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辰科物联
https://www.chenkeiot.com/
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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
|---|---|---|---|---|---|
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S29GL256S90TFI013
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（16m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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CY62256VNLL-70SNXET
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
|
Cypress Semiconductor Corp | 28-SOIC | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns *电压 - 电源:-40°C ~ 125°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 封装/外壳:28-SOIC 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
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CY62256VNLL-70ZXET
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 28-TSOP I | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns *电压 - 电源:-40°C ~ 125°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 封装/外壳:28-TSOP I 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
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CY62138FV30LL-45SXIT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 32-SOIC | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 32SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb （256K x 8） 存储器接口:2.2V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:32-SOIC（0.455"，11.30mm 宽） 封装/外壳:32-SOIC 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m（256k x 8） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 3.6 v | |
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6116LA20SOG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） | 24-SOIC | 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Kb （2K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:24-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:16k（2k x 8） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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6116SA15SOG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） | 24-SOIC | 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Kb （2K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:24-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:16k（2k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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6116SA20SOG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） | 24-SOIC | 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Kb （2K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:24-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:16k（2k x 8） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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|
6116SA25SOG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） | 24-SOIC | 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Kb （2K x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:24-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:16k（2k x 8） 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
|
71V416S10YG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
500
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（256k x 16） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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71V016SA12BFGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 48-LFBGA | 48-FBGA（7x7） | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA（7x7） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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71V016SA15BFGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 48-LFBGA | 48-FBGA（7x7） | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA（7x7） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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71V016SA20BFGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 48-LFBGA | 48-FBGA（7x7） | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA（7x7） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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71V016SA10BFGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 48-LFBGA | 48-FBGA（7x7） | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3.15V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA（7x7） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3.15 v ~ 3.6 v |
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CY7C199NL-15ZXCT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） | 28-TSOP I | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 供应商器件封装:28-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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71024S12TYGI8
Datasheet 规格书
ROHS
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
|
71024S20TYGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
|
IDT, Integrated Device Technology Inc | 32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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AS6C1008-55STINLTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1500
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Alliance Memory, Inc. | 32-LFSOP（0.465"，11.80mm 宽） | 32-sTSOP | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-LFSOP（0.465"，11.80mm 宽） 供应商器件封装:32-sTSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v |
|
AS6C1008-55TINLTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1500
|
Alliance Memory, Inc. | 32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 32-TSOP I | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:32-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v |
|
MX29F040CQC-70G
Datasheet 规格书
ROHS
管件
10
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Macronix | 32-LCC（J 形引线） | 32-PLCC（11.43x14.05） | 描述:IC FLASH 4M PARALLEL 32PLCC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-LCC（J 形引线） 供应商器件封装:32-PLCC（11.43x14.05） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:4m（512k x 8） 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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MX29F040CQC-90G
Datasheet 规格书
ROHS
管件
10
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Macronix | 32-LCC（J 形引线） | 32-PLCC（11.43x14.05） | 描述:IC FLASH 4M PARALLEL 32PLCC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-LCC（J 形引线） 供应商器件封装:32-PLCC（11.43x14.05） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:4m（512k x 8） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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MX29F040CQI-90G
Datasheet 规格书
ROHS
管件
10
|
Macronix | 32-LCC（J 形引线） | 32-PLCC（11.43x14.05） | 描述:IC FLASH 4M PARALLEL 32PLCC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-LCC（J 形引线） 供应商器件封装:32-PLCC（11.43x14.05） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:4m（512k x 8） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
|
S25FS064SDSMFI010
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
280
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Cypress Semiconductor Corp | 8-SOIC（5.30MM 宽） | 8-SOIC | 描述:IC FLASH 64M SPI 80MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O， QPI 写周期时间 - 字，页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8） 速度:80mhz 接口:spi-mio 电压 - 电源:1.7 v ~ 2 v |
|
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S25FS064SDSMFV010
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
280
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Cypress Semiconductor Corp | 8-SOIC（5.30MM 宽） | 8-SOIC | 描述:IC FLASH 64M SPI 80MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8） 速度:80mhz 接口:spi-mio 电压 - 电源:1.7 v ~ 2 v |
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S25FS064SAGMFN010
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
280
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Cypress Semiconductor Corp | 8-SOIC（5.30MM 宽） | 8-SOIC | 描述:IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O， QPI 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8） 速度:133mhz 接口:spi-mio 电压 - 电源:1.7 v ~ 2 v |
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S25FS064SDSMFN010
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
|
Cypress Semiconductor Corp | 8-SOIC（5.30MM 宽） | 8-SOIC | 描述:IC FLASH 64M SPI 80MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8） 速度:80mhz 接口:spi-mio 电压 - 电源:1.7 v ~ 2 v |