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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字，页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
DS28E02Q-W01+2T
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated 6-WDFN 裸露焊盘 6-TDFN（3x3） 描述:IC EEPROM 1KBIT 1-WIRE *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb（256 x 4） 存储器接口:1-Wire® 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:25ms 访问时间:2 µs *电压 - 电源:1.75V ~ 3.65V 工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-TDFN（3x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt 24AA16T-I/CS16K119
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microchip Technology - - 描述:IC EEPROM 16KBIT I2C 5CSP *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt AT24C32E-U1UM0B-T
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microchip Technology - - 描述:IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ SMD *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt AT8358H03-IWE1D
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microchip Technology - - 描述:IC MEMORY *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt AT8358A86-IWE2D
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microchip Technology - - 描述:IC MEMORY *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt MT53E768M64D4SP-046 WT:B TR
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Micron Technology Inc. - - 描述:IC MEM LPDDR4 48G FBGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
DS28E02P-W10+4
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated 6-SMD，J 引线 6-TSOC 描述:IC EEPROM 2KB 6TSOC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb（256 x 4） 存储器接口:1-Wire® 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:25ms 访问时间:2 µs *电压 - 电源:1.75V ~ 3.65V 工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SMD，J 引线 供应商器件封装:6-TSOC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
DS28E02P-W10+1
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated 6-SMD，J 引线 6-TSOC 描述:IC EEPROM 2KB 6TSOC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb（256 x 4） 存储器接口:1-Wire® 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:25ms 访问时间:2 µs *电压 - 电源:1.75V ~ 3.65V 工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SMD，J 引线 供应商器件封装:6-TSOC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
DS28E02P-W10+7
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated 6-SMD，J 引线 6-TSOC 描述:IC EEPROM 2KB 6TSOC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb（256 x 4） 存储器接口:1-Wire® 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:25ms 访问时间:2 µs *电压 - 电源:1.75V ~ 3.65V 工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SMD，J 引线 供应商器件封装:6-TSOC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
DS28E02P-W10+7T
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated 6-SMD，J 引线 6-TSOC 描述:IC EEPROM 2KB 6TSOC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb（256 x 4） 存储器接口:1-Wire® 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:25ms 访问时间:2 µs *电压 - 电源:1.75V ~ 3.65V 工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SMD，J 引线 供应商器件封装:6-TSOC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
DS28E02P-W10+8T
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated 6-SMD，J 引线 6-TSOC 描述:IC EEPROM 2KB 6TSOC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb（256 x 4） 存储器接口:1-Wire® 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:25ms 访问时间:2 µs *电压 - 电源:1.75V ~ 3.65V 工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SMD，J 引线 供应商器件封装:6-TSOC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
DS28E02P-W10+5T
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated 6-SMD，J 引线 6-TSOC 描述:IC EEPROM 2KB 6TSOC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb（256 x 4） 存储器接口:1-Wire® 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:25ms 访问时间:2 µs *电压 - 电源:1.75V ~ 3.65V 工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SMD，J 引线 供应商器件封装:6-TSOC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
DS28E02P-W10+3T
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated 6-SMD，J 引线 6-TSOC 描述:IC EEPROM 2KB 6TSOC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb（256 x 4） 存储器接口:1-Wire® 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:25ms 访问时间:2 µs *电压 - 电源:1.75V ~ 3.65V 工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SMD，J 引线 供应商器件封装:6-TSOC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
DS28E02P-W10+5
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated 6-SMD，J 引线 6-TSOC 描述:IC EEPROM 2KB 6TSOC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb（256 x 4） 存储器接口:1-Wire® 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:25ms 访问时间:2 µs *电压 - 电源:1.75V ~ 3.65V 工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SMD，J 引线 供应商器件封装:6-TSOC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
DS28E01P-W18+2T
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated 6-SMD，J 引线 6-TSOC 描述:IC EEPROM 1KB 6TSOC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb（256 x 4） 存储器接口:1-Wire® 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:10ms 访问时间:- *电压 - 电源:2.8V ~ 5.25V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SMD，J 引线 供应商器件封装:6-TSOC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
DS28E01P-W18+2
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated 6-SMD，J 引线 6-TSOC 描述:IC EEPROM 1KB 6TSOC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb（256 x 4） 存储器接口:1-Wire® 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:10ms 访问时间:- *电压 - 电源:2.8V ~ 5.25V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SMD，J 引线 供应商器件封装:6-TSOC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
DS28E02P-W10+1T
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated 6-SMD，J 引线 6-TSOC 描述:IC EEPROM 2KB 6TSOC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb（256 x 4） 存储器接口:1-Wire® 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:25ms 访问时间:2 µs *电压 - 电源:1.75V ~ 3.65V 工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SMD，J 引线 供应商器件封装:6-TSOC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
DS28E02Q-W01+4T
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated 6-WDFN 裸露焊盘 6-TDFN（3x3） 描述:IC EEPROM 2KB 6TDFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb（256 x 4） 存储器接口:1-Wire® 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:25ms 访问时间:2 µs *电压 - 电源:1.75V ~ 3.65V 工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-TDFN（3x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
DS28E02P-W10+4T
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated 6-SMD，J 引线 6-TSOC 描述:IC EEPROM 2KB 6TSOC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb（256 x 4） 存储器接口:1-Wire® 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:25ms 访问时间:2 µs *电压 - 电源:1.75V ~ 3.65V 工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SMD，J 引线 供应商器件封装:6-TSOC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
DS28E02Q-W01+3T
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Analog Devices Inc./Maxim Integrated 6-WDFN 裸露焊盘 6-TDFN（3x3） 描述:IC EEPROM 2KB 6TDFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb（256 x 4） 存储器接口:1-Wire® 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:25ms 访问时间:2 µs *电压 - 电源:1.75V ~ 3.65V 工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-TDFN（3x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
DS28E01P-W18+1T
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Analog Devices Inc./Maxim Integrated 6-SMD，J 引线 6-TSOC 描述:IC EEPROM 1KB 6TSOC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb（256 x 4） 存储器接口:1-Wire® 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:10ms 访问时间:- *电压 - 电源:2.8V ~ 5.25V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SMD，J 引线 供应商器件封装:6-TSOC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
DS28E01P-W18+1
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Analog Devices Inc./Maxim Integrated 6-SMD，J 引线 6-TSOC 描述:IC EEPROM 1KB 6TSOC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb（256 x 4） 存储器接口:1-Wire® 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:10ms 访问时间:- *电压 - 电源:2.8V ~ 5.25V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SMD，J 引线 供应商器件封装:6-TSOC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
DS28E02P-W10+3
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated 6-SMD，J 引线 6-TSOC 描述:IC EEPROM 2KB 6TSOC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb（256 x 4） 存储器接口:1-Wire® 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:25ms 访问时间:2 µs *电压 - 电源:1.75V ~ 3.65V 工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SMD，J 引线 供应商器件封装:6-TSOC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
DS28E02Q-W01+6T
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated 6-WDFN 裸露焊盘 6-TDFN（3x3） 描述:IC EEPROM 2KB 6TDFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb（256 x 4） 存储器接口:1-Wire® 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:25ms 访问时间:2 µs *电压 - 电源:1.75V ~ 3.65V 工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-TDFN（3x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
DS28E02P-W10+8
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated 6-SMD，J 引线 6-TSOC 描述:IC EEPROM 2KB 6TSOC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb（256 x 4） 存储器接口:1-Wire® 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:25ms 访问时间:2 µs *电压 - 电源:1.75V ~ 3.65V 工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:6-SMD，J 引线 供应商器件封装:6-TSOC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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