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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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W631GG8NB12J TR
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA(8x10.5) | 描述:IC SDRAM 1GB X8 800MHZ 78WBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W631GG6NB15J TR
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA(7.5x13) | 描述:IC SDDRAM 1GB X 16 667MHZ 96WBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb(64M x 16) 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:667 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W631GU6MB11J TR
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA(7.5x13) | 描述:IC SDRAM 1GB X16 933MHZ 96WBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb(64M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W631GU6MB12J TR
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA(7.5x13) | 描述:IC SDRAM 1GB X16 800MHZ 96WBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb(64M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W631GU6NB12J TR
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA(7.5x13) | 描述:IC SDRAM 1GB X16 800MHZ 96WBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb(64M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V,1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W631GU6MB15J TR
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA(7.5x13) | 描述:IC SDRAM 1GB X16 667MHZ 96WBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb(64M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:667 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W631GU6NB09J TR
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA(7.5x13) | 描述:IC SDRAM 1GB X16 1066MHZ 96WBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb(64M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V,1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W631GG6MB11J TR
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA(7.5x13) | 描述:IC SDRAM 1GB X16 933MHZ 96WBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb(64M x 16) 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W631GU6MB09I TR
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA(7.5x13) | 描述:IC SDRAM 1GB X16 1066MHZ 96WBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb(64M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W631GG8MB09J TR
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卷带(TR)
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA(8x10.5) | 描述:IC SDRAM 1GB X8 1066MHZ 78WBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
DS2433S-100-001+T
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated | 8-SOIC(5.30MM 宽) | 8-SOIC | 描述:IC EEPROM 4KBIT 1-WIRE 6FLIPCHIP *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:4Kb(256 x 16) 存储器接口:1-Wire® 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:1µs 访问时间:2 µs *电压 - 电源:2.8V ~ 6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(5.30MM 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
DS28E22P-04A-00+2T
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated | 6-SMD,J 引线 | 6-TSOC | 描述:IC EEPROM 2KBIT 1-WIRE 6TSOC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:2Kb(2K x 1) 存储器接口:1-Wire® 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:5µs 访问时间:2 µs *电压 - 电源:2.97V ~ 3.63V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SMD,J 引线 供应商器件封装:6-TSOC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS25LP040E-JBLE-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 8-SOIC(5.30MM 宽) | 8-SOIC | 描述:IC FLASH 1MBIT SPI QUAD 65NM 8SO *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:4Mb(512K x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:1.2ms 访问时间:8 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(5.30MM 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
DSQ3301-K04+T
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | - | 描述:IC EEPROM 512BIT 1WIRE *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
DSQCF01-K05+T
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卷带(TR)
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | - | 描述:IC EEPROM 512BIT 1WIRE *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS25LQ025B-JULE
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 8-UFDFN 裸露焊盘 | 8-USON(2x3) | 描述:IC FLASH 256KB SPI 90NM 8USON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Kb(32K x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:800µs 访问时间:8 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-USON(2x3) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS25LQ040B-JULE
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 8-UFDFN 裸露焊盘 | 8-USON(2x3) | 描述:IC FLASH 4MBIT SPI 90NM 8USON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:4Mb(512K x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:800µs 访问时间:8 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-USON(2x3) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS25LQ020B-JULE
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卷带(TR)
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 8-UFDFN 裸露焊盘 | 8-USON(2x3) | 描述:IC FLASH 2MBIT SPI 90NM 8USON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:2Mb(256K x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:800µs 访问时间:8 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-USON(2x3) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS25LQ010B-JULE
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卷带(TR)
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 8-UFDFN 裸露焊盘 | 8-USON(2x3) | 描述:IC FLASH 1MBIT SPI 90NM 8USON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Mb(128K x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:800µs 访问时间:8 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-USON(2x3) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS25LQ512B-JULE
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 8-UFDFN 裸露焊盘 | 8-USON(2x3) | 描述:IC FLASH 512KB SPI 90NM 8USON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Kb(64K x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:800µs 访问时间:8 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-USON(2x3) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
MTFC8GAMALBH-IT TR
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Micron Technology Inc. | - | - | 描述:IC MEM FLASH NAND 128GB *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
DS28E02P-W13+1T
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卷带(TR)
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated | 6-SMD,J 引线 | 6-TSOC | 描述:IC EEPROM 1KBIT 1-WIRE 6TSOC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb(256 x 4) 存储器接口:1-Wire® 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:25ms 访问时间:2 µs *电压 - 电源:1.75V ~ 3.65V 工作温度:-20°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SMD,J 引线 供应商器件封装:6-TSOC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
LE25U40PCMC-AH-1
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onsemi | 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) | 8-SOIC/SOPJ | 描述:IC FLASH 4MBIT SPI 40MHZ 8SOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:4Mb(512K x 8) 存储器接口:SPI 时钟频率:30 MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:14 ns *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOIC/SOPJ 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
DS2432P-W0A+1T
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卷带(TR)
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated | 6-SMD,J 引线 | 6-TSOC | 描述:SECURE AUTHENTICATOR DEEPCOVER *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb(1K x 1) 存储器接口:1-Wire® 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:10ms 访问时间:2 µs *电压 - 电源:2.8V ~ 5.25V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SMD,J 引线 供应商器件封装:6-TSOC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
MTFC8GLWDQ-3L AIT A TR
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Micron Technology Inc. | 100-LBGA | 100-LBGA(14x18) | 描述:IC FLASH 64GBIT MMC 100LBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:64Gb(8G x 8) 存储器接口:eMMC 时钟频率:52 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-LBGA(14x18) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |