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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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S29GL256S10FHI020
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ROHS
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180
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S29GL256S10FHIV10
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900
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v | |
S29GL256S11FHIV10
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900
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v | |
S29GL256S11FHIV20
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1800
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v | |
S29GL256S90FAI020
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180
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S29GL256S90FHI010
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180
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S29GL256S90FHI020
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1800
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S29GL128P10FFIS30
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Cypress Semiconductor Corp | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:100ns 访问时间:100ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA(13x11) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:* | ||
S29GL128P10FFIS40
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Cypress Semiconductor Corp | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:100ns 访问时间:100ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA(13x11) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:* | ||
S29GL128P11FAIS40
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ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:110ns 访问时间:110ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA(13x11) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:* | ||
S29GL128P11FFIS30
Datasheet 规格书
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托盘
136
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:110ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:* | |
S34ML01G204TFI013
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标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 48-TSOP I | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:1Gb (64M x 16) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:25ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 封装/外壳:48-TSOP I 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(64m x 16) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
S25FL128P0XMFI013
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ROHS
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:3ms 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字,页:104MHz 访问时间:3ms *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FL127SABMFV003
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标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 128M SPI 108MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:108MHz 访问时间:- *电压 - 电源:-40°C ~ 105°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 封装/外壳:16-SOIC 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
AS6C1008-55BINTR
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标准卷带
2000
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Alliance Memory, Inc. | 36-TFBGA | 36-TFBGA(6x8) | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 36TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (128K x 8) 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:36-TFBGA 供应商器件封装:36-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(128k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v | |
AS6C1016-55BINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
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Alliance Memory, Inc. | 48-TFBGA | 48-TFBGA(6x8) | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFBGA 供应商器件封装:48-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v | |
AS4C2M32S-7BCNTR
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ROHS
标准卷带
2000
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Alliance Memory, Inc. | 90-TFBGA | 90-TFBGA(8x13) | 描述:IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:64Mb (2M x 32) 存储器接口:5.4ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:143MHz 访问时间:2ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:90-TFBGA 供应商器件封装:90-TFBGA(8x13) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sdram 存储容量:64m(2m x 32) 速度:143mhz 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
AS6C1008-55STINL
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234
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Alliance Memory, Inc. | 32-LFSOP(0.465",11.80mm 宽) | 32-sTSOP | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (128K x 8) 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-LFSOP(0.465",11.80mm 宽) 供应商器件封装:32-sTSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(128k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v | |
AS6C1008-55TINL
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托盘
156
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Alliance Memory, Inc. | 32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 32-TSOP I | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (128K x 8) 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:32-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(128k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v | |
U62256ADC07LLG1
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管件
15
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Alliance Memory, Inc. | 28-DIP(0.600",15.24mm) | 28-PDIP | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:28-DIP(0.600",15.24mm) 供应商器件封装:28-PDIP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
S34ML01G200TFI500
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 48-TSOP I | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:25ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 封装/外壳:48-TSOP I 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
S34ML01G200TFI900
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
|
Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |||
S34ML01G204TFI010
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
96
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Cypress Semiconductor Corp | 48-TSOP I | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:1Gb (64M x 16) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:25ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 封装/外壳:48-TSOP I 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(64m x 16) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
S34MS01G200TFI900
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
96
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v | |||
S34MS01G200GHI000
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
260
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 67BGA *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字,页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g(128m x 8) 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v |