辰科物联

https://www.chenkeiot.com/

当前位置 ：首页 >集成电路(IC) > 存储器
制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字，页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清除刷选
清空条件
共 55516 款产品满足条件
  共有55516个记录    每页显示25条，本页55201-55225条    2209/2221页    首 页    上一页   2205  2206  2207  2208  2209  2210  2211  2212  2213   下一页    尾 页      
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
24FC16T-E/Q6B36KVAO
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Microchip Technology 8-UFDFN 裸露焊盘 8-UDFN（2x3） 描述:16KB I2C EEPROM, 1MHZ 1.7-5.5V, *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:16Kb（2K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:450 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN（2x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt 24FC16T-E/ST36KVAO
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Microchip Technology 8-TSSOP（4.40mm 宽） 8-TSSOP 描述:16KB I2C EEPROM, 1MHZ 1.7-5.5V, *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:16Kb（2K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:450 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-TSSOP（4.40mm 宽） 供应商器件封装:8-TSSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
24FC04T-E/Q6B36KVAO
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Microchip Technology 8-UFDFN 裸露焊盘 8-UDFN（2x3） 描述:4KB I2C EEPROM, 1MHZ 1.7-5.5V, 8 *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:4Kb（256 x 8 x 2） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:450 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN（2x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
24FC04T-E/OT36KVAO
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Microchip Technology SC-74A，SOT-753 SOT-23-5 描述:4KB I2C EEPROM, 1MHZ 1.7-5.5V, 5 *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:4Kb（256 x 8 x 2） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:450 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:SOT-23-5 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
24FC01T-E/Q6B36KVAO
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Microchip Technology 8-UFDFN 裸露焊盘 8-UDFN（2x3） 描述:1KB I2C EEPROM, 1MHZ 1.7-5.5V, 8 *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:1Kb（128 x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:450 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN（2x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
24FC08T-E/SN36KVAO
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Microchip Technology 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOIC 描述:8KB I2C EEPROM, 1MHZ 1.7-5.5V, 8 *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:8Kb（1K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:450 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
24FC02T-E/OT36KVAO
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Microchip Technology SC-74A，SOT-753 SOT-23-5 描述:2KB I2C EEPROM, 1MHZ 1.7-5.5V, 5 *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:2Kb（256 x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:450 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:SOT-23-5 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
24FC02T-E/SN36KVAO
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Microchip Technology 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOIC 描述:2KB I2C EEPROM, 1MHZ 1.7-5.5V, 8 *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:2Kb（256 x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:450 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt 24FC04T-E/ST36KVAO
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Microchip Technology 8-TSSOP（4.40mm 宽） 8-TSSOP 描述:4KB I2C EEPROM, 1MHZ 1.7-5.5V, 8 *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:4Kb（256 x 8 x 2） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:450 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-TSSOP（4.40mm 宽） 供应商器件封装:8-TSSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
24FC08T-E/Q6B36KVAO
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Microchip Technology 8-UFDFN 裸露焊盘 8-UDFN（2x3） 描述:8KB I2C EEPROM, 1MHZ 1.7-5.5V, 8 *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:8Kb（1K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:450 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN（2x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt IS43LD32128C-25BPLI-TR
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - - 描述:IC DRAM *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS46LD32128B-25BPLA2-TR
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 168-VFBGA 168-VFBGA（12x12） 描述:IC DRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 *存储容量:4Gb（128M x 32） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:168-VFBGA 供应商器件封装:168-VFBGA（12x12） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS46LD32128B-18BPLA1-TR
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 168-VFBGA 168-VFBGA（12x12） 描述:IC DRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 *存储容量:4Gb（128M x 32） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:168-VFBGA 供应商器件封装:168-VFBGA（12x12） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS43LD16256C-25BPLI-TR
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 168-VFBGA 168-VFBGA（12x12） 描述:IC DRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2 *存储容量:4Gb（256M x 16） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:168-VFBGA 供应商器件封装:168-VFBGA（12x12） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS46LD32128C-18BPLA1-TR
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 168-VFBGA 168-VFBGA（12x12） 描述:IC DRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2 *存储容量:4Gb（128M x 32） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:168-VFBGA 供应商器件封装:168-VFBGA（12x12） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS46LD32128B-25BPLA1-TR
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 168-VFBGA 168-VFBGA（12x12） 描述:IC DRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 *存储容量:4Gb（128M x 32） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:168-VFBGA 供应商器件封装:168-VFBGA（12x12） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS46LD32128C-18BPLA2-TR
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 168-VFBGA 168-VFBGA（12x12） 描述:IC DRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2 *存储容量:4Gb（128M x 32） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:168-VFBGA 供应商器件封装:168-VFBGA（12x12） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS46LD32128C-25BPLA1-TR
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 168-VFBGA 168-VFBGA（12x12） 描述:IC DRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2 *存储容量:4Gb（128M x 32） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:168-VFBGA 供应商器件封装:168-VFBGA（12x12） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt IS43LD32128C-25BPL-TR
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - - 描述:IC DRAM *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS43LD32128B-25BPL-TR
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 168-VFBGA 168-VFBGA（12x12） 描述:IC DRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 *存储容量:4Gb（128M x 32） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:0°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:168-VFBGA 供应商器件封装:168-VFBGA（12x12） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt IS43LD32128C-18BPL-TR
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - - 描述:IC DRAM *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS43LD32128B-18BPL-TR
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 168-VFBGA 168-VFBGA（12x12） 描述:IC DRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 *存储容量:4Gb（128M x 32） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:0°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:168-VFBGA 供应商器件封装:168-VFBGA（12x12） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt IS43LD32128C-18BPLI-TR
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - - 描述:IC DRAM *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS46LD32128B-18BPLA2-TR
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 168-VFBGA 168-VFBGA（12x12） 描述:IC DRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 *存储容量:4Gb（128M x 32） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:168-VFBGA 供应商器件封装:168-VFBGA（12x12） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS46LD32128C-25BPLA2-TR
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 168-VFBGA 168-VFBGA（12x12） 描述:IC DRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2 *存储容量:4Gb（128M x 32） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:168-VFBGA 供应商器件封装:168-VFBGA（12x12） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
  共有55516个记录    每页显示25条，本页55201-55225条    2209/2221页    首 页    上一页   2205  2206  2207  2208  2209  2210  2211  2212  2213   下一页    尾 页      
复制成功

IC型号索引 ：

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科物联介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2025 深圳市辰科物联有限公司 版权所有

在线客服

LiFeng:2355289363

Hailee:2355289368

微信咨询
扫描即可免费关注公众号

服务热线

0755-28435922