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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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W63AH2NBVABI TR
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Winbond Electronics | 178-VFBGA | 178-VFBGA(11x11.5) | 描述:1GB LPDDR3, X32, 800MHZ, INDUSTR *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3 *存储容量:1Gb(32M x 32) 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:178-VFBGA 供应商器件封装:178-VFBGA(11x11.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W63AH6NBVABI TR
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Winbond Electronics | 178-VFBGA | 178-VFBGA(11x11.5) | 描述:1GB LPDDR3, X16, 800MHZ, INDUSTR *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3 *存储容量:1Gb(64M x 16) 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:178-VFBGA 供应商器件封装:178-VFBGA(11x11.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS25LX256-JHLA3-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA(6x8) | 描述:IC FLSH 256MBIT SPI OCTL 24TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25N02JWSFIF TR
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Winbond Electronics | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:2G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:2Gb(256M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI,DTR 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25N02JWSFIC TR
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Winbond Electronics | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:2G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:2Gb(256M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI,DTR 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W979H6KBVX1I TR
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Winbond Electronics | 134-VFBGA | 134-VFBGA(10x11.5) | 描述:512MB LPDDR2, X16, 533MHZ, -40 ~ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:512Mb(32M x 16) 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA(10x11.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W979H2KBVX1E TR
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Winbond Electronics | 134-VFBGA | 134-VFBGA(10x11.5) | 描述:512MB LPDDR2, X32, 533MHZ, -25 ~ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:512Mb(16M x 32) 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA(10x11.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W979H6KBVX1E TR
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Winbond Electronics | 134-VFBGA | 134-VFBGA(10x11.5) | 描述:512MB LPDDR2, X16, 533MHZ T&R *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:512Mb(32M x 16) 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA(10x11.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W979H2KBVX2E TR
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Winbond Electronics | 134-VFBGA | 134-VFBGA(10x11.5) | 描述:512MB LPDDR2, X32, 400MHZ, -25 ~ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:512Mb(16M x 32) 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA(10x11.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W979H2KBVX2I TR
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Winbond Electronics | 134-VFBGA | 134-VFBGA(10x11.5) | 描述:512MB LPDDR2, X32, 400MHZ, -40 ~ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:512Mb(16M x 32) 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA(10x11.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W979H2KBVX1I TR
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Winbond Electronics | 134-VFBGA | 134-VFBGA(10x11.5) | 描述:512MB LPDDR2, X32, 533MHZ, -40 ~ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:512Mb(16M x 32) 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA(10x11.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25Q512JVFIQ TR
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Winbond Electronics | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25Q512JVFIM TR
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Winbond Electronics | 16-SOIC(7.50MM 宽) | 16-SOIC | 描述:IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25Q512JVEIQ TR
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(8x6) | 描述:IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W632GU6NB-09 TR
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA(7.5x13) | 描述:2GB DDR3L 1.35V SDRAM, X16, 1066 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W632GG6NB-09 TR
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Winbond Electronics | 96-VFBGA | 96-VFBGA(7.5x13) | 描述:2GB DDR3 SDRAM, X16, 1066MHZ T&R *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25M512JVEIM TR
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Winbond Electronics | 8-WDFN 裸露焊盘 | 8-WSON(8x6) | 描述:SPIFLASH, 3V, 512M-BIT, 4KB UNIF *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:3ms 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS43TR82560DL-125KBL-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 78-TFBGA | 78-TWBGA(8x10.5) | 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb(256M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-TWBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
IS25WX256-JHLA3-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 24-TBGA | 24-TFBGA(6x8) | 描述:IC FLSH 256MBIT SPI OCTL 24TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:256Mb(32M x 8) 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W63AH2NBVACI TR
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Winbond Electronics | 178-VFBGA | 178-VFBGA(11x11.5) | 描述:1GB LPDDR3, X32, 933MHZ, INDUSTR *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3 *存储容量:1Gb(32M x 32) 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:178-VFBGA 供应商器件封装:178-VFBGA(11x11.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W63AH6NBVACI TR
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ROHS
卷带(TR)
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Winbond Electronics | 178-VFBGA | 178-VFBGA(11x11.5) | 描述:1GB LPDDR3, X16, 933MHZ, INDUSTR *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3 *存储容量:1Gb(64M x 16) 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:178-VFBGA 供应商器件封装:178-VFBGA(11x11.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W632GU8NB-09 TR
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卷带(TR)
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA(8x10.5) | 描述:2GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 1066M *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb(256M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W632GG8NB-09 TR
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ROHS
卷带(TR)
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Winbond Electronics | 78-VFBGA | 78-VFBGA(8x10.5) | 描述:2GB DDR3 SDRAM, X8, 1066MHZ, T&R *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:2Gb(256M x 8) 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25N02JWTBIF TR
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卷带(TR)
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA(8x6) | 描述:2G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:2Gb(256M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI,DTR 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- | |
W25N02JWTBIC TR
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Winbond Electronics | 24-TBGA | 24-TFBGA(8x6) | 描述:2G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:2Gb(256M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O,QPI,DTR 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:- |