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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字，页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
alt MB85RS2MLYPN-G-AWEWE1
卷带（TR）
10+: ￥51.7884 100+: ￥50.8636 1000+: ￥50.4012 3000+: ￥49.0140
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Kaga FEI America, Inc. 8-VDFN 裸露焊盘 8-DFN（5x6） 描述:IC FRAM 2MBIT SPI 50MHZ 8DFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:2Mb（256K x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:50 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN（5x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MB85RS2MLYPNF-G-AWERE2
卷带（TR）
10+: ￥51.7884 100+: ￥50.8636 1000+: ￥50.4012 3000+: ￥49.0140
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Kaga FEI America, Inc. 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOP 描述:IC FRAM 2MBIT SPI 50MHZ 8SOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:2Mb（256K x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:50 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MB85RS2MTAPNF-G-AWE2
卷带（TR）
10+: ￥54.4967 100+: ￥53.5236 1000+: ￥53.0370 3000+: ￥51.5773
我要买
Kaga FEI America, Inc. 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOP 描述:2MBIT FRAM WITH SPI SERIAL INTER *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:2Mb（256K x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:40 MHz 写周期时间 - 字，页:400µs 访问时间:9 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MB85RS2MLYPNF-GS-AWERE2
卷带（TR）
10+: ￥56.2306 100+: ￥55.2265 1000+: ￥54.7244 3000+: ￥53.2183
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Kaga FEI America, Inc. 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOP 描述:IC FRAM 2MBIT SPI 50MHZ 8SOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:2Mb（256K x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:50 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1
卷带（TR）
10+: ￥66.5832 100+: ￥65.3942 1000+: ￥64.7997 3000+: ￥63.0163
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Kaga FEI America, Inc. 8-VDFN 裸露焊盘 8-DFN（5x6） 描述:IC FRAM 4MBIT SPI 50MHZ 8DFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:4Mb（512K x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:50 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.8V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN（5x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MB85RS2MTAPF-G-BCERE1
卷带（TR）
10+: ￥71.0255 100+: ￥69.7572 1000+: ￥69.1230 3000+: ￥67.2205
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Kaga FEI America, Inc. 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOP 描述:2MBIT FRAM WITH SPI SERIAL INTER *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:2Mb（256K x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:40 MHz 写周期时间 - 字，页:400µs 访问时间:9 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MB85RS4MTPF-G-BCERE1
卷带（TR）
10+: ￥71.2912 100+: ￥70.0182 1000+: ￥69.3817 3000+: ￥67.4721
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Kaga FEI America, Inc. 8-SOIC（5.30MM 宽） 8-SOP 描述:4MBIT FRAM WITH SPI INTERFACE - *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:4Mb（512K x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:40 MHz 写周期时间 - 字，页:400µs 访问时间:9 ns *电压 - 电源:1.8V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
EM6OE16NWAKA-07IH
卷带（TR）
10+: ￥80.1884 100+: ￥78.7565 1000+: ￥78.0405 3000+: ￥75.8926
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Etron Technology, Inc. 96-TFBGA 96-FBGA（7.5x13.5） 描述:4GB (256MX16) DDR4. 96-BALL WIND *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM *存储容量:4Gb（256M x 16） 存储器接口:POD 时钟频率:1.333 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:18 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt MB85RQ8MLXPF-G-BCERE1
卷带（TR）
10+: ￥145.7845 100+: ￥143.1812 1000+: ￥141.8795 3000+: ￥137.9746
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Kaga FEI America, Inc. 16-SOIC（7.50MM 宽） 16-SOP 描述:8MBIT FRAM WITH QSPI INTERFACE - *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:8Mb（1M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率:108 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:7 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt EM6GF16EW5A-10ISH
卷带（TR）
10+: ￥194.6240 100+: ￥191.1485 1000+: ￥189.4108 3000+: ￥184.1977
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Etron Technology, Inc. - - 描述:8GB (512MX16) DDR3. 96-BALL WIND *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
AT93C86A-10TU-2.7-T
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Microchip Technology 8-TSSOP（4.40mm 宽） 8-TSSOP 描述:IC EEPROM 16KBIT 2MHZ 8TSSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:16Kb（2K x 8，1K x 16） 存储器接口:SPI 时钟频率:2 MHz 写周期时间 - 字，页:10ms 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-TSSOP（4.40mm 宽） 供应商器件封装:8-TSSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt CG7480ATT
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Cypress Semiconductor Corp 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 44-TSOP II 描述:SEMICONDUCTOR OTHER *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM *存储容量:8Mb（512K x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:15 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt IS62WV25616EBLL-55TLI-TR
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 44-TSOP II 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb（256K x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55 ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt IS65WV25616ECLL-45CTLA3-TR
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 44-TSOP II 描述:IC SRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb（256K x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45 ns *电压 - 电源:3.135V ~ 3.465V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt IS62WV5128EALL-55T2LI
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽） 32-TSOP II 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb（512K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55 ns *电压 - 电源:1.65V ~ 2.2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:32-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt IS62WV5128EALL-55HLI
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 32-TFSOP（0.465"，11.80mm 宽） 32-TSOP I 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb（512K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55 ns *电压 - 电源:1.65V ~ 2.2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-TFSOP（0.465"，11.80mm 宽） 供应商器件封装:32-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt IS62WV5128EALL-55BLI-TR
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 36-TFBGA 36-TFBGA（6x8） 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb（512K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55 ns *电压 - 电源:1.65V ~ 2.2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:36-TFBGA 供应商器件封装:36-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt IS62WV5128EBLL-45QLI
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 32-SOIC（0.455"，11.30mm 宽） 32-SOP 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32SOP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:4Mb（512K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45 ns *电压 - 电源:2.2V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-SOIC（0.455"，11.30mm 宽） 供应商器件封装:32-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt S72XS256RE0AHBH13
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Cypress Semiconductor Corp - - 描述:IC FLASH NOR 133MCP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb（16M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:108 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
FM25640B-G2TR
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Cypress Semiconductor Corp 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOIC 描述:IC FRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:64Kb（8K x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:20 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
NDL26PFG-8KIT TR
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Insignis Technology Corporation 96-TFBGA 96-FBGA（9x13） 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb（128M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA（9x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
NDL26PFG-9MI TR
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Insignis Technology Corporation 96-TFBGA 96-FBGA（9x13） 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb（128M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA（9x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
NDL28PFH-8KIT TR
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Insignis Technology Corporation 78-VFBGA 78-FBGA（8x10.5） 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb（256M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
S-93C76CD0I-J8T1U3
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ABLIC Inc. 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 8-SOP 描述:IC EEPROM 8K SPI 2MHZ 8SOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:8Kb（512 x 16） 存储器接口:SPI 时钟频率:2 MHz 写周期时间 - 字，页:4ms 访问时间:- *电压 - 电源:1.6V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS25LP016D-JMLE-TR
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 16-SOIC（7.50MM 宽） 16-SOIC 描述:IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:16Mb（2M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:800µs 访问时间:- *电压 - 电源:2.3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
  共有55516个记录    每页显示25条，本页55051-55075条    2203/2221页    首 页    上一页   2199  2200  2201  2202  2203  2204  2205  2206  2207   下一页    尾 页      
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