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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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S29GL064S70TFA030
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96
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (4M x 16) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(4m x 16) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FS064SDSBHI020
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3380
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-FBGA(6x8) | 描述:IC FLASH 64M SPI 80MHZ 24FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-FBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8) 速度:80mhz 接口:spi-mio 电压 - 电源:1.7 v ~ 2 v | |
S25FS064SDSBHN020
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338
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-FBGA(6x8) | 描述:IC FLASH 64M SPI 80MHZ 24FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-FBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8) 速度:80mhz 接口:spi-mio 电压 - 电源:1.7 v ~ 2 v | |
S25FS064SAGNFI030
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25
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Cypress Semiconductor Corp | 8-WLGA | 8-LGA(5x6) | 描述:IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8LGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WLGA 供应商器件封装:8-LGA(5x6) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8) 速度:133mhz 接口:spi-mio 电压 - 电源:1.7 v ~ 2 v | |
S25FS064SDSNFI030
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490
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Cypress Semiconductor Corp | 8-WLGA | 8-LGA(5x6) | 描述:IC FLASH 64M SPI 80MHZ 8LGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WLGA 供应商器件封装:8-LGA(5x6) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8) 速度:80mhz 接口:spi-mio 电压 - 电源:1.7 v ~ 2 v | |
S25FS064SDSNFV030
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490
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Cypress Semiconductor Corp | 8-WLGA | 8-LGA(5x6) | 描述:IC FLASH 64M SPI 80MHZ 8LGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WLGA 供应商器件封装:8-LGA(5x6) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8) 速度:80mhz 接口:spi-mio 电压 - 电源:1.7 v ~ 2 v | |
S25FS064SAGNFN030
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490
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Cypress Semiconductor Corp | 8-WLGA | 8-LGA(5x6) | 描述:IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8LGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WLGA 供应商器件封装:8-LGA(5x6) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8) 速度:133mhz 接口:spi-mio 电压 - 电源:1.7 v ~ 2 v | |
AS6C1008-55SINL
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管件
22
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Alliance Memory, Inc. | 32-SOIC(0.455",11.30mm 宽) | 32-SOP | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (128K x 8) 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-SOIC(0.455",11.30mm 宽) 供应商器件封装:32-SOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(128k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v | |
CY62127DV30LL-55BVXIT
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标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 48-VFBGA(6x8) | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 48VFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:2.2V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:48-VFBGA 封装/外壳:48-VFBGA(6x8) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 3.6 v | ||
71V256S10YG8
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标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) | 28-SOJ | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 供应商器件封装:28-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
71V256S12YG8
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标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) | 28-SOJ | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 供应商器件封装:28-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
CY62256NLL-55ZXE
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管件
234
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Cypress Semiconductor Corp | 28-TSOP I | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55ns *电压 - 电源:-40°C ~ 125°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 封装/外壳:28-TSOP I 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | ||
S29GL256S10DHI020
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托盘
260
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(9x9) | 描述:NO WARRANTY *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(9x9) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S29GL256S10DHIV10
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260
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(9x9) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(9x9) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v | |
S29GL256S10DHIV20
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260
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(9x9) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(9x9) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v | |
S29GL256S11DHIV10
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
260
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(9x9) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(9x9) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v | |
S29GL256S11DHIV20
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
260
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(9x9) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(9x9) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v | |
S29GL256S90DHI010
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
260
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(9x9) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(9x9) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
AS4C4M32SA-7TCN
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托盘
108
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Alliance Memory, Inc. | 86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) | 86-TSOP II | 描述:IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:128Mb(4M x 32) 存储器接口:并联 时钟频率:143 MHz 写周期时间 - 字,页:2ns 访问时间:5.4 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:86-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sdram 存储容量:128m(4m x 32) 速度:143mhz 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
CY7C1021DV33-10BVXIT
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ROHS
标准卷带
2000
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Cypress Semiconductor Corp | 48-VFBGA | 48-VFBGA(6x8) | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 48VFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (64K x 16) 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-VFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(64k x 16) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
S29GL128P10FFIS10
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ROHS
托盘
180
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:100ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S29GL128P10FFIS20
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ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:100ns 访问时间:100ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA(13x11) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:* | ||
S29GL128P11FFIS10
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:110ns 访问时间:110ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA(13x11) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:* | ||
S29GL256S10FAIV10
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
180
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v | |
S29GL256S10FHI010
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ROHS
托盘
180
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |