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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
MT53E512M64D2NW-046 IT:B TR
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Micron Technology Inc. 432-VFBGA 432-VFBGA(15x15) 描述:IC MEMORY DRAM 32G 512MX64 FBGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:432-VFBGA 供应商器件封装:432-VFBGA(15x15) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MT53E1G64D4NW-046 WT:C TR
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Micron Technology Inc. 432-VFBGA 432-VFBGA(15x15) 描述:IC MEMORY DRAM 64G 1GX64 FBGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:432-VFBGA 供应商器件封装:432-VFBGA(15x15) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MT53E512M32D2NP-053 WT:E TR
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Micron Technology Inc. 200-WFBGA 200-WFBGA(10x14.5) 描述:IC MEMORY DRAM LPDDR4 *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt 05523-770/0001
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Cypress Semiconductor Corp - - 描述:IC MCU 32BIT 64LQFP *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W29N01HWSINF TR
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Winbond Electronics 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 48-TSOP 描述:1G-BIT NAND FLASH, 3V, 4-BIT ECC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:1Gb(64M x 16) 存储器接口:ONFI 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:22 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W956D8MBYA6I TR
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Winbond Electronics 24-TBGA 24-TFBGA(6x8) 描述:64MB HYPERRAM X8, 166MHZ, IND TE *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:HyperRAM *存储容量:64Mb(8M x 8) 存储器接口:HyperBus 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:36ns 访问时间:36 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25Q32JWSSIM TR
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Winbond Electronics 8-SOIC(5.30MM 宽) 8-SOIC 描述:SPIFLASH, 1.8V, 32M-BIT, 4KB UNI *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb(4M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI,DTR 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(5.30MM 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25N01GWZEIT TR
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Winbond Electronics 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON(8x6) 描述:1G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:8 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25Q128JWYIR TR
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Winbond Electronics 21-XFBGA,WLCSP 21-WLCSP 描述:SPIFLASH, 1.8V, 128M-BIT, 4KB UN *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb(16M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:21-XFBGA,WLCSP 供应商器件封装:21-WLCSP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W29N02KVBIAE TR
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Winbond Electronics 63-VFBGA 63-VFBGA(9x11) 描述:2G-BIT NAND FLASH, 3V, 8-BIT ECC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:2Gb(256M x 8) 存储器接口:ONFI 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:63-VFBGA 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25N512GWBIT TR
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Winbond Electronics 24-TBGA 24-TFBGA(6x8) 描述:512MB SERIAL NAND FLASH, 1.8V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:7 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25M512JWCIQ TR
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Winbond Electronics 24-TBGA 24-TFBGA(6x8) 描述:SPIFLASH, 1.8V, 512M-BIT, 4KB UN *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:7 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25Q32JWXGIM TR
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Winbond Electronics 8-XDFN 裸露焊盘 8-XSON(4x4) 描述:SPIFLASH, 1.8V, 32M-BIT, 4KB UNI *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb(4M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI,DTR 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-XDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-XSON(4x4) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W29N02KVSIAE TR
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Winbond Electronics 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 48-TSOP 描述:2G-BIT NAND FLASH, 3V, 8-BIT ECC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:2Gb(256M x 8) 存储器接口:ONFI 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25N512GWPIR TR
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Winbond Electronics 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON(6x5) 描述:512MB SERIAL NAND FLASH, 1.8V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:7 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25Q16JVUUIM TR
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Winbond Electronics 8-UFDFN 裸露焊盘 8-USON(4x3) 描述:SPIFLASH, 3V, 16M-BIT, 4KB UNIFO *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:16Mb(2M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI,DTR 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-USON(4x3) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25Q64JVXGIM TR
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Winbond Electronics 8-XDFN 裸露焊盘 8-XSON(4x4) 描述:SPIFLASH, 64M-BIT, DTR, 4KB UNIF *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb(8M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-XDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-XSON(4x4) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25Q32JVXGIM TR
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Winbond Electronics 8-XDFN 裸露焊盘 8-XSON(4x4) 描述:SPIFLASH, 32M-BIT, DTR, 4KB UNIF *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb(4M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI,DTR 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-XDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-XSON(4x4) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25N01GVTBIT TR
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Winbond Electronics 24-TBGA 24-TFBGA(8x6) 描述:1G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25Q64JVZPIM TR
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Winbond Electronics 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON(6x5) 描述:SPIFLASH, 64M-BIT, DTR, 4KB UNIF *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb(8M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25Q256JWCIQ TR
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Winbond Electronics 24-TBGA 24-TFBGA(6x8) 描述:SPIFLASH, 1.8V, 256M-BIT, 4KB UN *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25N01GVTCIT TR
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Winbond Electronics 24-TBGA 24-TFBGA(8x6) 描述:1G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25Q32JVSNIM TR
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Winbond Electronics 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 8-SOIC 描述:SPIFLASH, 32M-BIT, 4KB UNIFORM S *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb(4M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI,DTR 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25Q32JWSNIQ TR
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Winbond Electronics 8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 8-SOIC 描述:SPIFLASH, 1.8V, 32M-BIT, 4KB UNI *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb(4M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM) 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25N01GVTBIR TR
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Winbond Electronics 24-TBGA 24-TFBGA(8x6) 描述:1G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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