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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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S25FS256SAGMFV001
Datasheet 规格书
ROHS
管件
47
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:1.7 v ~ 2 v | |
S25FL256SAGMFV000
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
2400
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FL256SAGMFV010
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ROHS
托盘
2400
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FL256SAGMFVG00
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ROHS
托盘
1200
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FL256SAGMFVR00
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ROHS
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240
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FL256SDPMFV000
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ROHS
托盘
240
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 256M SPI 66MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:66MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:66mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FL256SDPMFV010
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ROHS
托盘
240
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 256M SPI 66MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:66MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:66mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FL256SDSMFV010
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:NO WARRANTY *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:80mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S25FS256SAGMFV000
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
240
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O, QPI 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:1.7 v ~ 2 v | |
CY7C1010DV33-10VXIT
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
500
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Cypress Semiconductor Corp | 36-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) | 36-SOJ | 描述:IC SRAM 2M PARALLEL 36SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:2Mb (256K x 8) 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:36-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:36-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:2m(256k x 8) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
71V416S12YGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
500
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (256K x 16) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(256k x 16) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
71V416S15YGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) | 44-SOJ | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (256K x 16) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(256k x 16) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v | |
S29GL256S90FHI013
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1600
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S29GL256S90FHI023
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S29GL128P11FAIS43
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:110ns 访问时间:110ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA(13x11) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:* | ||
S29GL128P11FFIS33
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:110ns 访问时间:110ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA(13x11) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:* | ||
S29GL128P11FFIS43
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 64-FBGA(13x11) | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:110ns 访问时间:110ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA(13x11) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:* | ||
6116SA20TPGI
Datasheet 规格书
ROHS
管件
15
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 24-DIP(0.300",7.62mm) | 24-PDIP | 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Kb (2K x 8) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:24-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装:24-PDIP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:16k(2k x 8) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
S29PL032J55BFI123
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 48-VFBGA | 48-FBGA(8.15x6.15) | 描述:IC FLASH 32M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb (2M x 16) 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-FBGA(8.15x6.15) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:32m(2m x 16) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
MX30LF2G28AB-TI
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
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Macronix | 48-TFSOP(0.488",12.40mm 宽) | 48-TSOP | 描述:IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:2Gb (256M x 8) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP(0.488",12.40mm 宽) 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nand(slc) 存储容量:2g(256m x 8) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
MX30LF2G18AC-TI
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
960
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Macronix | 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 48-TSOP | 描述:IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:2Gb (256M x 8) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nand(slc) 存储容量:2g(256m x 8) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
S29AL016J70TFA020
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
192
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Cypress Semiconductor Corp | 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 48-TSOP | 描述:IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:16Mb (2M x 8,1M x 16) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:16m(2m x 8 或 1m x 16) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v | |
71256SA15PZGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) | 28-TSOP | 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 供应商器件封装:28-TSOP 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
FM25640B-GATR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) | 8-SOIC | 描述:IC FRAM 64K SPI 4MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM(铁电体 RAM) *存储容量:64Kb (8K x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI 写周期时间 - 字,页:4MHz 访问时间:- *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:fram(ferroelectric ram) 存储容量:64k(8k x 8) 速度:4mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v | |
AS6C4008-55BINTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
2000
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Alliance Memory, Inc. | 36-TFBGA | 36-TFBGA(6x8) | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb (512K x 8) 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:36-TFBGA 供应商器件封装:36-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m(512k x 8) 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 5.5 v |