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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
alt BR93G86FV-3GTE2
卷带
2500
10+: 4.4802 100+: 4.4002 1000+: 4.3602 3000+: 4.2402
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Rohm Semiconductor 8-LSSOP(4.40MM 宽) 8-SSOP-B 描述:16KBIT, MICROWIRE BUS, LOW POWER *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:16Kb(1K x 16,2K x 8) 存储器接口:SPI 时钟频率:3 MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-LSSOP(4.40MM 宽) 供应商器件封装:8-SSOP-B 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt BR24G256NUX-5TR
卷带(TR)
10+: 4.5182 100+: 4.4375 1000+: 4.3972 3000+: 4.2761
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Rohm Semiconductor 8-UFDFN 裸露焊盘 VSON008X2030 描述:256KBIT, IC BUS, HIGH ENDURANCE, *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:256Kb(32K x 8) 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.6V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:VSON008X2030 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25Q10EWUXIE TR
卷带(TR)
10+: 3.8854 100+: 3.8160 1000+: 3.7813 3000+: 3.6772
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Winbond Electronics 8-UFDFN 裸露焊盘 8-USON(2x3) 描述:SPIFLASH, 1.8V 1M-BIT, 4KB UNIFO *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Mb(128k x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:30µs,800µs 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.65V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-USON(2x3) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
NV34C02MUW3VTBG
卷带(TR)
10+: 4.1512 100+: 4.0770 1000+: 4.0400 3000+: 3.9288
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onsemi 8-UFDFN 裸露焊盘 8-UDFN(2x3) 描述:IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8UDFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:2Kb(256 x 8) 存储器接口:I²C 时钟频率:400 kHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:900 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN(2x3) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
NV93C46BMUW3VTBG
卷带(TR)
10+: 4.1512 100+: 4.0770 1000+: 4.0400 3000+: 3.9288
我要买
onsemi 8-UFDFN 裸露焊盘 8-UDFN(2x3) 描述:IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ 8UDFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb(128 x 8,64 x 16) 存储器接口:SPI 时钟频率:2 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN(2x3) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25Q32JWSSIM
管件
10+: 8.6440 100+: 8.4897 1000+: 8.4125 3000+: 8.1810
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Winbond Electronics 8-SOIC(5.30MM 宽) 8-SOIC 描述:SPIFLASH, 1.8V, 32M-BIT, 4KB UNI *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb(4M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI,DTR 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(5.30MM 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt W77Q32JWSSIQ
管件
10+: 11.3904 100+: 11.1870 1000+: 11.0853 3000+: 10.7802
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Winbond Electronics 8-SOIC(5.30MM 宽) 8-SOIC 描述:SECURE SPIFLASH, 1.8V, 32M-BIT, *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:- 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(5.30MM 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt W77Q32JWSSIN
管件
10+: 11.3904 100+: 11.1870 1000+: 11.0853 3000+: 10.7802
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Winbond Electronics 8-SOIC(5.30MM 宽) 8-SOIC 描述:SECURE SPIFLASH, 1.8V, 32M-BIT, *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:- 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(5.30MM 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25N04KVSFIU
管件
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Winbond Electronics 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC 描述:4G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:4Gb(512M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:250µs 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25N04KVSFIR
管件
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Winbond Electronics 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC 描述:4G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:4Gb(512M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:250µs 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25Q01JVSFIM
管件
10+: 94.8694 100+: 93.1753 1000+: 92.3282 3000+: 89.7871
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Winbond Electronics 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC 描述:SPIFLASH, 1G-BIT, 4KB UNIFORM SE *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:3.5ms 访问时间:7.5 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt M10162040108X0IWAR
卷带(TR)
10+: 314.1979 100+: 308.5872 1000+: 305.7818 3000+: 297.3658
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Renesas Electronics America Inc 8-WDFN 裸露焊盘 8-DFN(5x6) 描述:IC RAM 16MBIT 108MHZ 8DFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM(磁阻式 RAM) *存储容量:16Mb(4M x 4) 存储器接口:- 时钟频率:108 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.71V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MR3A16ACMA35R
卷带(TR)
10+: 312.5779 100+: 306.9961 1000+: 304.2053 3000+: 295.8326
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Everspin Technologies Inc. 48-LFBGA 48-FBGA(10x10) 描述:IC RAM 8MBIT PARALLEL 48FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM(磁阻式 RAM) *存储容量:8Mb(512K x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA(10x10) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
X28HC256JIZ-15T1
卷带(TR)
10+: 333.2325 100+: 327.2819 1000+: 324.3066 3000+: 315.3807
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Renesas Electronics America Inc 32-LCC(J 形引线) 32-PLCC(11.43x13.97) 描述:IC EEPROM 256KBIT 150NS 32PLCC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:256Kb(32K x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:150 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-LCC(J 形引线) 供应商器件封装:32-PLCC(11.43x13.97) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
X28HC256JZ-15T1
卷带(TR)
10+: 333.2325 100+: 327.2819 1000+: 324.3066 3000+: 315.3807
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Renesas Electronics America Inc 32-LCC(J 形引线) 32-PLCC(11.43x13.97) 描述:IC EEPROM 256KBIT 150NS 32PLCC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:256Kb(32K x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:150 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-LCC(J 形引线) 供应商器件封装:32-PLCC(11.43x13.97) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS21TF32G-JCLI-TR
卷带(TR)
10+: 348.4450 100+: 342.2228 1000+: 339.1116 3000+: 329.7783
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 153-VFBGA 153-VFBGA(11.5x13) 描述:IC FLASH 32GBIT 3.3V 153FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(TLC) *存储容量:256Gb(32G x 8) 存储器接口:MMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-VFBGA 供应商器件封装:153-VFBGA(11.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt x28c256p
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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XICOR dip28 描述: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:dip28 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt CY14B256Q2-LHXI
托盘
2832-CY14B256Q2-LHXI
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Cypress Semiconductor Corp 8-WDFN 裸露焊盘 8-DFN(5x6) 描述:NVRAM NVSRAM SERIAL-SPI 256KBIT *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM) *存储容量:256Kb(32k x 8) 存储器接口:- 时钟频率:40 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:9 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt S29GL256P90FAIR10
托盘
2832-S29GL256P90FAIR10
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(13x11) 描述:NOR FLASH PARALLEL 3.3V 256M-BIT *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb(256Mb(16M x 16)) 存储器接口:CFI 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:90ns 访问时间:90 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt CY62138FV30LL-45ZXA
托盘
2832-CY62138FV30LL-45ZXA
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Cypress Semiconductor Corp 32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 32-TSOP I 描述:SRAM - ASYNCHRONOUS MEMORY IC 2M *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步 *存储容量:2Mb(256K x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:45ns 访问时间:45 ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:32-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt S29GL128N90TFIR10
托盘
2832-S29GL128N90TFIR10
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Cypress Semiconductor Corp 56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 56-TSOP 描述:FLASH, 8MX16, 90NS, PDSO56 *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb(8M x 16,16M x 8) 存储器接口:CFI 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:90ns 访问时间:90 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt CY62138FV30LL-45BXI
托盘
2832-CY62138FV30LL-45BXI
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Cypress Semiconductor Corp - - 描述:SRAM 2MBIT 256K X 8 2.2V - 3.6V *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步 *存储容量:2Mb(256K x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:45ns 访问时间:45 ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
NDL26PFI-8KIT TR
卷带
1500
10+: 70.5699 100+: 69.3097 1000+: 68.6796 3000+: 66.7893
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Insignis Technology Corporation 96-VFBGA 96-FBGA(7.5x13) 描述:DDR3L 2GB X16 FBGA 7.5X13(X1.0) *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-FBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
LKT4202U
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Link coresafe(凌科芯安)-cn 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 8-SOIC 描述: *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
AT25FF161A-SSHL-T
卷带
4000
10+: 5.2269 100+: 5.1336 1000+: 5.0869 3000+: 4.9469
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Dialog Semiconductor GmbH 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 8-SOIC 描述:8-PIN N-SOIC, IND TEP, 1.65V TO *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:16Mb(2M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:50µs,7ms 访问时间:8 ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.75V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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