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辰科物联
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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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MTFC32GAZAQHD-IT TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Micron Technology Inc. | 153-VFBGA | 153-VFBGA（11.5x13） | 描述:IC FLASH 32GBIT MMC 153TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:256Gb（32G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-VFBGA 供应商器件封装:153-VFBGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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M10082040108X0IWAR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Renesas Electronics America Inc | 8-VDFN 裸露焊盘 | 8-DFN（5x6） | 描述:IC RAM 8MBIT SPI 108MHZ 8DFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:8Mb（2M x 4） 存储器接口:SPI 时钟频率:108 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.71V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN（5x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MR1A16ACYS35R
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Everspin Technologies Inc. | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP2 | 描述:IC RAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP2 *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:2Mb（128K x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MT40A1G16TB-062E:F TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Micron Technology Inc. | 96-TFBGA | 96-FBGA（7.5x13） | 描述:MOD DRAM 16GBIT PARALLEL 96FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:16Gb（1G x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:1.5 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:19 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MT40A2G8SA-062E:F TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Micron Technology Inc. | 78-TFBGA | 78-FBGA（7.5x11） | 描述:MOD DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:16Gb（2G x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:1.5 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:19 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-FBGA（7.5x11） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MT41K512M16VRP-107 AIT:P TR
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ROHS
卷带（TR）
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Micron Technology Inc. | 96-TFBGA | 96-FBGA（8x14） | 描述:IC DRAM 8GB DDR3 PARALLEL 96TFBG *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:8Gb（512M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA（8x14） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MR1A16AVYS35R
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Everspin Technologies Inc. | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP2 | 描述:IC RAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP2 *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:2Mb（128K x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MT53E512M32D1NP-053 RS WT:B TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Micron Technology Inc. | 200-WFBGA | 200-WFBGA（10x14.5） | 描述:DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MR1A16AVMA35R
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Everspin Technologies Inc. | 48-LFBGA | 48-FBGA（8x8） | 描述:IC RAM 2MBIT PARALLEL 48FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:2Mb（128K x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA 供应商器件封装:48-FBGA（8x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MT40A2G8SA-062E IT:F TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Micron Technology Inc. | 78-TFBGA | 78-FBGA（7.5x11） | 描述:MOD DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:16Gb（2G x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:19 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-FBGA（7.5x11） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MT40A1G16TB-062E IT:F TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Micron Technology Inc. | 96-TFBGA | 96-FBGA（7.5x13） | 描述:MOD DRAM 16GBIT PARALLEL 96FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:16Gb（1G x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:19 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MTFC32GASAQHD-AIT TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Micron Technology Inc. | 153-VFBGA | 153-VFBGA（11.5x13） | 描述:IC FLASH 256GB EMMC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:256Gb（32G x 8） 存储器接口:eMMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-VFBGA 供应商器件封装:153-VFBGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Micron Technology Inc. | 200-TFBGA | 200-TFBGA（10x14.5） | 描述:IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200VFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:- 存储器接口:并联 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-TFBGA 供应商器件封装:200-TFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MT53E512M32D1ZW-046 IT:B TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Micron Technology Inc. | 200-TFBGA | 200-TFBGA（10x14.5） | 描述:IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:- 存储器接口:并联 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-TFBGA 供应商器件封装:200-TFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MTFC32GAZAQHD-AIT TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Micron Technology Inc. | 153-VFBGA | 153-VFBGA（11.5x13） | 描述:IC FLASH 256GB EMMC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:256Gb（32G x 8） 存储器接口:MMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-VFBGA 供应商器件封装:153-VFBGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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M30082040054X0PSAR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Renesas Electronics America Inc | 8-SOIC（5.30MM 宽） | 8-SOIC | 描述:IC RAM 8MBIT SPI 54MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:8Mb（2M x 4） 存储器接口:SPI 时钟频率:54 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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M30082040054X0PWAR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Renesas Electronics America Inc | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-DFN（5x6） | 描述:IC RAM 8MBIT 54MHZ 8DFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:8Mb（2M x 4） 存储器接口:- 时钟频率:54 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN（5x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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M10082040054X0PSAR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Renesas Electronics America Inc | 8-SOIC（5.30MM 宽） | 8-SOIC | 描述:IC RAM 8MBIT SPI 54MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:8Mb（2M x 4） 存储器接口:SPI 时钟频率:54 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.71V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MTFC32GAZAQDW-AAT TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Micron Technology Inc. | - | - | 描述:IC FLASH NAND 256GB 153VFBGA *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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7142LA25JGI8
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Renesas Electronics America Inc | 52-LCC（J 形引线） | 52-PLCC（19.13x19.13） | 描述:IC SRAM 16KBIT PARALLEL 52PLCC *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口，同步 *存储容量:16Kb（2K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:25ns 访问时间:25 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:52-LCC（J 形引线） 供应商器件封装:52-PLCC（19.13x19.13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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X28HC64JZ-12T1
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Renesas Electronics America Inc | 32-LCC（J 形引线） | 32-PLCC（13.97x11.43） | 描述:EEPROM 8K X 8 CMOS 120NS 32PLCC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:64Kb（8K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:120 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-LCC（J 形引线） 供应商器件封装:32-PLCC（13.97x11.43） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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X28HC64JIZ-70T1
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Renesas Electronics America Inc | 32-LCC（J 形引线） | 32-PLCC（13.97x11.43） | 描述:EEPROM 8K X 8 CMOS 70NS 32PLCC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:64Kb（8K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:70 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-LCC（J 形引线） 供应商器件封装:32-PLCC（13.97x11.43） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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X28HC64JZ-70T1
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Renesas Electronics America Inc | 32-LCC（J 形引线） | 32-PLCC（13.97x11.43） | 描述:EEPROM 8K X 8 CMOS 70NS 32PLCC *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:64Kb（8K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:5ms 访问时间:70 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-LCC（J 形引线） 供应商器件封装:32-PLCC（13.97x11.43） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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M10082040108X0PSAR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Renesas Electronics America Inc | 8-SOIC（5.30MM 宽） | 8-SOIC | 描述:IC RAM 8MBIT 108MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:8Mb（2M x 4） 存储器接口:- 时钟频率:108 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.71V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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M10082040108X0PWAR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Renesas Electronics America Inc | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-DFN（5x6） | 描述:IC RAM 8MBIT 108MHZ 8DFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:8Mb（2M x 4） 存储器接口:- 时钟频率:108 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.71V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN（5x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |