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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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W634GU8QB-11 TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带(TR)
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA(8x10.5) | 描述:4GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 933MH *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb(512M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W66BL6NBUAHJ TR
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卷带(TR)
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Winbond Electronics | 200-WFBGA | 200-WFBGA(10x14.5) | 描述:2GB LPDDR4, X16, 2133MHZ, -40C~1 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字,页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W66BM6NBUAHJ TR
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Winbond Electronics | 200-WFBGA | 200-WFBGA(10x14.5) | 描述:2GB LPDDR4X, X16, 2133MHZ, -40C~ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字,页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W634GU6QB-09 TR
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA(7.5x13) | 描述:4GB DDR3L 1.35V SDRAM, X16, 1066 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb(256M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:1.06 GHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W634GU8QB-09 TR
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA(8x10.5) | 描述:4GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 1066M *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb(512M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:1.06 GHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
NDL26PFI-9MET TR
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Insignis Technology Corporation | 96-VFBGA | 96-FBGA(7.5x13) | 描述:DDR3L 2GB X16 FBGA 7.5X13(X1.0) *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-FBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
NDL26PFI-8KET TR
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Insignis Technology Corporation | 96-VFBGA | 96-FBGA(7.5x13) | 描述:DDR3L 2GB X16 FBGA 7.5X13(X1.0) *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-FBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
AS4C128M16D3LC-12BCNTR
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Alliance Memory, Inc. | 96-VFBGA | 96-FBGA(7.5x13) | 描述:IC DRAM 2GBIT 800MHZ 96FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-FBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS43TR16128D-125KBLI-TR
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卷带(TR)
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 96-TFBGA | 96-TWBGA(9x13) | 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA(9x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
NDL26PFI-9MIT TR
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卷带(TR)
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Insignis Technology Corporation | 96-VFBGA | 96-FBGA(7.5x13) | 描述:DDR3L 2GB X16 FBGA 7.5X13(X1.0) *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-FBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
AS4C256M8D3LC-12BCNTR
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卷带(TR)
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Alliance Memory, Inc. | 78-VFBGA | 78-FBGA(7.5x10.5) | 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb(256M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-FBGA(7.5x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS43TR16128DL-125KBLI-TR
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卷带(TR)
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 96-TFBGA | 96-TWBGA(9x13) | 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA(9x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
AS4C128M16D3LC-12BINTR
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卷带(TR)
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Alliance Memory, Inc. | 96-VFBGA | 96-FBGA(7.5x13) | 描述:IC DRAM 2GBIT 800MHZ 96FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-FBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
MR10Q010SCR
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卷带(TR)
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Everspin Technologies Inc. | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:IC RAM 1M SPI/ QUAD IO 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM(磁阻式 RAM) *存储容量:1Mb(128k x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:40 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:7 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
MR10Q010MBR
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卷带(TR)
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Everspin Technologies Inc. | 24-LBGA | 24-BGA(6x8) | 描述:IC RAM 1M SPI/ QUAD IO 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM(磁阻式 RAM) *存储容量:1Mb(128k x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:40 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:7 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-LBGA 供应商器件封装:24-BGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
MT25QL256ABA8E12-0AUT
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卷带(TR)
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Micron Technology Inc. | 24-TBGA | 24-T-PBGA(6x8) | 描述:ICSRLFL 256M 3V 24TPBGA AUTO UT *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:1.8ms 访问时间:5 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-T-PBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
MT25QU256ABA8E12-0AUT
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ROHS
卷带(TR)
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Micron Technology Inc. | 24-TBGA | 24-T-PBGA(6x8) | 描述:ICSRLFL 256M 1.8V 24TPBGA AUTO U *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:1.8ms 访问时间:5 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-T-PBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W959D8NFYA5I TR
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卷带(TR)
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA, DDP (6x8) | 描述:2GB LPDDR2, X32, 400MHZ, -40 ~ 1 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:HyperRAM *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:HyperBus 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA, DDP (6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W66CP2NQUAFJ TR
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卷带(TR)
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Winbond Electronics | 200-WFBGA | 200-WFBGA(10x14.5) | 描述:4GB LPDDR4, DDP, X32, 1600MHZ, - *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:4Gb(128M x 32) 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字,页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
AS4C256M8D3LC-12BINTR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带(TR)
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Alliance Memory, Inc. | 78-VFBGA | 78-FBGA(7.5x10.5) | 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb(256M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-FBGA(7.5x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W634GU8QB11I TR
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ROHS
卷带(TR)
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA(8x10.5) | 描述:4GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 933MH *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb(512M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W634GU6QB11I TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带(TR)
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA(7.5x13) | 描述:4GB DDR3L 1.35V SDRAM, X16, 933M *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb(256M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
MR25H128APDFR
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ROHS
卷带(TR)
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Everspin Technologies Inc. | - | - | 描述:IC RAM 128K SPI 40MHZ 8DFN *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25N04KVZEIU TR
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ROHS
卷带(TR)
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(8x6) | 描述:4G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:4Gb(512M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:250µs 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25N04KVZEIR TR
Datasheet 规格书
ROHS
卷带(TR)
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(8x6) | 描述:4G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:4Gb(512M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:250µs 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |