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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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BR93G86FV-3GTE2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
2500
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Rohm Semiconductor | 8-LSSOP(4.40MM 宽) | 8-SSOP-B | 描述:16KBIT, MICROWIRE BUS, LOW POWER *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:16Kb(1K x 16,2K x 8) 存储器接口:SPI 时钟频率:3 MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-LSSOP(4.40MM 宽) 供应商器件封装:8-SSOP-B 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
BR24G256NUX-5TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带(TR)
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Rohm Semiconductor | 8-UFDFN 裸露焊盘 | VSON008X2030 | 描述:256KBIT, IC BUS, HIGH ENDURANCE, *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:256Kb(32K x 8) 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.6V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:VSON008X2030 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25Q10EWUXIE TR
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ROHS
卷带(TR)
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Winbond Electronics | 8-UFDFN 裸露焊盘 | 8-USON(2x3) | 描述:SPIFLASH, 1.8V 1M-BIT, 4KB UNIFO *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Mb(128k x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:30µs,800µs 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.65V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-USON(2x3) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
NV34C02MUW3VTBG
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ROHS
卷带(TR)
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onsemi | 8-UFDFN 裸露焊盘 | 8-UDFN(2x3) | 描述:IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8UDFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:2Kb(256 x 8) 存储器接口:I²C 时钟频率:400 kHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:900 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN(2x3) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
NV93C46BMUW3VTBG
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ROHS
卷带(TR)
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onsemi | 8-UFDFN 裸露焊盘 | 8-UDFN(2x3) | 描述:IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ 8UDFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb(128 x 8,64 x 16) 存储器接口:SPI 时钟频率:2 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN(2x3) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25Q32JWSSIM
Datasheet 规格书
ROHS
管件
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Winbond Electronics | 8-SOIC(5.30MM 宽) | 8-SOIC | 描述:SPIFLASH, 1.8V, 32M-BIT, 4KB UNI *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb(4M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI,DTR 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(5.30MM 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W77Q32JWSSIQ
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ROHS
管件
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Winbond Electronics | 8-SOIC(5.30MM 宽) | 8-SOIC | 描述:SECURE SPIFLASH, 1.8V, 32M-BIT, *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:- 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(5.30MM 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W77Q32JWSSIN
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ROHS
管件
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Winbond Electronics | 8-SOIC(5.30MM 宽) | 8-SOIC | 描述:SECURE SPIFLASH, 1.8V, 32M-BIT, *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:- 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(5.30MM 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25N04KVSFIU
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ROHS
管件
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Winbond Electronics | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:4G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:4Gb(512M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:250µs 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25N04KVSFIR
Datasheet 规格书
ROHS
管件
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Winbond Electronics | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:4G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:4Gb(512M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:250µs 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25Q01JVSFIM
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ROHS
管件
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Winbond Electronics | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:SPIFLASH, 1G-BIT, 4KB UNIFORM SE *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:3.5ms 访问时间:7.5 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
M10162040108X0IWAR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带(TR)
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Renesas Electronics America Inc | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-DFN(5x6) | 描述:IC RAM 16MBIT 108MHZ 8DFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM(磁阻式 RAM) *存储容量:16Mb(4M x 4) 存储器接口:- 时钟频率:108 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.71V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
MR3A16ACMA35R
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ROHS
卷带(TR)
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Everspin Technologies Inc. | 48-LFBGA | 48-FBGA(10x10) | 描述:IC RAM 8MBIT PARALLEL 48FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM(磁阻式 RAM) *存储容量:8Mb(512K x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA(10x10) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
X28HC256JIZ-15T1
Datasheet 规格书
ROHS
卷带(TR)
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Renesas Electronics America Inc | 32-LCC(J 形引线) | 32-PLCC(11.43x13.97) | 描述:IC EEPROM 256KBIT 150NS 32PLCC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:256Kb(32K x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:150 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-LCC(J 形引线) 供应商器件封装:32-PLCC(11.43x13.97) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
X28HC256JZ-15T1
Datasheet 规格书
ROHS
卷带(TR)
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Renesas Electronics America Inc | 32-LCC(J 形引线) | 32-PLCC(11.43x13.97) | 描述:IC EEPROM 256KBIT 150NS 32PLCC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:256Kb(32K x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:150 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-LCC(J 形引线) 供应商器件封装:32-PLCC(11.43x13.97) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS21TF32G-JCLI-TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带(TR)
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 153-VFBGA | 153-VFBGA(11.5x13) | 描述:IC FLASH 32GBIT 3.3V 153FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(TLC) *存储容量:256Gb(32G x 8) 存储器接口:MMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-VFBGA 供应商器件封装:153-VFBGA(11.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
x28c256p
Datasheet 规格书
ROHS
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XICOR | dip28 | 描述: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:dip28 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | ||
CY14B256Q2-LHXI
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
2832-CY14B256Q2-LHXI
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Cypress Semiconductor Corp | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-DFN(5x6) | 描述:NVRAM NVSRAM SERIAL-SPI 256KBIT *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:256Kb(32k x 8) 存储器接口:- 时钟频率:40 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:9 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
S29GL256P90FAIR10
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
2832-S29GL256P90FAIR10
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Cypress Semiconductor Corp | 64-LBGA | 64-FBGA(13x11) | 描述:NOR FLASH PARALLEL 3.3V 256M-BIT *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb(256Mb(16M x 16)) 存储器接口:CFI 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:90ns 访问时间:90 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
CY62138FV30LL-45ZXA
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
2832-CY62138FV30LL-45ZXA
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Cypress Semiconductor Corp | 32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 32-TSOP I | 描述:SRAM - ASYNCHRONOUS MEMORY IC 2M *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步 *存储容量:2Mb(256K x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:45ns 访问时间:45 ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:32-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
S29GL128N90TFIR10
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
2832-S29GL128N90TFIR10
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Cypress Semiconductor Corp | 56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 56-TSOP | 描述:FLASH, 8MX16, 90NS, PDSO56 *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb(8M x 16,16M x 8) 存储器接口:CFI 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:90ns 访问时间:90 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
CY62138FV30LL-45BXI
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
2832-CY62138FV30LL-45BXI
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Cypress Semiconductor Corp | - | - | 描述:SRAM 2MBIT 256K X 8 2.2V - 3.6V *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步 *存储容量:2Mb(256K x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:45ns 访问时间:45 ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
NDL26PFI-8KIT TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
1500
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Insignis Technology Corporation | 96-VFBGA | 96-FBGA(7.5x13) | 描述:DDR3L 2GB X16 FBGA 7.5X13(X1.0) *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-FBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
LKT4202U
Datasheet 规格书
ROHS
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Link coresafe(凌科芯安)-cn | 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) | 8-SOIC | 描述: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
AT25FF161A-SSHL-T
Datasheet 规格书
ROHS
卷带
4000
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Dialog Semiconductor GmbH | 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) | 8-SOIC | 描述:8-PIN N-SOIC, IND TEP, 1.65V TO *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:16Mb(2M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:50µs,7ms 访问时间:8 ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.75V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |