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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字，页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
W66CQ2NQUAFJ TR
卷带（TR）
10+: ￥71.8734 100+: ￥70.5900 1000+: ￥69.9482 3000+: ￥68.0231
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Winbond Electronics 200-WFBGA 200-WFBGA（10x14.5） 描述:4GB LPDDR4X, DDP, X32, 1600MHZ, *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X *存储容量:4Gb（128M x 32） 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W66CP2NQUAGJ TR
卷带（TR）
10+: ￥73.7718 100+: ￥72.4545 1000+: ￥71.7958 3000+: ￥69.8198
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Winbond Electronics 200-WFBGA 200-WFBGA（10x14.5） 描述:4GB LPDDR4, DDP, X32, 1866MHZ, - *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:4Gb（128M x 32） 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25N04KVTBIU TR
卷带（TR）
10+: ￥74.0629 100+: ￥72.7404 1000+: ￥72.0791 3000+: ￥70.0953
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Winbond Electronics 24-TBGA 24-TFBGA（8x6） 描述:4G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:4Gb（512M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:250µs 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25N04KVTBIR TR
卷带（TR）
10+: ￥74.0629 100+: ￥72.7404 1000+: ￥72.0791 3000+: ￥70.0953
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Winbond Electronics 24-TBGA 24-TFBGA（8x6） 描述:4G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:4Gb（512M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:250µs 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25N04KVTCIR TR
卷带（TR）
10+: ￥74.0629 100+: ￥72.7404 1000+: ￥72.0791 3000+: ￥70.0953
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Winbond Electronics 24-TBGA 24-TFBGA（8x6） 描述:4G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:4Gb（512M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:250µs 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25N04KVTCIU TR
卷带（TR）
10+: ￥74.0629 100+: ￥72.7404 1000+: ￥72.0791 3000+: ￥70.0953
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Winbond Electronics 24-TBGA 24-TFBGA（8x6） 描述:4G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:4Gb（512M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:250µs 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W74M01GVZEIG TR
卷带（TR）
10+: ￥76.8093 100+: ￥75.4377 1000+: ￥74.7519 3000+: ￥72.6945
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Winbond Electronics 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON（8x6） 描述:SECURITY AUTHENTICATION, SERIAL *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt W634GU6QB09I TR
卷带（TR）
10+: ￥74.3540 100+: ￥73.0263 1000+: ￥72.3624 3000+: ￥70.3708
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Winbond Electronics 96-VFBGA 96-VFBGA（7.5x13） 描述:4GB DDR3L 1.35V SDRAM, X16, 1066 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb（256M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:1.06 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt W634GU8QB09I TR
卷带（TR）
10+: ￥74.3540 100+: ￥73.0263 1000+: ￥72.3624 3000+: ￥70.3708
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Winbond Electronics 78-VFBGA 78-VFBGA（8x10.5） 描述:4GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 1066M *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb（512M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:1.06 GHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W66CQ2NQUAGJ TR
卷带（TR）
10+: ￥75.2273 100+: ￥73.8839 1000+: ￥73.2122 3000+: ￥71.1972
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Winbond Electronics 200-WFBGA 200-WFBGA（10x14.5） 描述:4GB LPDDR4X, DDP, X32, 1866MHZ, *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X *存储容量:4Gb（128M x 32） 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:1.866 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25N04KVSFIR TR
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Winbond Electronics 16-SOIC（7.50MM 宽） 16-SOIC 描述:4G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:4Gb（512M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:250µs 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25N04KVSFIU TR
卷带（TR）
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Winbond Electronics 16-SOIC（7.50MM 宽） 16-SOIC 描述:4G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:4Gb（512M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:250µs 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS43TR16256BL-125KBL-TR
卷带（TR）
10+: ￥75.8094 100+: ￥74.4557 1000+: ￥73.7788 3000+: ￥71.7482
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 96-TFBGA 96-TWBGA（9x13） 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb（256M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA（9x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MR10Q010CMBR
卷带（TR）
10+: ￥76.1005 100+: ￥74.7416 1000+: ￥74.0621 3000+: ￥72.0237
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Everspin Technologies Inc. 24-LBGA 24-BGA（6x8） 描述:IC RAM 1M SPI/ QUAD IO 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:1Mb（128k x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率:40 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:7 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-LBGA 供应商器件封装:24-BGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MR10Q010CSCR
卷带（TR）
10+: ￥76.1005 100+: ￥74.7416 1000+: ￥74.0621 3000+: ￥72.0237
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Everspin Technologies Inc. 16-SOIC（7.50MM 宽） 16-SOIC 描述:IC RAM 1M SPI/ QUAD IO 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:1Mb（128k x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率:40 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:7 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W66CP2NQUAHJ TR
卷带（TR）
10+: ￥76.5435 100+: ￥75.1766 1000+: ￥74.4932 3000+: ￥72.4429
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Winbond Electronics 200-WFBGA 200-WFBGA（10x14.5） 描述:4GB LPDDR4, DDP, X32, 2133MHZ, - *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:4Gb（128M x 32） 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W66CQ2NQUAHJ TR
卷带（TR）
10+: ￥77.9989 100+: ￥76.6061 1000+: ￥75.9097 3000+: ￥73.8204
我要买
Winbond Electronics 200-WFBGA 200-WFBGA（10x14.5） 描述:4GB LPDDR4X, DDP, X32, 2133MHZ, *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X *存储容量:4Gb（128M x 32） 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt IS25LX512M-JHLE-TR
卷带（TR）
10+: ￥78.7203 100+: ￥77.3146 1000+: ￥76.6117 3000+: ￥74.5032
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 24-TBGA 24-TFBGA（6x8） 描述:IC FLSH 512MBIT SPI OCTL 24TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:512Mb（64M x 8） 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MR25H256APDFR
卷带（TR）
10+: ￥79.1633 100+: ￥77.7497 1000+: ￥77.0428 3000+: ￥74.9224
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Everspin Technologies Inc. 8-VDFN 裸露焊盘 8-DFN-EP，小标志（5x6） 描述:IC RAM 4M SPI 40MHZ 8DFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:256Kb（32K x 8） 存储器接口:SPI 时钟频率:40 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:9 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN-EP，小标志（5x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS46TR16128DL-125KBLA1-TR
卷带（TR）
10+: ￥79.7455 100+: ￥78.3214 1000+: ￥77.6094 3000+: ￥75.4734
我要买
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 96-TFBGA 96-TWBGA（9x13） 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb（128M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA（9x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W66CL2NQUAFJ TR
卷带（TR）
10+: ￥79.8973 100+: ￥78.4706 1000+: ￥77.7572 3000+: ￥75.6171
我要买
Winbond Electronics 200-WFBGA 200-WFBGA（10x14.5） 描述:4GB LPDDR4, DDP, X32, 1600MHZ, - *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:4Gb（128M x 32） 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W66CM2NQUAFJ TR
卷带（TR）
10+: ￥81.3528 100+: ￥79.9000 1000+: ￥79.1737 3000+: ￥76.9946
我要买
Winbond Electronics 200-WFBGA 200-WFBGA（10x14.5） 描述:4GB LPDDR4X, DDP, X32, 1600MHZ, *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X *存储容量:4Gb（128M x 32） 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MR10Q010VSCR
卷带（TR）
10+: ￥81.3528 100+: ￥79.9000 1000+: ￥79.1737 3000+: ￥76.9946
我要买
Everspin Technologies Inc. 16-SOIC（7.50MM 宽） 16-SOIC 描述:IC RAM 1M SPI/ QUAD IO 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM（磁阻式 RAM） *存储容量:1Mb（128k x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI 时钟频率:40 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:7 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC（7.50MM 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W66CL2NQUAGJ TR
卷带（TR）
10+: ￥83.3904 100+: ￥81.9013 1000+: ￥81.1567 3000+: ￥78.9230
我要买
Winbond Electronics 200-WFBGA 200-WFBGA（10x14.5） 描述:4GB LPDDR4, DDP, X32, 1866MHZ, - *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:4Gb（128M x 32） 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:1.866 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W66CM2NQUAGJ TR
卷带（TR）
10+: ￥85.2888 100+: ￥83.7658 1000+: ￥83.0043 3000+: ￥80.7197
我要买
Winbond Electronics 200-WFBGA 200-WFBGA（10x14.5） 描述:4GB LPDDR4X, DDP, X32, 1866MHZ, *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X *存储容量:4Gb（128M x 32） 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:1.866 GHz 写周期时间 - 字，页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
  共有55516个记录    每页显示25条，本页54901-54925条    2197/2221页    首 页    上一页   2193  2194  2195  2196  2197  2198  2199  2200  2201   下一页    尾 页      
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