服务热线
0755-28435922
辰科物联
https://www.chenkeiot.com/
辰科物联
https://www.chenkeiot.com/
| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
|---|---|---|---|---|---|
|
MR25H40VDFR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
|
Everspin Technologies Inc. | 8-VDFN 裸露焊盘 | 8-DFN-EP，小标志（5x6） | 描述:IC RAM 4M SPI 40MHZ 8DFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:4Mb（512k x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:40 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:9 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN-EP，小标志（5x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
MTFC32GASAQHD-AAT TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
|
Micron Technology Inc. | 153-VFBGA | 153-VFBGA（11.5x13） | 描述:IC FLASH 256GB EMMC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:256Gb（32G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-VFBGA 供应商器件封装:153-VFBGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
AS4C512M16D3LB-12BCNTR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
|
Alliance Memory, Inc. | 96-TFBGA | 96-FBGA（13.5x9） | 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:8Gb（512M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA（13.5x9） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
MT40A4G4SA-062E:F TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
|
Micron Technology Inc. | 78-TFBGA | 78-FBGA（7.5x11） | 描述:MOD DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:16Gb（4G x 4） 存储器接口:并联 时钟频率:1.5 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:19 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-FBGA（7.5x11） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
%20Renders/706~153VFBGA-1-11,5x13~C~153_tmb.jpg){kind=small}
|
IS21TF16G-JCLI-TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 153-VFBGA | 153-VFBGA（11.5x13） | 描述:IC FLASH 16GBIT 3.3V 153FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（TLC） *存储容量:128Gb（16G x 8） 存储器接口:MMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-VFBGA 供应商器件封装:153-VFBGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
%20Renders/706~100LFBGA-1,4-14x18~Q~100_tmb.jpg){kind=small}
|
IS21TF16G-JQLI-TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 100-LBGA | 100-LFBGA（14x18） | 描述:IC FLASH 16GBIT 3.3V 100FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（TLC） *存储容量:128Gb（16G x 8） 存储器接口:MMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-LFBGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
|
Micron Technology Inc. | 200-TFBGA | 200-TFBGA（10x14.5） | 描述:IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:- 存储器接口:并联 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-TFBGA 供应商器件封装:200-TFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
MT40A2G8NEA-062E:R TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
|
Micron Technology Inc. | 78-TFBGA | 78-FBGA（7.5x11） | 描述:MOD DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:16Gb（2G x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:13.75 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-FBGA（7.5x11） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
|
AS4C512M16D3LA-10BINTR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
|
Alliance Memory, Inc. | 96-TFBGA | 96-FBGA（13.5x9） | 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:8Gb（512M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA（13.5x9） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
MTFC64GAZAQHD-IT TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
|
Micron Technology Inc. | 153-VFBGA | 153-VFBGA（11.5x13） | 描述:IC FLASH 64GBIT MMC 153TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:512Gb（64G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-VFBGA 供应商器件封装:153-VFBGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
M10162040054X0ISAR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
|
Renesas Electronics America Inc | 8-SOIC（5.30MM 宽） | 8-SOIC | 描述:IC RAM 16MBIT 54MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:16Mb（4M x 4） 存储器接口:- 时钟频率:54 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.71V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
M10162040054X0IWAR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
|
Renesas Electronics America Inc | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-DFN（5x6） | 描述:IC RAM 16MBIT 54MHZ 8DFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:16Mb（4M x 4） 存储器接口:- 时钟频率:54 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.71V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN（5x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
|
M30162040054X0ISAR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
|
Renesas Electronics America Inc | 8-SOIC（5.30MM 宽） | 8-SOIC | 描述:IC RAM 16MBIT SPI 54MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:16Mb（4M x 4） 存储器接口:SPI 时钟频率:54 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
|
IS21TF32G-JQLI-TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 100-LBGA | 100-LFBGA（14x18） | 描述:IC FLASH 32GBIT 3.3V 100FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（TLC） *存储容量:256Gb（32G x 8） 存储器接口:MMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-LFBGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
|
M30162040054X0PSAR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
|
Renesas Electronics America Inc | 8-SOIC（5.30MM 宽） | 8-SOIC | 描述:IC RAM 16MBIT 54MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:16Mb（4M x 4） 存储器接口:- 时钟频率:54 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
MT53E512M64D2NZ-46 WT:B TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
|
Micron Technology Inc. | 376-WFBGA | 376-WFBGA（14x14） | 描述:IC DRAM LPDDR4 32G 512MX64 FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:32Gb（512M x 64） 存储器接口:并联 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:376-WFBGA 供应商器件封装:376-WFBGA（14x14） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
MT53E512M64D2HJ-046 WT:B TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
|
Micron Technology Inc. | - | - | 描述:IC DRAM LPDDR4 32G 512MX64 FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:- 存储器接口:并联 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
|
M30162040108X0PSAR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
|
Renesas Electronics America Inc | 8-SOIC（5.30MM 宽） | 8-SOIC | 描述:IC RAM 16MBIT SPI 108MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:16Mb（4M x 4） 存储器接口:SPI 时钟频率:108 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
|
M30162040108X0PWAR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
|
Renesas Electronics America Inc | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-DFN（5x6） | 描述:IC RAM 16MBIT 108MHZ 8DFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:16Mb（4M x 4） 存储器接口:- 时钟频率:108 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN（5x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
|
MT53E1G32D2NP-053 RS WT:B TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
|
Micron Technology Inc. | - | - | 描述:DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA WT *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
|
R1LV1616HBG-4SI#S0
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
|
Renesas Electronics America Inc | 48-TFBGA | 48-TFBGA（8x9.5） | 描述:IC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:- *存储容量:16Mb（1M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFBGA 供应商器件封装:48-TFBGA（8x9.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
|
R1LV1616HSA-4SI#S1
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
|
Renesas Electronics America Inc | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 48-TSOP I | 描述:IC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:- *存储容量:16Mb（1M x 16，2M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:48-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
|
R1LV1616HSA-5SI#S1
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
|
Renesas Electronics America Inc | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） | 48-TSOP I | 描述:IC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:- *存储容量:16Mb（1M x 16，2M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:48-TSOP I 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
MR4A16BUYS45R
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
|
Everspin Technologies Inc. | 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 54-TSOP2 | 描述:IC RAM 16M PARALLEL 54TSOP2 *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:16Mb（1M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:54-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
|
MR4A08BUYS45R
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
|
Everspin Technologies Inc. | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP2 | 描述:IC RAM 16M PARALLEL 44TSOP2 *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:16Mb（2M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |