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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字，页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
NV25010DWVLT3G
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onsemi 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOIC 描述:1KB SPI SER CMOS EEPROM -LOW VCC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb（128 x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:20 MHz 写周期时间 - 字，页:4ms 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
NV25640DWVLT3G
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onsemi 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOIC 描述:64KB SPI SER CMOS EEPROM FOR VCC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:64Kb（8K x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:20 MHz 写周期时间 - 字，页:4ms 访问时间:75 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
NV25320DWVLT3G
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onsemi 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOIC 描述:32KB SPI SER CMOS EEPROM SOIC8 - *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:32Kb（4K x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:20 MHz 写周期时间 - 字，页:4ms 访问时间:75 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt NV25160DTVLT3G
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onsemi 8-TSSOP（4.40mm 宽） 8-TSSOP 描述:16KB SPI SER CMOS EEPROM TSSOP8 *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:16Kb（2K x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:20 MHz 写周期时间 - 字，页:4ms 访问时间:75 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-TSSOP（4.40mm 宽） 供应商器件封装:8-TSSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt NV24C64MUW3VTBG
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onsemi 8-UFDFN 裸露焊盘 8-UDFN（2x3） 描述:IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8UDFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:64Kb（8K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:4ms 访问时间:400 ns *电压 - 电源:1.8V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN（2x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt NV25040MUW3VTBG
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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onsemi 8-UFDFN 裸露焊盘 8-UDFN（2x3） 描述:IC EEPROM 4KBIT SPI 10MHZ 8UDFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:4kb（512 x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:10 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.8V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN（2x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt NV25010MUW3VTBG
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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onsemi 8-UFDFN 裸露焊盘 8-UDFN（2x3） 描述:IC EEPROM 1KBIT SPI 10MHZ 8UDFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb（128 x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:10 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.8V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN（2x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt NV25640MUW3VTBG
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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onsemi 8-UFDFN 裸露焊盘 8-UDFN（2x3） 描述:IC EEPROM 64KBIT SPI 10MHZ 8UDFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:64Kb（8K x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:10 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:35 ns *电压 - 电源:2.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN（2x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt K4A4G085WE-BCRC
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Samsung Semiconductor, Inc. - - 描述:DDR4-2400 4GB (512MX8)0.833NS CL *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MB85AS8MTPW-G-KBBERE1
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Kaga FEI America, Inc. 11-XFBGA，WLBGA 11-WLP（2.07x2.88） 描述:IC RAM 8MBIT SPI TYPE B 11WLCSP *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:ReRAM（电阻式 RAM） *存储容量:8Mb（1M x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:10 MHz 写周期时间 - 字，页:10ms 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.6V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:11-XFBGA，WLBGA 供应商器件封装:11-WLP（2.07x2.88） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MB85AS8MTPW-G-KBAERE1
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Kaga FEI America, Inc. 11-XFBGA，WLBGA 11-WLP（2.07x2.88） 描述:IC RAM 8MBIT SPI TYPE A 11WLCSP *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:ReRAM（电阻式 RAM） *存储容量:8Mb（1M x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:10 MHz 写周期时间 - 字，页:10ms 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.6V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:11-XFBGA，WLBGA 供应商器件封装:11-WLP（2.07x2.88） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MB85AS8MTPWG-KBCERE1
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Kaga FEI America, Inc. 11-XFBGA，WLBGA 11-WLP（2.07x2.88） 描述:IC RAM 8MBIT SPI TYPE C 11WLCSP *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:ReRAM（电阻式 RAM） *存储容量:8Mb（1M x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:10 MHz 写周期时间 - 字，页:10ms 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.6V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:11-XFBGA，WLBGA 供应商器件封装:11-WLP（2.07x2.88） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt S29VS064RABBHI013
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Cypress Semiconductor Corp 44-VFBGA 44-FBGA（7.5x5） 描述:NOR FLASH IC 64 MB FLASHMEM *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb（4M x 16） 存储器接口:CFI 时钟频率:108 MHz 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:80 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-VFBGA 供应商器件封装:44-FBGA（7.5x5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
AT25SF041B-SHD-B
管件
90
10+: ￥4.2777 100+: ￥4.2013 1000+: ￥4.1631 3000+: ￥4.0486
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Adesto Technologies 8-SOIC（5.30MM 宽） 8-SOIC 描述:IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:4Mb（512K x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:108 MHz 写周期时间 - 字，页:5µs，2.5ms 访问时间:- *电压 - 电源:2.5V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS25LP020E-JNLE
管件
10+: ￥4.6701 100+: ￥4.5867 1000+: ￥4.5450 3000+: ￥4.4199
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOIC 描述:2MB QSPI, 8-PIN SOP 150MIL, ROHS *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:2Mb（256K x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:1.2ms 访问时间:8 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
GD25Q16ETIGR
卷带
3000
10+: ￥5.1890 100+: ￥5.0963 1000+: ￥5.0500 3000+: ￥4.9110
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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOP 描述:16MBIT NOR FLASH /3.3V /SOP8 150 *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:16Mb（2M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:70µs，2ms 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MX25V16066M1I02
管件
98
10+: ￥5.3408 100+: ￥5.2455 1000+: ￥5.1978 3000+: ￥5.0547
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Macronix 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOP 描述:IC FLASH 16MBIT SPI/DUAL 8SOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:16Mb（2M x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:80 MHz 写周期时间 - 字，页:180µs，4ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
GD25Q32ETIGR
卷带
3000
10+: ￥6.4799 100+: ￥6.3642 1000+: ￥6.3063 3000+: ￥6.1327
我要买
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOP 描述:32MBIT NOR FLASH /3.3V /SOP8 150 *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb（4M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:70µs，2.4ms 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt GD25LQ32ESIGR
卷带
2000
10+: ￥7.1886 100+: ￥7.0602 1000+: ￥6.9961 3000+: ￥6.8035
我要买
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 8-SOIC（5.30MM 宽） 8-SOP 描述:32MBIT NOR FLASH /1.8V /SOP8 208 *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb（4M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:60µs，2.4ms 访问时间:7 ns *电压 - 电源:1.65V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IM8G16D3FFBG-125
零售封装
10+: ￥153.0870 100+: ￥150.3533 1000+: ￥148.9864 3000+: ￥144.8859
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Intelligent Memory Ltd. 96-TFBGA 96-FBGA（9x13.5） 描述:DDR3 8GB X16 1.35V/1.5V 1600MHZ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:8Gb（512M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA（9x13.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IM8G16D3FFBG-125I
零售封装
10+: ￥187.1063 100+: ￥183.7651 1000+: ￥182.0945 3000+: ￥177.0828
我要买
Intelligent Memory Ltd. 96-TFBGA 96-FBGA（9x13.5） 描述:DDR3 8GB X16 1.35V/1.5V 1600MHZ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:8Gb（512M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA（9x13.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
S-34TS04L0B-A8T5U5
卷带（TR）
10+: ￥13.2129 100+: ￥12.9769 1000+: ￥12.8589 3000+: ￥12.5050
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ABLIC Inc. 8-WFDFN 裸露焊盘 8-DFN（2x3） 描述:IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8DFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:4Kb（512 x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 3.6V 工作温度:-20°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN（2x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
BR25H640F-2LBH2
卷带（TR）
10+: ￥14.5038 100+: ￥14.2448 1000+: ￥14.1153 3000+: ￥13.7268
我要买
Rohm Semiconductor 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOP 描述:64KBIT, SPI BUS, SERIAL EEPROM ( *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:64Kb（8K x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:5 MHz 写周期时间 - 字，页:4ms 访问时间:- *电压 - 电源:2.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
NDD56PT6-2AIT TR
卷带（TR）
10+: ￥28.1343 100+: ￥27.6319 1000+: ￥27.3807 3000+: ￥26.6271
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Insignis Technology Corporation 66-TSSOP (szerokość 0，400"，10，16mm) 66-TSOP II 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR *存储容量:512Mb（32M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:700 ps *电压 - 电源:2.3V ~ 2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:66-TSSOP (szerokość 0，400"，10，16mm) 供应商器件封装:66-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
AT24CSW010-STUM-T
卷带（TR）
10+: ￥1.6073 100+: ￥1.5786 1000+: ￥1.5643 3000+: ￥1.5212
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Microchip Technology SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 TSOT-23-5 描述:1K, 1.7-3.6V,1MHZ,INDTMP,5-SOT23 *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb（128 x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:450 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 供应商器件封装:TSOT-23-5 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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