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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字，页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
AS6C4016-55BINTR
标准卷带
2000
10+: ￥20.3762 100+: ￥20.0123 1000+: ￥19.8304 3000+: ￥19.2846
我要买
Alliance Memory, Inc. 48-LFBGA 48-TFBGA（6x8） 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（256k x 16） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v
FM24V01A-GTR
2500
10+: ￥10.9728 100+: ￥10.7768 1000+: ￥10.6788 3000+: ￥10.3849
我要买
Cypress Semiconductor Corp 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOIC 描述:IC FRAM 128K I2C 3.4MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:128Kb （16K x 8） 存储器接口:130ns 时钟频率:I²C 写周期时间 - 字，页:3.4MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:fram（ferroelectric ram） 存储容量:128k（16k x 8） 速度:3.4mhz 接口:i2c，2 线串口 电压 - 电源:2 v ~ 3.6 v
FM25V01A-GTR
卷带
2500
10+: ￥11.2892 100+: ￥11.0876 1000+: ￥10.9868 3000+: ￥10.6844
我要买
Cypress Semiconductor Corp 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOIC 描述:IC FRAM 128KBIT SPI 40MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:128Kb（16K x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:40 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:fram（ferroelectric ram） 存储容量:128k（16k x 8） 速度:40mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2 v ~ 3.6 v
S34MS02G100BHV003
标准卷带
10+: ￥32.3487 100+: ￥31.7711 1000+: ￥31.4823 3000+: ￥30.6158
我要买
Cypress Semiconductor Corp 63-BGA（11x9） 描述:IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:2Gb （256M x 8） 存储器接口:1.7V ~ 1.95V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45ns *电压 - 电源:-40°C ~ 105°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:63-VFBGA 封装/外壳:63-BGA（11x9） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:2g（256m x 8） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v
S34MS02G104BHV013
标准卷带
10+: ￥32.3487 100+: ￥31.7711 1000+: ￥31.4823 3000+: ￥30.6158
我要买
Cypress Semiconductor Corp 63-BGA（11x9） 描述:IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:2Gb （128M x 16） 存储器接口:1.7V ~ 1.95V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45ns *电压 - 电源:-40°C ~ 105°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:63-VFBGA 封装/外壳:63-BGA（11x9） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:2g（128m x 16） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v
71V416S10YG
管件
16
10+: ￥20.3762 100+: ￥20.0123 1000+: ￥19.8304 3000+: ￥19.2846
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 44-SOJ 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（256k x 16） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
71V416S15YG
管件
16
10+: ￥20.3762 100+: ￥20.0123 1000+: ￥19.8304 3000+: ￥19.2846
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 44-SOJ 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（256k x 16） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
AS6C4008A-55BIN
托盘
480
10+: ￥17.3514 100+: ￥17.0415 1000+: ￥16.8866 3000+: ￥16.4218
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Alliance Memory, Inc. 36-TFBGA（6x8） 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:36-TFBGA 封装/外壳:36-TFBGA（6x8） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（512k x 8） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL032P0XMFB003
标准卷带
1450
10+: ￥0.7973 100+: ￥0.7831 1000+: ￥0.7760 3000+: ￥0.7546
我要买
Cypress Semiconductor Corp 16-SOIC（7.50MM 宽） 16-SOIC 描述:IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb （4M x 8） 存储器接口:5µs，3ms 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:104MHz 访问时间:5µs，3ms *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:32m（4m x 8） 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S34MS02G100TFI000
托盘
10+: ￥32.5639 100+: ￥31.9824 1000+: ￥31.6916 3000+: ￥30.8194
我要买
Cypress Semiconductor Corp 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 48-TSOP I 描述:IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:2Gb （256M x 8） 存储器接口:45ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:45ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:48-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:2g（256m x 8） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v
S34MS02G100BHI000
托盘
10+: ￥32.5639 100+: ￥31.9824 1000+: ￥31.6916 3000+: ￥30.8194
我要买
Cypress Semiconductor Corp 描述:IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字，页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:2g（256m x 8） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v
S29VS128RABBHW013
带卷（TR）
10+: ￥32.6398 100+: ￥32.0570 1000+: ￥31.7655 3000+: ￥30.8913
我要买
Cypress Semiconductor Corp 44-VFBGA 44-VTBGA（7.5X5） 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 44FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （8M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:108MHz 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:80ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:44-VFBGA 供应商器件封装:44-VTBGA（7.5X5） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（8m x 16） 速度:108mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v
AS7C4098A-15TCNTR
标准卷带
1000
10+: ￥22.2492 100+: ￥21.8519 1000+: ￥21.6533 3000+: ￥21.0573
我要买
Alliance Memory, Inc. 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 44-TSOP2 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（256k x 16） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
AS7C4098A-15TINTR
标准卷带
1000
10+: ￥22.2492 100+: ￥21.8519 1000+: ￥21.6533 3000+: ￥21.0573
我要买
Alliance Memory, Inc. 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 44-TSOP2 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（256k x 16） 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
AS7C4098A-20TCNTR
标准卷带
10+: ￥35.3102 100+: ￥34.6797 1000+: ￥34.3644 3000+: ￥33.4186
我要买
Alliance Memory, Inc. 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 44-TSOP2 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（256k x 16） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
AS7C4098A-20TINTR
标准卷带
1000
10+: ￥23.5908 100+: ￥23.1695 1000+: ￥22.9589 3000+: ￥22.3270
我要买
Alliance Memory, Inc. 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 44-TSOP2 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（256k x 16） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
AS7C34098A-10BINTR
标准卷带
1000
10+: ￥22.2492 100+: ￥21.8519 1000+: ￥21.6533 3000+: ￥21.0573
我要买
Alliance Memory, Inc. 48-TFBGA 48-迷你型BGA（8x10） 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 48MINIBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （256K x 16） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFBGA 供应商器件封装:48-迷你型BGA（8x10） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（256k x 16） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
S34ML04G200TFI503
标准卷带
10+: ￥35.3102 100+: ￥34.6797 1000+: ￥34.3644 3000+: ￥33.4186
我要买
Cypress Semiconductor Corp 48-TSOP I 描述:IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:4Gb （512M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:25ns 访问时间:25ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 封装/外壳:48-TSOP I 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:4g（512m x 8） 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S34ML04G200TFI903
标准卷带
10+: ￥35.3102 100+: ￥34.6797 1000+: ￥34.3644 3000+: ￥33.4186
我要买
Cypress Semiconductor Corp 48-TSOP I 描述:IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:4Gb （512M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:25ns 访问时间:25ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 封装/外壳:48-TSOP I 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:4g（512m x 8） 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
AS4C32M16MD1-5BINTR
标准卷带
10+: ￥35.3102 100+: ￥34.6797 1000+: ￥34.3644 3000+: ￥33.4186
我要买
Alliance Memory, Inc. 60-TFBGA 60-FBGA（8x9） 描述:IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:512Mb （32M x 16） 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-FBGA（8x9） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:移动 ddr sdram 存储容量:512m（32m x 16） 速度:200mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.9 v
S29GL256S10TFA023
标准卷带
1000
10+: ￥1.7212 100+: ￥1.6905 1000+: ￥1.6751 3000+: ￥1.6290
我要买
Cypress Semiconductor Corp 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 56-TSOP 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（16m x 16） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
alt S29GL256S10TFB023
标准卷带
1000
10+: ￥1.9111 100+: ￥1.8769 1000+: ￥1.8599 3000+: ￥1.8087
我要买
Cypress Semiconductor Corp 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 56-TSOP 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（16m x 16） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S34ML02G100TFA003
标准卷带
10+: ￥35.3482 100+: ￥34.7170 1000+: ￥34.4014 3000+: ￥33.4546
我要买
Cypress Semiconductor Corp 描述:IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字，页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:2g（256m x 8） 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S34ML02G100TFB003
标准卷带
10+: ￥35.3482 100+: ￥34.7170 1000+: ￥34.4014 3000+: ￥33.4546
我要买
Cypress Semiconductor Corp 描述:IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I *存储器类型: *存储器格式: 技术: *存储容量: 存储器接口: 时钟频率: 写周期时间 - 字，页: 访问时间: *电压 - 电源: 工作温度: 安装类型: 封装/外壳: 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:2g（256m x 8） 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S29JL064J55BHI003
标准卷带
2500
10+: ￥1.4681 100+: ￥1.4419 1000+: ￥1.4288 3000+: ￥1.3894
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Cypress Semiconductor Corp 48-VFBGA 48-FBGA（8.15x6.15） 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb （8M x 8，4M x 16） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-FBGA（8.15x6.15） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m（8m x 8，4m x 16） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
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