:IC FLASH 128M SPI 104MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:104MHz 访问时间:5µs,3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:24-TBGA 封装/外壳:24-BGA(6x8) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL129P0XBHIY03
标准卷带
10+: 19.4523 100+: 19.1049 1000+: 18.9312 3000+: 18.4102
我要买
Cypress Semiconductor Corp 24-BGA(8x6) 描述:IC FLASH 128M SPI 104MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:104MHz 访问时间:5µs,3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:24-TBGA 封装/外壳:24-BGA(8x6) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL129P0XBHIY13
标准卷带
10+: 19.4523 100+: 19.1049 1000+: 18.9312 3000+: 18.4102
我要买
Cypress Semiconductor Corp 24-BGA(8x6) 描述:IC FLASH 128M SPI 104MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:104MHz 访问时间:5µs,3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:24-TBGA 封装/外壳:24-BGA(8x6) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL129P0XBHIZ03
标准卷带
10+: 19.4523 100+: 19.1049 1000+: 18.9312 3000+: 18.4102
我要买
Cypress Semiconductor Corp 24-BGA(8x6) 描述:IC FLASH 128M SPI 104MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:104MHz 访问时间:5µs,3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:24-TBGA 封装/外壳:24-BGA(8x6) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL129P0XBHIZ13
标准卷带
10+: 19.4523 100+: 19.1049 1000+: 18.9312 3000+: 18.4102
我要买
Cypress Semiconductor Corp 24-BGA(8x6) 描述:IC FLASH 128M SPI 104MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:104MHz 访问时间:5µs,3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:24-TBGA 封装/外壳:24-BGA(8x6) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
MX29F400CBMI-90G
管件
10+: 16.0098 100+: 15.7240 1000+: 15.5810 3000+: 15.1522
我要买
Macronix 44-SOIC(0.496",12.60mm 宽) 44-SOP 描述:IC FLASH 4M PARALLEL 44SOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-SOIC(0.496",12.60mm 宽) 供应商器件封装:44-SOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:4m(512k x 8) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
MX29F400CTMI-90G
托盘
10+: 16.0098 100+: 15.7240 1000+: 15.5810 3000+: 15.1522
我要买
Macronix 44-SOIC(0.496",12.60mm 宽) 44-SOP 描述:IC FLASH 4M PARALLEL 44SOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-SOIC(0.496",12.60mm 宽) 供应商器件封装:44-SOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:4m(512k x 8) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
MX29F400CBMC-90G
托盘
10+: 16.0098 100+: 15.7240 1000+: 15.5810 3000+: 15.1522
我要买
Macronix 44-SOIC(0.496",12.60mm 宽) 44-SOP 描述:IC FLASH 4M PARALLEL 44SOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-SOIC(0.496",12.60mm 宽) 供应商器件封装:44-SOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:4m(512k x 8) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
MX29F040CTC-70G
托盘
10+: 16.0098 100+: 15.7240 1000+: 15.5810 3000+: 15.1522
我要买
Macronix 32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 32-TSOP 描述:IC FLASH 4M PARALLEL 32TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:32-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:4m(512k x 8) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
MX29F040CTC-90G
托盘
10+: 16.0098 100+: 15.7240 1000+: 15.5810 3000+: 15.1522
我要买
Macronix 32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 32-TSOP 描述:IC FLASH 4M PARALLEL 32TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:32-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:4m(512k x 8) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
71V016SA12YG
管件
16
10+: 9.7578 100+: 9.5835 1000+: 9.4964 3000+: 9.2350
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 44-SOJ 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
71V016SA15YG
管件
16
10+: 9.7578 100+: 9.5835 1000+: 9.4964 3000+: 9.2350
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 44-SOJ 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
71V016SA20YG
管件
16
10+: 9.7578 100+: 9.5835 1000+: 9.4964 3000+: 9.2350
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 44-SOJ 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
S25FS064SAGBHI020
托盘
338
10+: 8.1378 100+: 7.9925 1000+: 7.9198 3000+: 7.7019
我要买
Cypress Semiconductor Corp 24-TBGA 24-FBGA(6x8) 描述:IC FLASH 64M SPI 133MHZ 24FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-FBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8) 速度:133mhz 接口:spi-mio 电压 - 电源:1.7 v ~ 2 v
AS7C256A-12JCN
管件
25
10+: 6.6317 100+: 6.5133 1000+: 6.4541 3000+: 6.2765
我要买
Alliance Memory, Inc. 28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 28-SOJ 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 供应商器件封装:28-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
FM25L16B-G
管件
97
10+: 12.6687 100+: 12.4424 1000+: 12.3293 3000+: 11.9900
我要买
Cypress Semiconductor Corp 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 8-SOIC 描述:IC FRAM 16K SPI 20MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM(铁电体 RAM) *存储容量:16Kb (2K x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字,页:20MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:fram(ferroelectric ram) 存储容量:16k(2k x 8) 速度:20mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
7164S20YG
管件
27
10+: 10.1881 100+: 10.0062 1000+: 9.9152 3000+: 9.6423
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 28-SOJ 描述:IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:64Kb (8K x 8) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 供应商器件封装:28-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:64k(8k x 8) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
71V124SA10YG
管件
10+: 16.2250 100+: 15.9353 1000+: 15.7904 3000+: 15.3558
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 32-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 32-SOJ 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (128K x 8) 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3.15V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(128k x 8) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3.15 v ~ 3.6 v
71V124SA15YG
管件
23
10+: 9.9096 100+: 9.7327 1000+: 9.6442 3000+: 9.3788
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IDT, Integrated Device Technology Inc 32-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 32-SOJ 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (128K x 8) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(128k x 8) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
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