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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
alt W634GU8QB-11 TR
卷带(TR)
10+: 59.0402 100+: 57.9860 1000+: 57.4588 3000+: 55.8774
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Winbond Electronics 78-VFBGA 78-VFBGA(8x10.5) 描述:4GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 933MH *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb(512M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W66BL6NBUAHJ TR
卷带(TR)
10+: 59.6224 100+: 58.5577 1000+: 58.0254 3000+: 56.4284
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Winbond Electronics 200-WFBGA 200-WFBGA(10x14.5) 描述:2GB LPDDR4, X16, 2133MHZ, -40C~1 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字,页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W66BM6NBUAHJ TR
卷带(TR)
10+: 60.6476 100+: 59.5646 1000+: 59.0231 3000+: 57.3986
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Winbond Electronics 200-WFBGA 200-WFBGA(10x14.5) 描述:2GB LPDDR4X, X16, 2133MHZ, -40C~ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字,页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt W634GU6QB-09 TR
卷带(TR)
10+: 61.9638 100+: 60.8573 1000+: 60.3040 3000+: 58.6443
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Winbond Electronics 96-VFBGA 96-VFBGA(7.5x13) 描述:4GB DDR3L 1.35V SDRAM, X16, 1066 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb(256M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:1.06 GHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt W634GU8QB-09 TR
卷带(TR)
10+: 61.9638 100+: 60.8573 1000+: 60.3040 3000+: 58.6443
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Winbond Electronics 78-VFBGA 78-VFBGA(8x10.5) 描述:4GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 1066M *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb(512M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:1.06 GHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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卷带(TR)
10+: 62.6852 100+: 61.5658 1000+: 61.0061 3000+: 59.3270
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Insignis Technology Corporation 96-VFBGA 96-FBGA(7.5x13) 描述:DDR3L 2GB X16 FBGA 7.5X13(X1.0) *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-FBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt NDL26PFI-8KET TR
卷带(TR)
10+: 62.6852 100+: 61.5658 1000+: 61.0061 3000+: 59.3270
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Insignis Technology Corporation 96-VFBGA 96-FBGA(7.5x13) 描述:DDR3L 2GB X16 FBGA 7.5X13(X1.0) *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-FBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
AS4C128M16D3LC-12BCNTR
卷带(TR)
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Alliance Memory, Inc. 96-VFBGA 96-FBGA(7.5x13) 描述:IC DRAM 2GBIT 800MHZ 96FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-FBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS43TR16128D-125KBLI-TR
卷带(TR)
10+: 65.4062 100+: 64.2382 1000+: 63.6543 3000+: 61.9023
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 96-TFBGA 96-TWBGA(9x13) 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA(9x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt NDL26PFI-9MIT TR
卷带(TR)
10+: 65.6087 100+: 64.4371 1000+: 63.8513 3000+: 62.0940
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Insignis Technology Corporation 96-VFBGA 96-FBGA(7.5x13) 描述:DDR3L 2GB X16 FBGA 7.5X13(X1.0) *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-FBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
AS4C256M8D3LC-12BCNTR
卷带(TR)
10+: 66.3301 100+: 65.1456 1000+: 64.5534 3000+: 62.7767
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Alliance Memory, Inc. 78-VFBGA 78-FBGA(7.5x10.5) 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb(256M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-FBGA(7.5x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS43TR16128DL-125KBLI-TR
卷带(TR)
10+: 67.1780 100+: 65.9784 1000+: 65.3786 3000+: 63.5792
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 96-TFBGA 96-TWBGA(9x13) 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA(9x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
AS4C128M16D3LC-12BINTR
卷带(TR)
10+: 68.8107 100+: 67.5819 1000+: 66.9675 3000+: 65.1244
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Alliance Memory, Inc. 96-VFBGA 96-FBGA(7.5x13) 描述:IC DRAM 2GBIT 800MHZ 96FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-FBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MR10Q010SCR
卷带(TR)
10+: 68.9499 100+: 67.7186 1000+: 67.1030 3000+: 65.2561
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Everspin Technologies Inc. 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC 描述:IC RAM 1M SPI/ QUAD IO 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM(磁阻式 RAM) *存储容量:1Mb(128k x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:40 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:7 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MR10Q010MBR
卷带(TR)
10+: 68.9499 100+: 67.7186 1000+: 67.1030 3000+: 65.2561
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Everspin Technologies Inc. 24-LBGA 24-BGA(6x8) 描述:IC RAM 1M SPI/ QUAD IO 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM(磁阻式 RAM) *存储容量:1Mb(128k x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI 时钟频率:40 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:7 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-LBGA 供应商器件封装:24-BGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt MT25QL256ABA8E12-0AUT
卷带(TR)
10+: 69.1018 100+: 67.8678 1000+: 67.2508 3000+: 65.3999
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Micron Technology Inc. 24-TBGA 24-T-PBGA(6x8) 描述:ICSRLFL 256M 3V 24TPBGA AUTO UT *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:1.8ms 访问时间:5 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-T-PBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt MT25QU256ABA8E12-0AUT
卷带(TR)
10+: 69.1018 100+: 67.8678 1000+: 67.2508 3000+: 65.3999
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Micron Technology Inc. 24-TBGA 24-T-PBGA(6x8) 描述:ICSRLFL 256M 1.8V 24TPBGA AUTO U *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:1.8ms 访问时间:5 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-T-PBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W959D8NFYA5I TR
卷带(TR)
10+: 39.3475 100+: 38.6449 1000+: 38.2936 3000+: 37.2396
我要买
Winbond Electronics 24-TBGA 24-TFBGA, DDP (6x8) 描述:2GB LPDDR2, X32, 400MHZ, -40 ~ 1 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:HyperRAM *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:HyperBus 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA, DDP (6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W66CP2NQUAFJ TR
卷带(TR)
10+: 70.4180 100+: 69.1605 1000+: 68.5318 3000+: 66.6456
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Winbond Electronics 200-WFBGA 200-WFBGA(10x14.5) 描述:4GB LPDDR4, DDP, X32, 1600MHZ, - *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:4Gb(128M x 32) 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字,页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
AS4C256M8D3LC-12BINTR
卷带(TR)
10+: 70.7091 100+: 69.4464 1000+: 68.8151 3000+: 66.9211
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Alliance Memory, Inc. 78-VFBGA 78-FBGA(7.5x10.5) 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb(256M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-FBGA(7.5x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt W634GU8QB11I TR
卷带(TR)
10+: 70.7091 100+: 69.4464 1000+: 68.8151 3000+: 66.9211
我要买
Winbond Electronics 78-VFBGA 78-VFBGA(8x10.5) 描述:4GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 933MH *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb(512M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt W634GU6QB11I TR
卷带(TR)
10+: 70.7091 100+: 69.4464 1000+: 68.8151 3000+: 66.9211
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Winbond Electronics 96-VFBGA 96-VFBGA(7.5x13) 描述:4GB DDR3L 1.35V SDRAM, X16, 933M *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb(256M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt MR25H128APDFR
卷带(TR)
10+: 71.1394 100+: 69.8690 1000+: 69.2339 3000+: 67.3283
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Everspin Technologies Inc. - - 描述:IC RAM 128K SPI 40MHZ 8DFN *存储器类型:- *存储器格式:- 技术:- *存储容量:- 存储器接口:- 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25N04KVZEIU TR
卷带(TR)
10+: 71.5823 100+: 70.3041 1000+: 69.6650 3000+: 67.7476
我要买
Winbond Electronics 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON(8x6) 描述:4G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:4Gb(512M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:250µs 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25N04KVZEIR TR
卷带(TR)
10+: 71.5823 100+: 70.3041 1000+: 69.6650 3000+: 67.7476
我要买
Winbond Electronics 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON(8x6) 描述:4G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:4Gb(512M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:250µs 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
  共有55516个记录    每页显示25条,本页54876-54900条    2196/2221页    首 页    上一页   2192  2193  2194  2195  2196  2197  2198  2199  2200   下一页    尾 页      
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