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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字，页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
IS65WV1288FBLL-55CTLA3-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 32-TSOP I 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步 *存储容量:1Mb（128K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55 ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:32-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS46TR16640CL-107MBLA3-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 96-TFBGA 96-TWBGA（9x13） 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA（9x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS43TR16256A-093NBLI-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 96-TFBGA 96-TWBGA（9x13） 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:4Gb（256M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA（9x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS46TR85120AL-107MBLA2-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 78-TFBGA 78-TWBGA（9x10.5） 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb（512M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-TWBGA（9x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS43TR81280B-125KBL-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 78-TFBGA 78-TWBGA（8x10.5） 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-TWBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS46TR16640C-125JBLA2-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 96-TFBGA 96-TWBGA（9x13） 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA（9x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS46TR82560DL-125KBLA2-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 78-TFBGA 78-TWBGA（8x10.5） 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb（256M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-TWBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS43TR85120A-093NBL-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 78-TFBGA 78-TWBGA（9x10.5） 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:4Gb（512M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-TWBGA（9x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS43TR16512S2DL-125KBL-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 96-LFBGA 96-LWBGA（9x13） 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:8Gb（512M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-LFBGA 供应商器件封装:96-LWBGA（9x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS46TR16640C-125JBLA25-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 96-TFBGA 96-TWBGA（9x13） 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 115°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA（9x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS46TR16640BL-125JBLA25-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 96-TFBGA 96-TWBGA（9x13） 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 115°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA（9x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS46TR85120BL-125KBLA2-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 78-TFBGA 78-TWBGA（8x10.5） 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb（512M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-TWBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 96-TFBGA 96-TWBGA（9x13） 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA（9x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS46TR16128B-125KBLA25-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 96-TFBGA 96-TWBGA（9x13） 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:2Gb（128M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 115°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA（9x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS46TR16256AL-125KBLA25-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 96-TFBGA 96-TWBGA（9x13） 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb（256M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 115°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA（9x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS43TR85120AL-107MBLI-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 78-TFBGA 78-TWBGA（9x10.5） 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb（512M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-TWBGA（9x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS46TR82560B-15HBLA2-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 78-TFBGA 78-TWBGA（8x10.5） 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:2Gb（256M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:667 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-TWBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS43TR16256B-093NBLI-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 96-TFBGA 96-TWBGA（9x13） 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:4Gb（256M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA（9x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
AT25SF041B-SHD-T
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Adesto Technologies 8-SOIC（5.30MM 宽） 8-SOIC 描述:IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:4Mb（512K x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:108 MHz 写周期时间 - 字，页:50µs，2.4ms 访问时间:- *电压 - 电源:2.5V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt 71V3558SA100BQGI8
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Renesas Electronics America Inc 165-TBGA 165-CABGA（13x15） 描述:IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 同步，ZBT *存储容量:4.5Mb（256K x 18） 存储器接口:并联 时钟频率:100 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:5 ns *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:165-TBGA 供应商器件封装:165-CABGA（13x15） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
N25Q032A13EF440F
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Alliance Memory, Inc. 8-UDFN 裸露焊盘 8-UFDFPN（MLP8）（4x3） 描述:IC FLASH 32MBIT SPI 8UFDFPN *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:32Mb（8M x 4） 存储器接口:SPI 时钟频率:108 MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-UDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UFDFPN（MLP8）（4x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt ATXP064B-CCUE-T
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Adesto Technologies 24-VBGA 24-CBGA（6x8） 描述:IC FLASH 64MBIT SPI/OCTAL 24CBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb（8M x 8） 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:25µs，12ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-VBGA 供应商器件封装:24-CBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt ATXP064B-UUE-T
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Adesto Technologies 46-XFBGA，WLCSP 46-WLCSP 描述:IC FLSH 64MBIT SPI/OCTAL 46WLCSP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb（8M x 8） 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:25µs，12ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:46-XFBGA，WLCSP 供应商器件封装:46-WLCSP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt 25CS640T-I/SN
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Microchip Technology - - 描述:IC MEMORY EEPROM 64MB SPI *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
S29GL064S90DHB023
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Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA（9x9） 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb（8M x 8，4M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:90 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA（9x9） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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