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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
S25FS256SAGMFV001
管件
47
10+: 20.9710 100+: 20.5965 1000+: 20.4093 3000+: 19.8475
我要买
Cypress Semiconductor Corp 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:1.7 v ~ 2 v
S25FL256SAGMFV000
托盘
2400
10+: 1.1137 100+: 1.0938 1000+: 1.0839 3000+: 1.0541
我要买
Cypress Semiconductor Corp 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL256SAGMFV010
托盘
2400
10+: 1.1137 100+: 1.0938 1000+: 1.0839 3000+: 1.0541
我要买
Cypress Semiconductor Corp 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL256SAGMFVG00
托盘
1200
10+: 1.1264 100+: 1.1063 1000+: 1.0962 3000+: 1.0660
我要买
Cypress Semiconductor Corp 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL256SAGMFVR00
托盘
240
10+: 16.4275 100+: 16.1341 1000+: 15.9875 3000+: 15.5474
我要买
Cypress Semiconductor Corp 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC 描述:IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL256SDPMFV000
托盘
240
10+: 20.2369 100+: 19.8756 1000+: 19.6949 3000+: 19.1528
我要买
Cypress Semiconductor Corp 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC 描述:IC FLASH 256M SPI 66MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:66MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:66mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL256SDPMFV010
托盘
240
10+: 20.1610 100+: 19.8010 1000+: 19.6210 3000+: 19.0810
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Cypress Semiconductor Corp 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC 描述:IC FLASH 256M SPI 66MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:66MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:66mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL256SDSMFV010
托盘
10+: 32.7284 100+: 32.1440 1000+: 31.8518 3000+: 30.9751
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Cypress Semiconductor Corp 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC 描述:NO WARRANTY *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:80mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FS256SAGMFV000
托盘
240
10+: 20.2369 100+: 19.8756 1000+: 19.6949 3000+: 19.1528
我要买
Cypress Semiconductor Corp 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:1.7 v ~ 2 v
CY7C1010DV33-10VXIT
标准卷带
500
10+: 7.2899 100+: 7.1597 1000+: 7.0946 3000+: 6.8993
我要买
Cypress Semiconductor Corp 36-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 36-SOJ 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 36SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (256K x 8) 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:36-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:36-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(256k x 8) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
71V416S12YGI8
标准卷带
500
10+: 23.8566 100+: 23.4306 1000+: 23.2175 3000+: 22.5785
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 44-SOJ 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (256K x 16) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(256k x 16) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
71V416S15YGI8
标准卷带
10+: 32.8044 100+: 32.2186 1000+: 31.9257 3000+: 31.0470
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IDT, Integrated Device Technology Inc 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 44-SOJ 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (256K x 16) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(256k x 16) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
S29GL256S90FHI013
标准卷带
1600
10+: 1.5693 100+: 1.5413 1000+: 1.5273 3000+: 1.4853
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Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S29GL256S90FHI023
标准卷带
10+: 32.0830 100+: 31.5101 1000+: 31.2236 3000+: 30.3642
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S29GL128P11FAIS43
标准卷带
10+: 32.0830 100+: 31.5101 1000+: 31.2236 3000+: 30.3642
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:110ns 访问时间:110ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA(13x11) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:*
S29GL128P11FFIS33
标准卷带
10+: 32.0830 100+: 31.5101 1000+: 31.2236 3000+: 30.3642
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:110ns 访问时间:110ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA(13x11) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:*
S29GL128P11FFIS43
标准卷带
10+: 32.0830 100+: 31.5101 1000+: 31.2236 3000+: 30.3642
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:110ns 访问时间:110ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA(13x11) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:*
6116SA20TPGI
管件
15
10+: 20.1863 100+: 19.8259 1000+: 19.6456 3000+: 19.1049
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 24-DIP(0.300",7.62mm) 24-PDIP 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Kb (2K x 8) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:24-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装:24-PDIP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:16k(2k x 8) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
S29PL032J55BFI123
标准卷带
10+: 32.1969 100+: 31.6219 1000+: 31.3344 3000+: 30.4720
我要买
Cypress Semiconductor Corp 48-VFBGA 48-FBGA(8.15x6.15) 描述:IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb (2M x 16) 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-FBGA(8.15x6.15) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:32m(2m x 16) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
MX30LF2G28AB-TI
托盘
10+: 32.2348 100+: 31.6592 1000+: 31.3714 3000+: 30.5080
我要买
Macronix 48-TFSOP(0.488",12.40mm 宽) 48-TSOP 描述:IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:2Gb (256M x 8) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP(0.488",12.40mm 宽) 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nand(slc) 存储容量:2g(256m x 8) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
MX30LF2G18AC-TI
托盘
960
10+: 18.2120 100+: 17.8868 1000+: 17.7242 3000+: 17.2363
我要买
Macronix 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 48-TSOP 描述:IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:2Gb (256M x 8) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nand(slc) 存储容量:2g(256m x 8) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S29AL016J70TFA020
托盘
192
10+: 0.6201 100+: 0.6091 1000+: 0.6035 3000+: 0.5869
我要买
Cypress Semiconductor Corp 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 48-TSOP 描述:IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:16Mb (2M x 8,1M x 16) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:16m(2m x 8 或 1m x 16) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
71256SA15PZGI8
标准卷带
10+: 32.3487 100+: 31.7711 1000+: 31.4823 3000+: 30.6158
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 28-TSOP 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 供应商器件封装:28-TSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
FM25640B-GATR
标准卷带
10+: 32.3487 100+: 31.7711 1000+: 31.4823 3000+: 30.6158
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Cypress Semiconductor Corp 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 8-SOIC 描述:IC FRAM 64K SPI 4MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM(铁电体 RAM) *存储容量:64Kb (8K x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字,页:4MHz 访问时间:- *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:fram(ferroelectric ram) 存储容量:64k(8k x 8) 速度:4mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
AS6C4008-55BINTR
标准卷带
2000
10+: 2.8729 100+: 2.8216 1000+: 2.7960 3000+: 2.7190
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Alliance Memory, Inc. 36-TFBGA 36-TFBGA(6x8) 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:36-TFBGA 供应商器件封装:36-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(512k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v
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