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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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MX29GL128FHT2I-70G
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
96
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Macronix | 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 56-TSOP | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL127SABNFI100
Datasheet 规格书
ROHS
托盘托盘
980
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Cypress Semiconductor Corp | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（5x6） | 描述:IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb（16M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:108 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（5x6） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL129P0XMFV000
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:5µs，3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 105°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 封装/外壳:16-SOIC 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
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S25FL129P0XMFV010
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:5µs，3ms *电压 - 电源:-40°C ~ 105°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 封装/外壳:16-SOIC 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
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S29GL128S90FHI020
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
360
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（8m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL129P0XMFV001
Datasheet 规格书
ROHS
管件
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:5µs，3ms 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:5µs，3ms *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL129P0XMFV011
Datasheet 规格书
ROHS
管件
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:5µs，3ms 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:5µs，3ms *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL129P0XNFV001
Datasheet 规格书
ROHS
管件
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Cypress Semiconductor Corp | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（6x8） | 描述:IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:5µs，3ms 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:5µs，3ms *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（6x8） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL129P0XNFV011
Datasheet 规格书
ROHS
管件
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Cypress Semiconductor Corp | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（6x8） | 描述:IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:5µs，3ms 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:5µs，3ms *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（6x8） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S29GL128S10DHV013
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2200
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Cypress Semiconductor Corp | 64-FBGA（9x9） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:100ns *电压 - 电源:-40°C ~ 105°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA（9x9） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（8m x 16） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
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S29GL128S10DHV023
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2200
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Cypress Semiconductor Corp | 64-FBGA（9x9） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:100ns *电压 - 电源:-40°C ~ 105°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA（9x9） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（8m x 16） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
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S29GL128S90DHSS13
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2200
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（9x9） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（9x9） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（8m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:* |
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S29GL128S90DHSS23
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2200
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（9x9） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（9x9） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（8m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:* |
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S34ML01G100TFA000
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
96
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字，页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g（128m x 8） 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
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S34ML01G100TFB000
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字，页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g（128m x 8） 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
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SM662GE4-ACH
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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描述:FERRI-EMMC BGA 100-B EMMC 5.0 ML *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字，页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |||
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S34ML01G200TFA000
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字，页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g（128m x 8） 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
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S34ML01G200TFB000
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字，页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:1g（128m x 8） 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | ||
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CY7C1020D-10VXIT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
500
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Cypress Semiconductor Corp | 44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 512K PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:512Kb （32K x 16） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:512k（32k x 16） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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S34MS02G100BHI003
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 描述:IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字，页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:2g（256m x 8） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v | ||
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CY6264-70SNXCT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 28-SOIC | 描述:IC SRAM 64K PARALLEL 28SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:64Kb （8K x 8） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 封装/外壳:28-SOIC 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:64k（8k x 8） 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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CY6264-55SNXIT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 28-SOIC（7.50MM 宽） | 28-SOIC | 描述:IC SRAM 64K PARALLEL 28SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:64Kb （8K x 8） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:28-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:64k（8k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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AS6C4016-55ZINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（256k x 16） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v |
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AS4C128M8D3-12BCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 78-TFBGA | 78-FBGA（8x10.5） | 描述:IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr3 sdram 存储容量:1g（128m x 8） 速度:800mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.425 v ~ 1.575 v |
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S29AL008J70BFA020
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 48-VFBGA | 48-FBGA（8.15X6.15） | 描述:IC FLASH 8M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:8Mb （1M x 8，512K x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-FBGA（8.15X6.15） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:8m（1m x 8 或 512k x 16） 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |