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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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7005L35JG8
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Renesas Electronics America Inc | 68-LCC(J 形引线) | 68-PLCC(24.21x24.21) | 描述:IC SRAM 64KBIT PARALLEL PLCC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,异步 *存储容量:64Kb(8K x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:68-LCC(J 形引线) 供应商器件封装:68-PLCC(24.21x24.21) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
70V9289L7PRFGI8
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Renesas Electronics America Inc | 128-LQFP | 128-TQFP(14x20) | 描述:IC SRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,标准 *存储容量:1Mb(64K x 16) 存储器接口:LVTTL 时钟频率:45.45 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:18 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:128-LQFP 供应商器件封装:128-TQFP(14x20) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
7024L20PFG8
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Renesas Electronics America Inc | 100-LQFP | 100-TQFP(14x14) | 描述:IC SRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,异步 *存储容量:64Kb(4K x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:20ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP(14x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
70914S25PFGI8
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Renesas Electronics America Inc | 80-LQFP | 80-TQFP(14x14) | 描述:IC SRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,标准 *存储容量:36Kb(4K x 9) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:25 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:80-LQFP 供应商器件封装:80-TQFP(14x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
709269L9PFG8
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Renesas Electronics America Inc | 100-LQFP | 100-TQFP(14x14) | 描述:IC SRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,标准 *存储容量:256Kb(16K x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:66 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:20 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP(14x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
70V27L25PFG8
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Renesas Electronics America Inc | 100-LQFP | 100-TQFP(14x14) | 描述:IC SRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,异步 *存储容量:512Kb(32K x 16) 存储器接口:LVTTL 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:25 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP(14x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
70V25L35PFGI8
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Renesas Electronics America Inc | 100-LQFP | 100-TQFP(14x14) | 描述:IC SRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,异步 *存储容量:128Kb(8K x 16) 存储器接口:LVTTL 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP(14x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
709269L12PFG8
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Renesas Electronics America Inc | 100-LQFP | 100-TQFP(14x14) | 描述:IC SRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,标准 *存储容量:256Kb(16K x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:50 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:25 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP(14x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
70V06S20PFGI8
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Renesas Electronics America Inc | 64-LQFP | 64-TQFP(14x14) | 描述:IC SRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,异步 *存储容量:128Kb(16K x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:20ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LQFP 供应商器件封装:64-TQFP(14x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
7005S35JG8
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Renesas Electronics America Inc | 68-LCC(J 形引线) | 68-PLCC(24.21x24.21) | 描述:IC SRAM 64KBIT PARALLEL PLCC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,异步 *存储容量:64Kb(8K x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:68-LCC(J 形引线) 供应商器件封装:68-PLCC(24.21x24.21) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
AT2QL128A-SUE-T
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Dialog Semiconductor GmbH | - | - | 描述:IC *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
MX25V1635FM1Q03
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Macronix | 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) | 8-SOP | 描述:IC FLASH 16MBIT SPI QUAD 8SOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:16Mb(2M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:80 MHz 写周期时间 - 字,页:100µs,4ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W948D6FKB-6G TR
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Winbond Electronics | - | - | 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL VFBGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W947D2HKZ-6G TR
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Winbond Electronics | - | - | 描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W948D2FKA-5G TR
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Winbond Electronics | - | - | 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL VFBGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W947D6HKB-5J TR
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Winbond Electronics | - | - | 描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54VFBGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W988D6FBGX7I TR
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Winbond Electronics | - | - | 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL VFBGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W947D2HKZ-5J TR
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Winbond Electronics | - | - | 描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W948D6FBHX6I TR
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卷带(TR)
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Winbond Electronics | - | - | 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60VFBGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
MT40A2G8JC-062E IT:E TR
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Micron Technology Inc. | 78-TFBGA | 78-FBGA(9x11) | 描述:IC FLASH 16GBIT PARALLEL 78FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:16Gb(2G x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:19 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-FBGA(9x11) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
MT40A1G16KD-062E IT:E TR
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Micron Technology Inc. | 96-TFBGA | 96-FBGA(9x13) | 描述:IC FLASH 16GBIT PARALLEL 96FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:16Gb(1G x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:19 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA(9x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
24FC256T-I/OT
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Microchip Technology | SC-74A,SOT-753 | SOT-23-5 | 描述:256KB I2C EEPROM, 1.7-5.5V, I-TE *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:256Kb(32K x 8) 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:400 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 供应商器件封装:SOT-23-5 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
24FC256T-E/OT
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Microchip Technology | SC-74A,SOT-753 | SOT-23-5 | 描述:256KB I2C EEPROM, 1.7-5.5V, E-TE *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:256Kb(32K x 8) 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:400 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 供应商器件封装:SOT-23-5 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
24CS256T-I/CS0668
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Microchip Technology | - | - | 描述:256K 3.4MHZ I2C SERIAL EEPROM, E *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
MB85RS256TYPNF-G-AWERE2
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Kaga FEI America, Inc. | 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) | 8-SOP | 描述:IC FRAM 256KBIT SPI 25MHZ 8SOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM(铁电体 RAM) *存储容量:256Kb(32K x 8) 存储器接口:SPI 时钟频率:33 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.8V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |