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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
W632GG8NB-15 TR
卷带(TR)
10+: 42.9165 100+: 42.1501 1000+: 41.7669 3000+: 40.6174
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Winbond Electronics 78-VFBGA 78-VFBGA(8x10.5) 描述:2GB DDR3 SDRAM, X8, 667MHZ T&R *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:2Gb(256M x 8) 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:667 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W632GU8NB-12 TR
卷带(TR)
10+: 42.9165 100+: 42.1501 1000+: 41.7669 3000+: 40.6174
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Winbond Electronics 78-VFBGA 78-VFBGA(8x10.5) 描述:2GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 800MH *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb(256M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W632GG8NB-12 TR
卷带(TR)
10+: 42.9165 100+: 42.1501 1000+: 41.7669 3000+: 40.6174
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Winbond Electronics 78-VFBGA 78-VFBGA(8x10.5) 描述:2GB DDR3 SDRAM, X8, 800MHZ, T&R *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:2Gb(256M x 8) 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS43TR16640CL-107MBLI-TR
卷带(TR)
10+: 43.1190 100+: 42.3490 1000+: 41.9640 3000+: 40.8090
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 96-TFBGA 96-TWBGA(9x13) 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb(64M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA(9x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W63AH2NBVACE TR
卷带(TR)
10+: 43.3595 100+: 42.5852 1000+: 42.1980 3000+: 41.0366
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Winbond Electronics 178-VFBGA 178-VFBGA(11x11.5) 描述:1GB LPDDR3, X32, 933MHZ, T&R *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3 *存储容量:1Gb(32M x 32) 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:178-VFBGA 供应商器件封装:178-VFBGA(11x11.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W63AH6NBVACE TR
卷带(TR)
10+: 43.3595 100+: 42.5852 1000+: 42.1980 3000+: 41.0366
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Winbond Electronics 178-VFBGA 178-VFBGA(11x11.5) 描述:1GB LPDDR3, X16, 933MHZ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3 *存储容量:1Gb(64M x 16) 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:178-VFBGA 供应商器件封装:178-VFBGA(11x11.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
MR25H256ACDFR
卷带(TR)
10+: 43.7391 100+: 42.9581 1000+: 42.5676 3000+: 41.3960
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Everspin Technologies Inc. 8-VDFN 裸露焊盘 8-DFN-EP,小标志(5x6) 描述:IC RAM 256K SPI 40MHZ 8DFN *存储器类型:非易失 *存储器格式:RAM 技术:MRAM(磁阻式 RAM) *存储容量:256Kb(32K x 8) 存储器接口:SPI 时钟频率:40 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:9 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN-EP,小标志(5x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25N02KVSFIU TR
卷带(TR)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Winbond Electronics 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC 描述:2G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:2Gb(256M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25N02KVSFIR TR
卷带(TR)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Winbond Electronics 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC 描述:2G-BIT SERIAL NAND FLASH, 3V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:2Gb(256M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W29N02KVDIAF TR
卷带(TR)
10+: 43.9669 100+: 43.1818 1000+: 42.7893 3000+: 41.6116
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Winbond Electronics 48-VFBGA 48-VFBGA(8x6.5) 描述:2G-BIT NAND FLASH, 3V, 4-BIT ECC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:2Gb(256M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-VFBGA(8x6.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25M121AWEIT TR
卷带(TR)
10+: 44.0302 100+: 43.2440 1000+: 42.8508 3000+: 41.6715
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Winbond Electronics 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON(8x6) 描述:1GB SERIAL NAND FLASH 1.8V + 128 *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND,FLASH - NOR *存储容量:128Mb(FLASH-NOR),1Gb(FLASH-NAND)(16M x 8(FLASH-NOR),128M x 8(FLASH-NAND)) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W29N02KVSIAF TR
卷带(TR)
10+: 44.4352 100+: 43.6417 1000+: 43.2450 3000+: 42.0548
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Winbond Electronics 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 48-TSOP 描述:2G-BIT NAND FLASH, 3V, 4-BIT ECC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:2Gb(256M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:48-TSOP 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W632GU6NB-11 TR
卷带(TR)
10+: 44.9035 100+: 44.1016 1000+: 43.7007 3000+: 42.4979
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Winbond Electronics 96-VFBGA 96-VFBGA(7.5x13) 描述:2GB DDR3L 1.35V SDRAM, X16, 933M *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W632GG6NB-11 TR
卷带(TR)
10+: 44.9035 100+: 44.1016 1000+: 43.7007 3000+: 42.4979
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Winbond Electronics 96-VFBGA 96-VFBGA(7.5x13) 描述:2GB DDR3 SDRAM, X16, 933MHZ,T&R *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA(7.5x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25M02GWZEIG TR
卷带(TR)
10+: 45.1946 100+: 44.3875 1000+: 43.9840 3000+: 42.7734
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Winbond Electronics 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON(8x6) 描述:2G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:2Gb(256M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:8 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25M02GWZEIT TR
卷带(TR)
10+: 45.1946 100+: 44.3875 1000+: 43.9840 3000+: 42.7734
我要买
Winbond Electronics 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON(8x6) 描述:2G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:2Gb(256M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:8 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25R512JVFIQ TR
卷带(TR)
10+: 45.3718 100+: 44.5616 1000+: 44.1564 3000+: 42.9411
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Winbond Electronics 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC 描述:RPMC SPIFLASH, 3V, 512M-BIT *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W29N02KVBIAF TR
卷带(TR)
10+: 45.4857 100+: 44.6734 1000+: 44.2673 3000+: 43.0489
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Winbond Electronics 63-VFBGA 63-VFBGA(9x11) 描述:2G-BIT NAND FLASH, 3V, 4-BIT ECC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:2Gb(256M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:63-VFBGA 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25N02KVTCIR TR
卷带(TR)
10+: 45.4857 100+: 44.6734 1000+: 44.2673 3000+: 43.0489
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Winbond Electronics 24-TBGA 24-TFBGA(8x6) 描述:IC FLASH 2GBIT SPI 24TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) *存储容量:2Gb(256M x 8) 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字,页:700µs 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W632GU8NB-11 TR
卷带(TR)
10+: 45.5743 100+: 44.7604 1000+: 44.3535 3000+: 43.1328
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Winbond Electronics 78-VFBGA 78-VFBGA(8x10.5) 描述:2GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 933MH *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb(256M x 8) 存储器接口:并联 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W63AH6NBVADE TR
卷带(TR)
10+: 45.5743 100+: 44.7604 1000+: 44.3535 3000+: 43.1328
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Winbond Electronics 178-VFBGA 178-VFBGA(11x11.5) 描述:1GB LPDDR3, X16, 1066MHZ, T&R *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3 *存储容量:1Gb(64M x 16) 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:178-VFBGA 供应商器件封装:178-VFBGA(11x11.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W63AH2NBVADE TR
卷带(TR)
10+: 45.5743 100+: 44.7604 1000+: 44.3535 3000+: 43.1328
我要买
Winbond Electronics 178-VFBGA 178-VFBGA(11x11.5) 描述:1GB LPDDR3, X32, 1066MHZ, T&R *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3 *存储容量:1Gb(32M x 32) 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:1.066 GHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:178-VFBGA 供应商器件封装:178-VFBGA(11x11.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W632GG8NB-11 TR
卷带(TR)
10+: 45.5743 100+: 44.7604 1000+: 44.3535 3000+: 43.1328
我要买
Winbond Electronics 78-VFBGA 78-VFBGA(8x10.5) 描述:2GB DDR3 SDRAM, X8, 933MHZ, T&R *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:2Gb(256M x 8) 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:933 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA(8x10.5) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25R512JVEIQ TR
卷带(TR)
10+: 45.6375 100+: 44.8226 1000+: 44.4151 3000+: 43.1927
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Winbond Electronics 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON(8x6) 描述:RPMC SPIFLASH, 3V, 512M-BIT *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:512Mb(64M x 8) 存储器接口:SPI 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字,页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(8x6) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS43TR16128D-125KBL-TR
卷带(TR)
10+: 45.8653 100+: 45.0463 1000+: 44.6368 3000+: 43.4083
我要买
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 96-TFBGA 96-TWBGA(9x13) 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:2Gb(128M x 16) 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-TWBGA(9x13) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
  共有55516个记录    每页显示25条,本页54776-54800条    2192/2221页    首 页    上一页   2188  2189  2190  2191  2192  2193  2194  2195  2196   下一页    尾 页      
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