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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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W25M512JWFIQ TR
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Winbond Electronics | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:SPIFLASH, 1.8V, 512M-BIT, 4KB UN *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:7 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W66BL6NBUAFJ TR
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Winbond Electronics | 200-WFBGA | 200-WFBGA(10x14.5) | 描述:2GB LPDDR4, X16, 1600MHZ, -40C~1 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字,页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W97BH6MBVA1E TR
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Winbond Electronics | 134-VFBGA | 134-VFBGA(10x11.5) | 描述:2GB LPDDR2, X16, 533MHZ, -25 ~ 8 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA(10x11.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W97BH2MBVA1E TR
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Winbond Electronics | 134-VFBGA | 134-VFBGA(10x11.5) | 描述:2GB LPDDR2, X32, 533MHZ, -25 ~ 8 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:2Gb(64M x 32) 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA(10x11.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W97BH6MBVA1I TR
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Winbond Electronics | 134-VFBGA | 134-VFBGA(10x11.5) | 描述:2GB LPDDR2, X16, 533MHZ, -40 ~ 8 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA(10x11.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W97BH2MBVA1I TR
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Winbond Electronics | 134-VFBGA | 134-VFBGA(10x11.5) | 描述:2GB LPDDR2, X32, 533MHZ, -40 ~ 8 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:2Gb(64M x 32) 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA(10x11.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W632GG8NB11I TR
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA(8x10.5) | 描述:2GB DDR3 SDRAM, X8, 933MHZ, INDU *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:2Gb(256M x 8) 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W632GU8NB11I TR
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA(8x10.5) | 描述:2GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 933MH *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb(256M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W632GG6NB11I TR
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA(7.5x13) | 描述:2GB DDR3 SDRAM, X16, INDUSTRIAL *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W632GU6NB11I TR
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA(7.5x13) | 描述:2GB DDR3L 1.35V SDRAM, X16, INDU *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W66BP6NBUAHJ TR
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Winbond Electronics | 200-WFBGA | 200-WFBGA(10x14.5) | 描述:2GB LPDDR4, X16, 2133MHZ, -40C~1 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字,页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25Q512NWBIQ TR
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA(6x8) | 描述:SPIFLASH, 512M-BIT, 1.8V, 4KB UN *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI,DTR 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.65V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25Q512NWBIM TR
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA(6x8) | 描述:SPIFLASH, 512M-BIT, 1.8V, 4KB UN *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI,DTR 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.65V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25M512JWEIQ TR
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(8x6) | 描述:SPIFLASH, 1.8V, 512M-BIT, 4KB UN *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:7 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W66BM6NBUAFJ TR
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Winbond Electronics | 200-WFBGA | 200-WFBGA(10x14.5) | 描述:2GB LPDDR4X, X16, 1600MHZ, -40C~ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:1.6 GHz 写周期时间 - 字,页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W66BQ6NBUAHJ TR
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Winbond Electronics | 200-WFBGA | 200-WFBGA(10x14.5) | 描述:2GB LPDDR4X, X16, 2133MHZ, -40C~ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:2.133 GHz 写周期时间 - 字,页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
AS4C128M8D3B-12BINTR
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Alliance Memory, Inc. | 78-VFBGA | 78-FBGA(8x10.5) | 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78FBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:1Gb(128M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-FBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25M512JWBIQ TR
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA(6x8) | 描述:SPIFLASH, 1.8V, 512M-BIT, 4KB UN *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:5ms 访问时间:7 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W66BL6NBUAGJ TR
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Winbond Electronics | 200-WFBGA | 200-WFBGA(10x14.5) | 描述:2GB LPDDR4, X16, 1866MHZ, -40C~1 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4 *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:1.866 GHz 写周期时间 - 字,页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W632GU6NB09I TR
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA(7.5x13) | 描述:2GB DDR3L 1.35V SDRAM, X16, INDU *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W632GG8NB09I TR
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA(8x10.5) | 描述:2GB DDR3 SDRAM, X8, 1066MHZ, IND *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:2Gb(256M x 8) 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W632GU8NB09I TR
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA(8x10.5) | 描述:2GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 1066M *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb(256M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W632GG6NB09I TR
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卷带(TR)
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA(7.5x13) | 描述:2GB DDR3 SDRAM, X16, INDUSTRIAL *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W66BM6NBUAGJ TR
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ROHS
卷带(TR)
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Winbond Electronics | 200-WFBGA | 200-WFBGA(10x14.5) | 描述:2GB LPDDR4X, X16, 1866MHZ, -40C~ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:LVSTL_11 时钟频率:1.866 GHz 写周期时间 - 字,页:18ns 访问时间:3.5 ns *电压 - 电源:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:200-WFBGA 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W634GU6QB-11 TR
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA(7.5x13) | 描述:4GB DDR3L 1.35V SDRAM, X16, 933M *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:4Gb(256M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |