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辰科物联
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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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MTFC128GAZAQJP-IT TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Micron Technology Inc. | 153-VFBGA | 153-VFBGA（11.5x13） | 描述:IC FLASH 128GB EMMC 153VFPGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:1Tb（128G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-VFBGA 供应商器件封装:153-VFBGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
%20Renders/706~153VFBGA-1-11,5x13~C~153_tmb.jpg){kind=small}
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IS21TF64G-JCLI-TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 153-VFBGA | 153-VFBGA（11.5x13） | 描述:IC FLASH 64GBIT 3.3V 153FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（TLC） *存储容量:512Gb（64G x 8） 存储器接口:MMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-VFBGA 供应商器件封装:153-VFBGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
%20Renders/706~100LFBGA-1,4-14x18~Q~100_tmb.jpg){kind=small}
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IS21TF64G-JQLI-TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 100-LBGA | 100-LFBGA（14x18） | 描述:IC FLASH 64GBIT 3.3V 100FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（TLC） *存储容量:512Gb（64G x 8） 存储器接口:MMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-LFBGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MT40A2G16TBB-062E:F TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Micron Technology Inc. | 96-TFBGA | 96-FBGA（7.5x13） | 描述:IC DDR4 32G 2GX16 FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:32Gb（2G x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:13.75 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MTFC128GAZAQJP-AIT TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Micron Technology Inc. | 153-VFBGA | 153-VFBGA（11.5x13） | 描述:IC FLASH 1TB EMMC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:1Tb（128G x 8） 存储器接口:MMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-VFBGA 供应商器件封装:153-VFBGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MTFC128GASAQJP-AIT TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Micron Technology Inc. | 153-VFBGA | 153-VFBGA（11.5x13） | 描述:IC FLASH 1TB USSD *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:1Tb（128G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-VFBGA 供应商器件封装:153-VFBGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MR5A16AYS35R
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Everspin Technologies Inc. | 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 54-TSOP2 | 描述:IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:32Mb（2M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:54-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MR5A16AMA35R
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Everspin Technologies Inc. | 48-LFBGA | 48-FBGA（10x10） | 描述:IC RAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:32Mb（2M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA（10x10） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MR5A16ACYS35R
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Everspin Technologies Inc. | 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 54-TSOP2 | 描述:IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:32Mb（2M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:54-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MT40A4G8NEA-062E:F TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Micron Technology Inc. | 78-TFBGA | 78-FBGA（7.5x11） | 描述:IC DDR4 32G 4GX8 FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:32Gb（4G x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:13.75 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-FBGA（7.5x11） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MT53E1G64D4NZ-46 WT:C TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Micron Technology Inc. | 376-WFBGA | 376-WFBGA（14x14） | 描述:IC DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:64Gb（1G x 64） 存储器接口:并联 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:376-WFBGA 供应商器件封装:376-WFBGA（14x14） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MR5A16AUYS45R
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Everspin Technologies Inc. | 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 54-TSOP2 | 描述:IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:32Mb（2M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:54-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MT62F1G64D8CH-031 WT:B TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Micron Technology Inc. | - | - | 描述:IC FLASH 64GBIT FBGA 8DP *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR5 *存储容量:64Gb（1G x 64） 存储器接口:- 时钟频率:3.2 GHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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70V27L15PFGI8
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Renesas Electronics America Inc | 100-LQFP | 100-TQFP（14x14） | 描述:IC SRAM 512KBIT PARALLEL 100TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口，异步 *存储容量:512Kb（32K x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:15 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP（14x14） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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70T651S10BFG8
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Renesas Electronics America Inc | 208-LFBGA | 208-CABGA（15x15） | 描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口，同步 *存储容量:9Mb（256K x 36） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:10ns 访问时间:10 ns *电压 - 电源:2.4V ~ 2.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:208-LFBGA 供应商器件封装:208-CABGA（15x15） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MB85RC16VPNF-G-AWERE2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Kaga FEI America, Inc. | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOP | 描述:16KBIT FRAM WITH I2C SERIAL INTE *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:16Kb（2K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:550 ns *电压 - 电源:3V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MB85RC64TAPNF-G-AWERE2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Kaga FEI America, Inc. | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOP | 描述:64KBIT FRAM WITH I2C SERIAL INTE *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:64Kb（8K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:3.4 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:130 ns *电压 - 电源:1.8V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MB85RC64TAPNF-G-AWE2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Kaga FEI America, Inc. | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOP | 描述:64KBIT FRAM WITH I2C SERIAL INTE *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:64Kb（8K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:3.4 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:130 ns *电压 - 电源:1.8V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MB85RS64VYPNF-G-BCERE1
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Kaga FEI America, Inc. | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOP | 描述:IC FRAM 64KBIT SPI 33MHZ 8SOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:64Kb（8K x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:33 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MB85RS64VYPNF-G-AWERE2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Kaga FEI America, Inc. | 8-WFDFN 裸露焊盘 | 8-SON（2x3） | 描述:64KBIT FRAM WITH SPI 2.7V~5.5V - *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:64Kb（8K x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:33 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:13 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-SON（2x3） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MB85RC64TAPNF-G-JNE2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Kaga FEI America, Inc. | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOP | 描述:64KBIT FRAM WITH I2C SERIAL INTE *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:64Kb（8K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:3.4 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:130 ns *电压 - 电源:1.8V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MB85RS256TYPNF-GS-AWERE2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Kaga FEI America, Inc. | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOP | 描述:256KBIT FRAM WITH SPI, 1.8~3.6V, *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:256Kb（32K x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:33 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:13 ns *电压 - 电源:1.8V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MB85RS256TYPNF-GS-AWE2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Kaga FEI America, Inc. | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOP | 描述:256KBIT FRAM WITH SPI, 1.8~3.6V, *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:256Kb（32K x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:33 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:13 ns *电压 - 电源:1.8V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MB85RC256VPF-G-BCERE1
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Kaga FEI America, Inc. | 8-SOIC（5.30MM 宽） | 8-SOP | 描述:256KBIT FRAM WITH I2C SERIAL INT *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:256Kb（32K x 8） 存储器接口:I²C 时钟频率:1 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:550 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MB85RS512TPNF-G-AWERE2
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Kaga FEI America, Inc. | 8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） | 8-SOP | 描述:512KBIT FRAM WITH SPI SERIAL INT *存储器类型:非易失 *存储器格式:FRAM 技术:FRAM（铁电体 RAM） *存储容量:512Kb（64K x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:30 MHz 写周期时间 - 字，页:400µs 访问时间:9 ns *电压 - 电源:1.8V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM） 供应商器件封装:8-SOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |