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辰科物联
https://www.chenkeiot.com/
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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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AS25F364MQ-10WIN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
570
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Alliance Memory, Inc. | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON（6x5） | 描述:64MBX1/X2/X4 3.3V INDUSTRIAL (-4 *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb（16M x 4） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:30µs，800µs 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（6x5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AS4C32M16D2C-25BCN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
209
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Alliance Memory, Inc. | 84-TFBGA | 84-FBGA（8x12.5） | 描述:DDR2, 512MB, 32M X 16, 1.8V, 84- *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:512Mb（32M x 16） 存储器接口:SSTL_18 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:0.4 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:0°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:84-TFBGA 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AS4C32M16D2C-25BIN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
209
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Alliance Memory, Inc. | 84-TFBGA | 84-FBGA（8x12.5） | 描述:DDR2, 512MB, 32M X 16, 1.8V, 84- *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:512Mb（32M x 16） 存储器接口:SSTL_18 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:0.4 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:84-TFBGA 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AS7C31026B-10JIN
Datasheet 规格书
ROHS
管件
16
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Alliance Memory, Inc. | 44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） | 44-SOJ | 描述:1M FAST NEW 64K X 16 3.3V INDUST *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb（64K x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:10ns 访问时间:10 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-SOJ 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AS4C2M32S-6BCN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
190
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Alliance Memory, Inc. | 90-TFBGA | 90-TFBGA（8x13） | 描述:64M - NEW OPTION 2M X 32 3.3V CO *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:64Mb（2M x 32） 存储器接口:LVTTL 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:90-TFBGA 供应商器件封装:90-TFBGA（8x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AS6C62256-55PIN
Datasheet 规格书
ROHS
管件
15
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Alliance Memory, Inc. | 28-DIP（0.600"，15.24mm） | 28-PDIP | 描述:256K LOW POWER 32K X 8 2.7-5.5V *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb（32K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:28-DIP（0.600"，15.24mm） 供应商器件封装:28-PDIP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AS4C64M16D3LC-12BCN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
198
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Alliance Memory, Inc. | 96-VFBGA | 96-FBGA（7.5x13） | 描述:DDR3, 1G, 64M X 16, 1.35V, 96-BA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AS4C128M8D3LC-12BCN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
210
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Alliance Memory, Inc. | 78-VFBGA | 78-FBGA（7.5x10.5） | 描述:DDR3, 1G, 128M X 8, 1.35V, 78-BA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-FBGA（7.5x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AS4C128M8D3LC-12BIN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
210
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Alliance Memory, Inc. | 78-VFBGA | 78-FBGA（7.5x10.5） | 描述:DDR3, 1G, 128M X 8, 1.35V, 78-BA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-FBGA（7.5x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AS6C8016B-55ZIN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
135
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP II | 描述:8M LOW - NEW 512K X 16 2.7-3.6V *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:8Mb（512K x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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M58BW016FB7T3F
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
1500
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Alliance Memory, Inc. | 80-BQFP | 80-PQFP（14x20） | 描述:MICRON - 16MBX32 3V AUTOMOTIVE - *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - 引导块 *存储容量:16Mb（512K x 32） 存储器接口:CFI 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:70 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:80-BQFP 供应商器件封装:80-PQFP（14x20） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AS4C8M32MSB-6BIN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
240
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Alliance Memory, Inc. | 90-VFBGA | 90-FBGA（8x13） | 描述:256M - NEW8M X 321.7V-1.95VINDUS *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:256Mb（8M x 32） 存储器接口:并联 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:90-VFBGA 供应商器件封装:90-FBGA（8x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AS4C16M32MSB-6BIN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
190
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Alliance Memory, Inc. | 90-VFBGA | 90-FBGA（8x13） | 描述:512M - NEW1 6M X 32 1.8V INDUSTR *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:512Mb（16M x 32） 存储器接口:并联 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:90-VFBGA 供应商器件封装:90-FBGA（8x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AS4C64M32MD1A-5BIN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
240
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Alliance Memory, Inc. | 90-VFBGA | 90-FBGA（8x13） | 描述:2G - A DIE 64M X 32 1.8V INDUSTR *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:2Gb（64M x 32） 存储器接口:并联 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:90-VFBGA 供应商器件封装:90-FBGA（8x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AS4C128M16D3LD-12BCN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
190
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Alliance Memory, Inc. | - | - | 描述:2G NEW - D DIE 128M X 16 1.35V C *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AS4C256M16D4A-75BCN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
198
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Alliance Memory, Inc. | 96-TFBGA | 96-FBGA（7.5x13） | 描述:4G, DDR4, 256 X 16, 1.2V, 96-BAL *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:4Gb（256M x 16） 存储器接口:POD 时钟频率:1.333 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:18 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AS4C256M16D4A-75BIN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
198
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Alliance Memory, Inc. | 96-TFBGA | 96-FBGA（7.5x13） | 描述:4G, DDR4, 256 X 16, 1.2V, 96-BAL *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:4Gb（256M x 16） 存储器接口:POD 时钟频率:1.333 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:18 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AS6C1616B-45TIN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
135
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Alliance Memory, Inc. | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 48-TSOP I | 描述:16M LOW POWER - NEW 1024K X 16 2 *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Mb（1M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:48-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AS4C64M8SD-7TCN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
108
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Alliance Memory, Inc. | 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 54-TSOP II | 描述:512M - D DIE NEW - SINGLE DIE 64 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:512Mb（64M x 8） 存储器接口:LVTTL 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5.4 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:54-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AS4C256M8D2A-25BCN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
264
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Alliance Memory, Inc. | 60-TFBGA | 60-FBGA（8x10） | 描述:2G - A DIE 256M X 8 1.8V COMMERC *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:2Gb（256M x 8） 存储器接口:SSTL_18 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400 ps *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:0°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-FBGA（8x10） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AS4C512M8D3LC-10BAN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
242
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Alliance Memory, Inc. | 78-TFBGA | 78-FBGA（7.5x10.6） | 描述:4G - C DIE - NEW OPTION 512M X 8 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb（512M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-FBGA（7.5x10.6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AS4C256M16D3LC-10BAN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
209
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Alliance Memory, Inc. | 96-TFBGA | 96-FBGA（7.5x13.5） | 描述:4G - C DIE 256M X 16 1.35V AUTOM *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb（256M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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S80KS2564GACHV040
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
260
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Cypress Semiconductor Corp | 49-VBGA | 49-FBGA（8x8） | 描述:256MBIT 1.8 V INDUSTRIAL HYPERBU *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM（伪 SRAM） *存储容量:256Mb（16M x 16） 存储器接口:HyperBus 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:49-VBGA 供应商器件封装:49-FBGA（8x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AS4C1G8D4-75BIN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
209
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Alliance Memory, Inc. | 78-TFBGA | 78-FBGA（7.5x12） | 描述:8GB 1GX8 1.2V INDUSTRIAL (-40 ~ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:8Gb（1G x 8） 存储器接口:POD 时钟频率:1.333 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:18 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-FBGA（7.5x12） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AS4C512M16D4-75BIN
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
198
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Alliance Memory, Inc. | 96-TFBGA | 96-FBGA（7.5x13） | 描述:8GB 512MX16 1.2V INDUSTRIAL (-40 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:8Gb（512M x 16） 存储器接口:POD 时钟频率:1.333 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:18 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |