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辰科物联
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| 图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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W25Q01NWTBIQ TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA（8x6） | 描述:SPIFLASH, 1G-BIT, 1.8V, 4KB UNIF *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:3ms 访问时间:7 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W25Q01NWTBIM TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA（8x6） | 描述:SPIFLASH, 1G-BIT, 1.8V, 4KB UNIF *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:3ms 访问时间:7 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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AS6C1608B-45TINTR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Alliance Memory, Inc. | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP II | 描述:IC SRAM 16MBIT PARALLEL 44TSOPII *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:16Mb（2M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS43TR16256B-107MBLI-TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 96-TFBGA | 96-TWBGA（9x13） | 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:4Gb（256M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA（9x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MT40A2G4SA-062E:R TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Micron Technology Inc. | 78-TFBGA | 78-FBGA（7.5x11） | 描述:MOD DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR4 *存储容量:8Gb（2G x 4） 存储器接口:并联 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:19 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.26V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-FBGA（7.5x11） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
%20Renders/706;-78TWBGA-1.2-8x10.5;-;-78_tmb.jpg){kind=small}
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IS43TR85120BL-125KBLI-TR
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ROHS
卷带（TR）
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 78-TFBGA | 78-TWBGA（8x10.5） | 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb（512M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-TWBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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M10042040054X0PSAR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Renesas Electronics America Inc | 8-SOIC（5.30MM 宽） | 8-SOIC | 描述:IC RAM 4MBIT 54MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:4Mb（1M x 4） 存储器接口:- 时钟频率:54 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.71V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W972GG8KB-18 TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 84-TFBGA | 84-WBGA（8x12.5） | 描述:IC DDR2 SDRAM 2GBIT 1.875NS BGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:2Gb（256M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:350 ps *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:0°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:84-TFBGA 供应商器件封装:84-WBGA（8x12.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W972GG8KB-25 TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 84-TFBGA | 84-WBGA（8x12.5） | 描述:IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 60WBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:2Gb（256M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400 ps *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:0°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:84-TFBGA 供应商器件封装:84-WBGA（8x12.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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W972GG8KB25I TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Winbond Electronics | 84-TFBGA | 84-WBGA（8x12.5） | 描述:IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 60WBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR2 *存储容量:2Gb（256M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400 ps *电压 - 电源:1.7V ~ 1.9V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:84-TFBGA 供应商器件封装:84-WBGA（8x12.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS46TR16256B-125KBLA1-TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 96-TFBGA | 96-TWBGA（9x13） | 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:4Gb（256M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA（9x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS43LD32128B-25BPLI-TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 168-VFBGA | 168-VFBGA（12x12） | 描述:IC DRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 *存储容量:4Gb（128M x 32） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:168-VFBGA 供应商器件封装:168-VFBGA（12x12） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS46TR16256BL-125KBLA1-TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 96-TFBGA | 96-TWBGA（9x13） | 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb（256M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA（9x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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M10042040108X0PSAR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Renesas Electronics America Inc | 8-SOIC（5.30MM 宽） | 8-SOIC | 描述:IC RAM 4MBIT 108MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:4Mb（1M x 4） 存储器接口:- 时钟频率:108 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.71V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS43LD32128B-18BPLI-TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 168-VFBGA | 168-VFBGA（12x12） | 描述:IC DRAM *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 *存储容量:4Gb（128M x 32） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:168-VFBGA 供应商器件封装:168-VFBGA（12x12） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS21TF08G-JQLI-TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 100-LBGA | 100-LFBGA（14x18） | 描述:IC FLASH 8GBIT 3.3V 100FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（TLC） *存储容量:64Gb（8G x 8） 存储器接口:MMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:100-LBGA 供应商器件封装:100-LFBGA（14x18） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS46TR16256B-125KBLA2-TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 96-TFBGA | 96-TWBGA（9x13） | 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:4Gb（256M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA（9x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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IS46TR16256BL-107MBLA2-TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 96-TFBGA | 96-TWBGA（9x13） | 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb（256M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA（9x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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71321LA55PPGI8
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Renesas Electronics America Inc | 52-LQFP | 52-TQFP（10x10） | 描述:IC SRAM 16KBIT PARALLEL 52TQFP *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 双端口，同步 *存储容量:16Kb（2K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:52-LQFP 供应商器件封装:52-TQFP（10x10） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
%20Renders/706~153VFBGA-1-11,5x13~C~153_tmb.jpg){kind=small}
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IS21TF08G-JCLI-TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 153-VFBGA | 153-VFBGA（11.5x13） | 描述:IC FLASH 8GBIT 3.3V 153FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（TLC） *存储容量:64Gb（8G x 8） 存储器接口:MMC 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:153-VFBGA 供应商器件封装:153-VFBGA（11.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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M30082040054X0ISAR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Renesas Electronics America Inc | 8-SOIC（5.30MM 宽） | 8-SOIC | 描述:IC RAM 8MBIT 54MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:8Mb（2M x 4） 存储器接口:- 时钟频率:54 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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M10082040054X0IWAR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Renesas Electronics America Inc | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-DFN（5x6） | 描述:IC RAM 8MBIT 54MHZ 8DFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:8Mb（2M x 4） 存储器接口:- 时钟频率:54 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.71V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN（5x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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M10082040054X0ISAR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Renesas Electronics America Inc | 8-SOIC（5.30MM 宽） | 8-SOIC | 描述:IC RAM 8MBIT 54MHZ 8SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:8Mb（2M x 4） 存储器接口:- 时钟频率:54 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.71V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-SOIC（5.30MM 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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M30082040054X0IWAR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Renesas Electronics America Inc | 8-VDFN 裸露焊盘 | 8-DFN（5x6） | 描述:IC RAM 8MBIT SPI 54MHZ 8DFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:8Mb（2M x 4） 存储器接口:SPI 时钟频率:54 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN（5x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |
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MR1A16AYS35R
Datasheet 规格书
ROHS
卷带（TR）
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Everspin Technologies Inc. | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 44-TSOP2 | 描述:IC RAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP2 *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:2Mb（128K x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 供应商器件封装:44-TSOP2 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |