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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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MTFC8GLWDQ-3M AIT A TR
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Micron Technology Inc. | 100-LBGA | 100-LBGA(14x18) | 描述:IC FLASH 64GBIT MMC 100LBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:64Gb(8G x 8) 存储器接口:eMMC 时钟频率:52 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-LBGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
MTFC8GLWDQ-3L AAT A TR
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Micron Technology Inc. | 100-LBGA | 100-LBGA(14x18) | 描述:IC FLASH 64GBIT MMC 100LBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:64Gb(8G x 8) 存储器接口:eMMC 时钟频率:52 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-LBGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
MT53E2G64D8EG-046 WT:A TR
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Micron Technology Inc. | - | - | 描述:DRAM LPDDR4 128G 2GX64 FBGA 8DP *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
MT53E512M32D2NP-053 RS WT:G TR
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Micron Technology Inc. | 200-WFBGA | 200-WFBGA(10x14.5) | 描述:DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DDP *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
MT53E1G32D2NP-053 RS WT:A TR
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Micron Technology Inc. | - | - | 描述:DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
MT53D1G64D4NW-046 WT:A TR
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Micron Technology Inc. | - | - | 描述:DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA QDP *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
MT53E2G64D8EG-046 WT:C TR
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Micron Technology Inc. | - | - | 描述:DRAM LPDDR4 128G 2GX64 FBGA 8DP *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
MT40A2G8NEA-062E:J TR
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Micron Technology Inc. | 78-TFBGA | 78-FBGA(7.5x11) | 描述:MOD DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:16Gb(2G x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:19 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-FBGA(7.5x11) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
R1EV58256BSCNBI#S2
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Renesas Electronics America Inc | 28-SOIC(0.330",8.40mm 宽) | 28-SOP | 描述:IC EEPROM 256KB CMOS PRSP0028DC- *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:256Kb(32K x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:10ms 访问时间:85 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-SOIC(0.330",8.40mm 宽) 供应商器件封装:28-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
MTFC4GLMDQ-AIT A TR
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Micron Technology Inc. | 100-LBGA | 100-LBGA(14x18) | 描述:IC FLASH 32GBIT MMC 100LBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(MLC) *存储容量:32Gb(4G x 8) 存储器接口:MMC 时钟频率:52 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-LBGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
MT61M256M32KPA-14 AAT:C TR
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Micron Technology Inc. | 180-TFBGA | 180-FBGA(12x14) | 描述:IC RAM 8GBIT PARALLEL 180FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SGRAM - GDDR6 *存储容量:8Gb(256M x 32) 存储器接口:并联 时钟频率:1.5 GHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.21V ~ 1.29V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:180-TFBGA 供应商器件封装:180-FBGA(12x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
MT62F1G64D8CH-031 WT:A TR
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Micron Technology Inc. | - | - | 描述:IC FLASH 64GBIT FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR5 *存储容量:64Gb(1G x 64) 存储器接口:- 时钟频率:3.2 GHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-25°C ~ 85°C(TC) 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
MT53E128M16D1DS-053 IT:A TR
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Micron Technology Inc. | 200-WFBGA | 200-WFBGA(10x14.5) | 描述:IC DRAM LPDDR4 WFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:1.866 GHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
7006S55PFG8
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Renesas Electronics America Inc | 64-LQFP | 64-TQFP(14x14) | 描述:IC SRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,异步 *存储容量:128Kb(16K x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LQFP 供应商器件封装:64-TQFP(14x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
70261S15PFG8
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Renesas Electronics America Inc | 100-LQFP | 100-TQFP(14x14) | 描述:IC SRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,异步 *存储容量:256Kb(16K x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:15 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP(14x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
70V06S35PFG8
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Renesas Electronics America Inc | 64-LQFP | 64-TQFP(14x14) | 描述:IC SRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,异步 *存储容量:128Kb(16K x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LQFP 供应商器件封装:64-TQFP(14x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
70V28L15PFGI8
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Renesas Electronics America Inc | 100-LQFP | 100-TQFP(14x14) | 描述:IC SRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,异步 *存储容量:1Mb(64K x 16) 存储器接口:LVTTL 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:15 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP(14x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
70V9289L7PFGI8
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Renesas Electronics America Inc | 100-LQFP | 100-TQFP(14x14) | 描述:IC SRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,标准 *存储容量:1Mb(64K x 16) 存储器接口:LVTTL 时钟频率:45.45 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:18 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP(14x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
7025S35JG8
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Renesas Electronics America Inc | 84-LCC(J 形引线) | 84-PLCC(29.31x29.31) | 描述:IC SRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,异步 *存储容量:128Kb(8K x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:84-LCC(J 形引线) 供应商器件封装:84-PLCC(29.31x29.31) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
7024S55J8/S2753
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Renesas Electronics America Inc | 84-LCC(J 形引线) | 84-PLCC(29.31x29.31) | 描述:IC SRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,异步 *存储容量:64Kb(4K x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:84-LCC(J 形引线) 供应商器件封装:84-PLCC(29.31x29.31) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
70V25L35PFG8
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卷带(TR)
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Renesas Electronics America Inc | 100-LQFP | 100-TQFP(14x14) | 描述:IC SRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,异步 *存储容量:128Kb(8K x 16) 存储器接口:LVTTL 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP(14x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
7005S35PFGI8
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卷带(TR)
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Renesas Electronics America Inc | 64-LQFP | 64-TQFP(14x14) | 描述:IC SRAM 64KBIT PARALLEL PLCC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,异步 *存储容量:64Kb(8K x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LQFP 供应商器件封装:64-TQFP(14x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
7024S20PFG8
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Renesas Electronics America Inc | 100-LQFP | 100-TQFP(14x14) | 描述:IC SRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,异步 *存储容量:64Kb(4K x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:20ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP(14x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
7006S20PFG8
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卷带(TR)
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Renesas Electronics America Inc | 64-LQFP | 64-TQFP(14x14) | 描述:IC SRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,异步 *存储容量:128Kb(16K x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:20ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LQFP 供应商器件封装:64-TQFP(14x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
70914S15PFG8
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卷带(TR)
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Renesas Electronics America Inc | 80-LQFP | 80-TQFP(14x14) | 描述:IC SRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口,标准 *存储容量:36Kb(4K x 9) 存储器接口:并联 时钟频率:50 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:15 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:80-LQFP 供应商器件封装:80-TQFP(14x14) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |