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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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AS4C16M32MD1-5BCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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Alliance Memory, Inc. | 90-VFBGA | 90-FBGA（8x13） | 描述:IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:512Mb （16M x 32） 存储器接口:5ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:90-VFBGA 供应商器件封装:90-FBGA（8x13） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:移动 ddr sdram 存储容量:512m（16m x 32） 速度:200mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.95 v |
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S29AL008J55TFAR23
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 48-TSOP I | 描述:IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP I *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:8Mb （1M x 8，512K x 16） 存储器接口:55ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:55ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:48-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:8m（1m x 8 或 512k x 16） 速度:55ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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S25FL032P0XMFA010
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
1400
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Cypress Semiconductor Corp | 8-SOIC（5.30MM 宽） | 8-SOIC | 描述:IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb（4M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:5µs，3ms 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:32m（4m x 8） 速度:104mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S29AL008J70TFN020
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
96
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Cypress Semiconductor Corp | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 48-TSOP | 描述:IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:8Mb （1M x 8，512K x 16） 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:8m（1m x 8 或 512k x 16） 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S29GL128P10FFIS13
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:100ns 访问时间:100ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA（13x11） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:* | |
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S29GL128P11FFIS13
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Cypress Semiconductor Corp | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb （16M x 8） 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:110ns 访问时间:110ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C（TA） 工作温度:表面贴装型 安装类型:64-LBGA 封装/外壳:64-FBGA（13x11） 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m（16m x 8） 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:* | |
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S29GL256S10FAIV13
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1600
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（16m x 16） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v |
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S29GL256S10FAIV23
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1600
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（16m x 16） 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v |
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S29GL256S11FHIV13
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1600
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（16m x 16） 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v |
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S29GL256S11FHIV23
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1600
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:110ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（16m x 16） 速度:110ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v |
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S29GL256S90FAI013
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1600
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（16m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S29GL256S90FAI023
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1600
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA（13x11） | 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （16M x 16） 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（16m x 16） 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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CY62148EV30LL-45ZSXIT
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
1000
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Cypress Semiconductor Corp | 32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽） | 32-TSOP II | 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb（512K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45 ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（512k x 8） 速度:45ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 v ~ 3.6 v |
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6116LA20SOGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） | 24-SOIC | 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Kb （2K x 8） 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:24-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:16k（2k x 8） 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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6116LA25SOGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
1000
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） | 24-SOIC | 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Kb （2K x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:24-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:16k（2k x 8） 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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71V424S10PHGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb （512K x 8） 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:4m（512k x 8） 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v |
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6116SA25SOGI8
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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IDT, Integrated Device Technology Inc | 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） | 24-SOIC | 描述:IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Kb （2K x 8） 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:24-SOIC 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:16k（2k x 8） 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v |
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AS4C32M16MD1-5BCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
标准卷带
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Alliance Memory, Inc. | 60-TFBGA | 60-FPBGA（8x9） | 描述:IC DRAM 512M PARALLEL 60FPBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:512Mb （32M x 16） 存储器接口:700ps 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:200MHz 访问时间:15ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-30°C ~ 85°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-FPBGA（8x9） 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:移动 ddr sdram 存储容量:512m（32m x 16） 速度:200mhz 接口:并联 电压 - 电源:1.7 v ~ 1.9 v |
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S25FL256SAGMFV001
Datasheet 规格书
ROHS
管件
47
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （32M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（32m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL256SAGMFV011
Datasheet 规格书
ROHS
管件
47
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （32M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（32m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL256SAGMFVG01
Datasheet 规格书
ROHS
管件
705
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （32M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（32m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL256SAGMFVR01
Datasheet 规格书
ROHS
管件
235
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （32M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（32m x 8） 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL256SDPMFV001
Datasheet 规格书
ROHS
管件
47
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 256M SPI 66MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （32M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:66MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（32m x 8） 速度:66mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL256SDPMFV011
Datasheet 规格书
ROHS
管件
47
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 256M SPI 66MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （32M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:66MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（32m x 8） 速度:66mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |
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S25FL256SDSMFV011
Datasheet 规格书
ROHS
管件
47
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Cypress Semiconductor Corp | 16-SOIC（7.50MM 宽） | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 256M SPI 80MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb （32M x 8） 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字，页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m（32m x 8） 速度:80mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v |