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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字，页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
S29GL128S11FFA23
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Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA（13x11） 描述:IC FLASH 128MB FLASH NOR 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb（8M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:110 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
S29GL064S90TFI063
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Cypress Semiconductor Corp 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 48-TSOP 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb（8M x 8，4M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:90 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
S29GL064S90TFA033
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Cypress Semiconductor Corp 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 48-TSOP 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb（8M x 8，4M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:90 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
S29GL064S90FHI033
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Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA（13x11） 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb（8M x 8，4M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:90 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
S29GL064S90TFI043
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Cypress Semiconductor Corp 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 48-TSOP 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb（8M x 8，4M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:90 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
S29GL256S90TAA023
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Cypress Semiconductor Corp 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 56-TSOP 描述:IC FLASH 128MB FLASH NOR TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb（16M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:90 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
S29GL064S90TFV043
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Cypress Semiconductor Corp 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 48-TSOP 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb（8M x 8，4M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:90 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
S29GL064S80FHIS23
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Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA（13x11） 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb（8M x 8，4M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:80 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
S29GL064S90FHI043
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Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA（13x11） 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb（8M x 8，4M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:90 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
S29GL064S90TFA023
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Cypress Semiconductor Corp 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 56-TSOP 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb（8M x 8，4M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:90 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
S29GL128S11FFB023
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Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA（13x11） 描述:IC FLASH 128MB FLASH NOR 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb（8M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:110 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
S29GL064S80FHIS13
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Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA（13x11） 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb（8M x 8，4M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:80 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
S29GL064S90FHI023
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Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA（13x11） 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb（8M x 8，4M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:90 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
S29GL128S11FFA023
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Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA（13x11） 描述:IC FLASH 128MB FLASH NOR 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb（8M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:110 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt S25GL256S90FHI020
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Cypress Semiconductor Corp - - 描述:IC MEM 256MB FLASH NOR PAR 56TSO *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
S29GL512S11FHA023
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Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA（13x11） 描述:IC FLASH 512MB FLASH NOR 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb（32M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:110 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
S29GL064S90FHA023
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Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA（13x11） 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb（8M x 8，4M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:90 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
S29GL128S90FFA023
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Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA（13x11） 描述:IC FLASH 128MB FLASH NOR 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb（8M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:90 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（13x11） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
S29GL064S90TFV023
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Cypress Semiconductor Corp 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 56-TSOP 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb（8M x 8，4M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:90 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
S29GL064S90TFIV13
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Cypress Semiconductor Corp 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 56-TSOP 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb（8M x 8，4M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:90 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
CAT25640VI-GT3JN
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onsemi 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOIC 描述:IC EEPROM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:64Kb（8K x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:10 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.8V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt CG8254AAT
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Cypress Semiconductor Corp - - 描述:IC SRAM 8MBIT PARALLEL SMD *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
CY7C1051H30-10BVXIT
卷带（TR）
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Cypress Semiconductor Corp 48-VFBGA 48-VFBGA（6x8） 描述:IC SRAM 8MBIT ASYNC 48BGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步 *存储容量:8Mb（512K x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:10ns 访问时间:10 ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-VFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MT53E512M64D4NW-046 IT:E TR
卷带（TR）
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Micron Technology Inc. 432-VFBGA 432-VFBGA（15x15） 描述:IC MEMORY DRAM LPDDR4 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:32Gb（512M x 64） 存储器接口:- 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.1V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:432-VFBGA 供应商器件封装:432-VFBGA（15x15） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt MT53E1G64D4SP-046 WT:C TR
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Micron Technology Inc. - - 描述:IC MEMORY DRAM 64G 1GX64 BGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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