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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字，页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
W25M121AVEIT TR
卷带（TR）
10+: ￥38.1958 100+: ￥37.5137 1000+: ￥37.1727 3000+: ￥36.1496
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Winbond Electronics 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON（8x6） 描述:1GB SERIAL NAND FLASH 3V + 128MB *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND，FLASH - NOR *存储容量:128Mb（FLASH-NOR），1Gb（FLASH-NAND）(16M x 8（FLASH-NOR），128M x 8（FLASH-NAND）） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:3ms 访问时间:6 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W97AH6NBVA1I TR
卷带（TR）
10+: ￥38.1958 100+: ￥37.5137 1000+: ￥37.1727 3000+: ￥36.1496
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Winbond Electronics 134-VFBGA 134-VFBGA（10x11.5） 描述:1GB LPDDR2, X16, 533MHZ, -40 ~ 8 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W97AH6NBVA1E TR
卷带（TR）
10+: ￥38.1958 100+: ￥37.5137 1000+: ￥37.1727 3000+: ￥36.1496
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Winbond Electronics 134-VFBGA 134-VFBGA（10x11.5） 描述:1GB LPDDR2, X16, 533MHZ, -25 ~ 8 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W94AD6KBHX6I TR
卷带（TR）
10+: ￥38.6641 100+: ￥37.9737 1000+: ￥37.6284 3000+: ￥36.5928
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Winbond Electronics 60-TFBGA 60-VFBGA（8x9） 描述:1GB LPDDR, X16, 166MHZ, IND TEMP *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:LVCMOS 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-VFBGA（8x9） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W97AH2NBVA1E TR
卷带（TR）
10+: ￥38.7653 100+: ￥38.0731 1000+: ￥37.7270 3000+: ￥36.6886
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Winbond Electronics 134-VFBGA 134-VFBGA（10x11.5） 描述:1GB LPDDR2, X32, 533MHZ, -25 ~ 8 *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:1Gb（32M x 32） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:- *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W958D8NBYA4I TR
卷带（TR）
10+: ￥33.9054 100+: ￥33.3000 1000+: ￥32.9972 3000+: ￥32.0891
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Winbond Electronics 24-TBGA 24-TFBGA, DDP (6x8) 描述:512MB HYPERRAM X8, 250MHZ, IND T *存储器类型:易失 *存储器格式:PSRAM 技术:PSRAM（伪 SRAM） *存储容量:256Mb（32M x 8） 存储器接口:HyperBus 时钟频率:250 MHz 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:28 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA, DDP (6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
IS43TR81280CL-125JBL-TR
卷带（TR）
10+: ￥39.5120 100+: ￥38.8065 1000+: ￥38.4537 3000+: ￥37.3953
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 78-TFBGA 78-TWBGA（8x10.5） 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78TWBGA *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:1Gb（128M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-TWBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W959D8NFYA4II TR
卷带（TR）
10+: ￥40.8283 100+: ￥40.0992 1000+: ￥39.7346 3000+: ￥38.6410
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Winbond Electronics 24-TBGA 24-TFBGA, DDP (6x8) 描述:512MB HYPERRAM X8, 200MHZ, IND T *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:HyperRAM *存储容量:512Mb（64M x 8） 存储器接口:HyperBus 时钟频率:250 MHz 写周期时间 - 字，页:35ns 访问时间:28 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA, DDP (6x8) 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt IS25LX256-JHLE-TR
卷带（TR）
10+: ￥40.0942 100+: ￥39.3782 1000+: ￥39.0203 3000+: ￥37.9463
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 24-TBGA 24-TFBGA（6x8） 描述:IC FLSH 256MBIT SPI OCTL 24TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:256Mb（32M x 8） 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:133 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25N02KVZEIU TR
卷带（TR）
10+: ￥40.5245 100+: ￥39.8009 1000+: ￥39.4390 3000+: ￥38.3536
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Winbond Electronics 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON（8x6） 描述:IC FLASH 2GBIT SPI 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:2Gb（256M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:104 MHz 写周期时间 - 字，页:700µs 访问时间:7 ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W978H6KBVX1I TR
卷带（TR）
10+: ￥42.8532 100+: ￥42.0880 1000+: ￥41.7054 3000+: ￥40.5575
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Winbond Electronics 134-VFBGA 134-VFBGA（10x11.5） 描述:256MB LPDDR2, X16, 533MHZ, -40 ~ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:256Mb（16M x 16） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W978H2KBVX2I TR
卷带（TR）
10+: ￥42.8532 100+: ￥42.0880 1000+: ￥41.7054 3000+: ￥40.5575
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Winbond Electronics 134-VFBGA 134-VFBGA（10x11.5） 描述:256MB LPDDR2, X32, 400MHZ, -40 ~ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:256Mb（8M x 32） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W978H6KBVX2E TR
卷带（TR）
10+: ￥42.8532 100+: ￥42.0880 1000+: ￥41.7054 3000+: ￥40.5575
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Winbond Electronics 134-VFBGA 134-VFBGA（10x11.5） 描述:256MB LPDDR2, X16, 400MHZ, -25 ~ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:256Mb（16M x 16） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W978H2KBVX1E TR
卷带（TR）
10+: ￥42.8532 100+: ￥42.0880 1000+: ￥41.7054 3000+: ￥40.5575
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Winbond Electronics 134-VFBGA 134-VFBGA（10x11.5） 描述:256MB LPDDR2, X32, 533MHZ, -25 ~ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:256Mb（8M x 32） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W978H2KBVX2E TR
卷带（TR）
10+: ￥42.8532 100+: ￥42.0880 1000+: ￥41.7054 3000+: ￥40.5575
我要买
Winbond Electronics 134-VFBGA 134-VFBGA（10x11.5） 描述:256MB LPDDR2, X32, 400MHZ, -25 ~ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:256Mb（8M x 32） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:400 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W978H6KBVX1E TR
卷带（TR）
10+: ￥42.8532 100+: ￥42.0880 1000+: ￥41.7054 3000+: ￥40.5575
我要买
Winbond Electronics 134-VFBGA 134-VFBGA（10x11.5） 描述:256MB LPDDR2, X16, 533MHZ, -25 ~ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:256Mb（16M x 16） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W978H2KBVX1I TR
卷带（TR）
10+: ￥42.8532 100+: ￥42.0880 1000+: ￥41.7054 3000+: ￥40.5575
我要买
Winbond Electronics 134-VFBGA 134-VFBGA（10x11.5） 描述:256MB LPDDR2, X32, 533MHZ, -40 ~ *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B *存储容量:256Mb（8M x 32） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:533 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:134-VFBGA 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
alt IS25WX256-JHLE-TR
卷带（TR）
10+: ￥41.5496 100+: ￥40.8077 1000+: ￥40.4367 3000+: ￥39.3238
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 24-TBGA 24-TFBGA（6x8） 描述:IC FLSH 256MBIT SPI OCTL 24TFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 *存储容量:256Mb（32M x 8） 存储器接口:SPI - 八 I/O 时钟频率:200 MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:- *电压 - 电源:1.7V ~ 2V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-TFBGA（6x8） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W63AH6NBVABE TR
卷带（TR）
10+: ￥42.0179 100+: ￥41.2676 1000+: ￥40.8924 3000+: ￥39.7670
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Winbond Electronics 178-VFBGA 178-VFBGA（11x11.5） 描述:1GB LPDDR3, X16, 800MHZ, T&R *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3 *存储容量:1Gb（64M x 16） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:178-VFBGA 供应商器件封装:178-VFBGA（11x11.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W63AH2NBVABE TR
卷带（TR）
10+: ￥42.0179 100+: ￥41.2676 1000+: ￥40.8924 3000+: ￥39.7670
我要买
Winbond Electronics 178-VFBGA 178-VFBGA（11x11.5） 描述:1GB LPDDR3, X32, 800MHZ, T&R *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3 *存储容量:1Gb（32M x 32） 存储器接口:HSUL_12 时钟频率:800 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5.5 ns *电压 - 电源:1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:178-VFBGA 供应商器件封装:178-VFBGA（11x11.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W632GU6NB-15 TR
卷带（TR）
10+: ￥42.2837 100+: ￥41.5286 1000+: ￥41.1511 3000+: ￥40.0185
我要买
Winbond Electronics 96-VFBGA 96-VFBGA（7.5x13） 描述:2GB DDR3L 1.35V SDRAM, X16, 667M *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb（128M x 16） 存储器接口:并联 时钟频率:667 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W632GG6NB-15 TR
卷带（TR）
10+: ￥42.2837 100+: ￥41.5286 1000+: ￥41.1511 3000+: ￥40.0185
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Winbond Electronics 96-VFBGA 96-VFBGA（7.5x13） 描述:2GB DDR3 SDRAM, X16, 667MHZ T&R *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3 *存储容量:2Gb（128M x 16） 存储器接口:SSTL_15 时钟频率:667 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.425V ~ 1.575V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:96-VFBGA 供应商器件封装:96-VFBGA（7.5x13） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25N02JWZEIC TR
卷带（TR）
10+: ￥42.8659 100+: ￥42.1004 1000+: ￥41.7177 3000+: ￥40.5695
我要买
Winbond Electronics 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON（8x6） 描述:2G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:2Gb（256M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字，页:700µs 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W25N02JWZEIF TR
卷带（TR）
10+: ￥42.8659 100+: ￥42.1004 1000+: ￥41.7177 3000+: ￥40.5695
我要买
Winbond Electronics 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON（8x6） 描述:2G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND（SLC） *存储容量:2Gb（256M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O，QPI，DTR 时钟频率:166 MHz 写周期时间 - 字，页:700µs 访问时间:6 ns *电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON（8x6） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
W632GU8NB-15 TR
卷带（TR）
10+: ￥42.9165 100+: ￥42.1501 1000+: ￥41.7669 3000+: ￥40.6174
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Winbond Electronics 78-VFBGA 78-VFBGA（8x10.5） 描述:2GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 667MH *存储器类型:易失 *存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L *存储容量:2Gb（256M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:667 MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20 ns *电压 - 电源:1.283V ~ 1.45V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:78-VFBGA 供应商器件封装:78-VFBGA（8x10.5） 标签: 格式 - 存储器:- 存储器类型:- 存储容量:- 速度:- 接口:- 电压 - 电源:-
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