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辰科物联
https://www.chenkeiot.com/
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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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71V632S5PFG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 100-LQFP | 100-TQFP（14x14） | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR *存储容量:2Mb （64K x 32） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:100MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.63V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP（14x14） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:2m（64k x 32） 速度:5ns 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.63 v |
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71V632S6PFG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 100-LQFP | 100-TQFP（14x14） | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR *存储容量:2Mb （64K x 32） 存储器接口:6ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:83MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.63V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP（14x14） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:2m（64k x 32） 速度:6ns 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.63 v |
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71V632S7PFG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 100-LQFP | 100-TQFP（14x14） | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR *存储容量:2Mb （64K x 32） 存储器接口:7ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:66MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.63V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP（14x14） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:2m（64k x 32） 速度:7ns 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.63 v |
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S29JL064J70TFI003
Datasheet 规格书
ROHS
剪切带（CT）
25
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Cypress Semiconductor Corp | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 48-TSOP | 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8，4M x 16） 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8，4m x 16） 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S29JL064J60TFI003
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 48-TSOP | 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8，4M x 16） 存储器接口:60ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8，4m x 16） 速度:60ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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CY7C1021BNL-15VXC
Datasheet 规格书
ROHS
管件
340
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Cypress Semiconductor Corp | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:15ns *电压 - 电源:0°C ~ 70°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 封装/外壳:44-SOJ 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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CY7C1021BNL-15ZXI
Datasheet 规格书
ROHS
管件
1
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Cypress Semiconductor Corp | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:15ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 封装/外壳:44-TSOP II 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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AS4C64M16D3L-12BINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 96-VFBGA | 96-FBGA (8x13) | 描述:IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb （64M x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:800MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-FBGA (8x13) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr3l sdram 存储容量:1g（64m x 16） 速度:800mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.283 v ~ 1.45 v |
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AS4C64M8D2-25BIN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
264
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Alliance Memory, Inc. | 60-TFBGA | 60-FBGA（8x10） | 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:512Mb（64M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400 ps *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-FBGA（8x10） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr2 sdram 存储容量:512m（64m x 8） 速度:400mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.9 v |
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S29JL064J55TFI003
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Cypress Semiconductor Corp | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 48-TSOP | 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8，4M x 16） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8，4m x 16） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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CY7C1021BNL-15ZSXAT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
25
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Cypress Semiconductor Corp | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:15ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 封装/外壳:44-TSOP II 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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71V35761S166PFG8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 100-LQFP | 100-TQFP（14x14） | 描述:IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，SDR *存储容量:4.5Mb （128K x 36） 存储器接口:3.5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 访问时间:- *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP（14x14） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 同步 存储容量:4.5m（128k x 36） 速度:166mhz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 v ~ 3.465 v |
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AS7C31025C-10TIN
Datasheet 规格书
ROHS
管件
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Alliance Memory, Inc. | 32-SOIC（0.400"，10.16MM 宽） | 32-TSOP | 描述:IC SRAM 128K X 8 3.3V 32-TSOP *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:32-SOIC（0.400"，10.16MM 宽） 供应商器件封装:32-TSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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71V256SA15PZG
Datasheet 规格书
ROHS
管件
234
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） | 28-TSOP | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb （32K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 供应商器件封装:28-TSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k（32k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS7C31025C-12JIN
Datasheet 规格书
ROHS
管件
25
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Alliance Memory, Inc. | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:3V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:12ns 访问时间:12ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 封装/外壳:32-SOJ 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
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AS7C31026C-12JIN
Datasheet 规格书
ROHS
管件
26
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Alliance Memory, Inc. | 44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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AS7C1026C-15TIN
Datasheet 规格书
ROHS
管件
26
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP2 | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （64K x 16） 存储器接口:4.5V ~ 5.5V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:15ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 封装/外壳:44-TSOP2 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（64k x 16） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
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AS7C31025C-12TIN
Datasheet 规格书
ROHS
管件
26
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Alliance Memory, Inc. | 32-TSOP II | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:3V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:12ns 访问时间:12ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽） 封装/外壳:32-TSOP II 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
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AS7C1025C-15JINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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AS4C32M16D1A-5TCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 66-TSOP II | 描述:IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:512Mb （32M x 16） 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:66-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:ddr sdram 存储容量:512m（32m x 16） 速度:200mhz 接口:并联 电压 - 电源:2.3 v ~ 2.7 v |
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S25FL128SAGBHIS03
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2500
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Cypress Semiconductor Corp | 24-TBGA | 24-BGA（8x6） | 描述:IC FLASH 128M SPI 133MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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CY7C1019DV33-10VXIT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
750
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Cypress Semiconductor Corp | 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 32-SOJ | 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb （128K x 8） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m（128k x 8） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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S25FL128SAGMFV000
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
240
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL128SAGMFV010
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
2400
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC | 描述:NO WARRANTY *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:-40°C ~ 105°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 封装/外壳:16-SOIC 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
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AT27C2048-55JU-T
Datasheet 规格书
ROHS
500
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44-LCC（J 形引线） | 44-PLCC（16.6x16.6） | 描述:IC EPROM 2M PARALLEL 44PLCC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EPROM 技术:EPROM - OTP *存储容量:2Mb （128K x 16） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:- *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-LCC（J 形引线） 供应商器件封装:44-PLCC（16.6x16.6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |